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41.
基于可以得到的理论和实验数据,对利用准相对论组态平均近似系列程序包计算的类氢、类氯、类锂氩离子的碰撞电离原子参数进行了评估,发现对基态类氢、类氯和类锂氩离子的碰撞电离,在不考虑共振过程的情况下,我们的加交换的准相对论扭曲波方法的计算结果是可靠的,但对于激发态的碰撞电离过程。还有待于可靠的数据比较,此外对不同离化度的离子有很好的类氢近似标度规律。 相似文献
42.
碳分子线基态特性理论研究 总被引:1,自引:0,他引:1
从第一原理出发,利用密度泛函理论B3LYP系统研究了碳分子线Cn(n=3~10)的电子结构特性.对优化结果分析发现,由于离域效应的作用,当n为奇数时,分子线基态为单重态,反之,当n为偶数时,三重态为其稳定的基态.对其电子结构分析可得,随着n的增加,体系能量逐渐降低;同时本文确定了分子线体系最高占据轨道HOMO能量EH、最低未占据轨道LUMO能量EL与n的关系式,即EHn-2<EHn<EHn+2,ELn-2>ELn>ELn+2.因而碳分子线的费米能级会表现出特有的奇偶性.该工作将有利于准确认识分子器件的伏安特性,设计出良好性能的分子器件. 相似文献
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48.
c轴定向氮化铝薄膜的制备 总被引:3,自引:0,他引:3
利用电子回旋共振 (ECR)微波增强化学气相沉积法 (PECVD)并使用氮气 (N2 ) ,氩气 (Ar)和AlCl3蒸气作为气源在直径为 6 .35cm的 (10 0 )单晶硅片表面制备了c轴定向氮化铝 (AlN)薄膜 ,并使用X射线衍射仪及其X射线特征能谱和扫描电镜 (SEM)分析了薄膜特征 ,研究了微波功率、基板温度和N2 流量对薄膜c轴定向的影响 ,得到了c轴偏差角小于 5°的高质量大面积AlN薄膜。 相似文献
49.
本文简述了电子现金系统的研究成果及其发展现状,针对已有的基于椭圆曲线的限制性盲签名方案提出可能的攻击手段,并在此基础上提出安全的基于椭圆曲线的限制性部分盲签名方案,同时也构建了一个与已有方案相比更富应用价值的高效离线电子现金方案. 相似文献
50.
实验采用常压和高压分别制备出含铁的FexCu1-xBaSrYCu2Oy(x= 0~1)系列化合物,本文主要研究x=0.5时样品的结构和超导电性.测量结果显示,高压合成的样品均具有超导电性,对于x=0.5的样品超导转变温度Tc(onset)~57K, Tc(0)~40K,而常压合成的样品当Fe含量x>0.3时均不超导.为此,我们利用透射电子显微镜(TEM)研究了该体系的微观结构特性,并通过电子能量损失谱(EELS)揭示出高压合成导致样品中载流子浓度明显高于常压样品,证明样品制备过程中高压有利于超导电性的形成.同时对高压样品中的缺陷和局域晶体结构畸变进行了深入分析. 相似文献