离子束合成钇硅化物的结构及红外谱特征

将稀土金属钇离子注入到n型单晶Si(111)中制备出钇硅化物埋层.利用x射线衍射、卢瑟福背散射和傅里叶红外吸收谱测量分析了样品的结构、原子的埋层分布和振动模式.结果表明，Y离子在注入过程中已与基底中的Si原子形成了YSi2结构相.真空下的红外光辐照处理促使YSi2择优取向生长，埋层中Si与Y的平均原子浓度比由24下降为20，与六方YSi2的化学计量比一致.还给出了钇硅化物的特征红外吸收谱.     

甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究

对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅（μc_Si∶H）薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明：μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O，O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示：沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响；而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅（a_Si:H）薄膜. 关键词： 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氧污染     

Equivalent Antisymmetry Performance of Three—Dimensional Heterogeneous Anisotropic Composites

Starting from the physical features of materials, heterogeneous anisotropic composites (HAGs) are analysed on the basis of the understanding and applications of its equivalent antisymmetry performance. Moreover, the design parameter is optimized to attain the goal of maximizing the use of materials, which is quite meaningful. The HAG structure is defined as a kind of equivalent structures according to the structure and properties of materials.We apply the mature plate theory and the composite materials laminate theory in analysis of the HAG structure,and in this way a new concept and a new idea are expected.     

Bush连续不可微函数的分形性质

本文对用递推关系确定的Bush连续不可微函数,找出了迭代函数系(IFS),从而得到它的级数表达式和所具有的自仿射分形的有关性质.最后还计算出函数图象的Hausdorff 维数的准确值.     

复方单硝酸异山梨酯-阿司匹林双缓释微丸胶囊的研制(Ⅱ)

以乙基纤维素、丙烯酸树脂Ⅱ和丙烯酸树脂Ⅲ为骨架材料分别制备单硝酸异山梨酯和阿司匹林混合骨架缓释微丸，并通过包薄膜衣进一步控制药物的释放。通过测定微丸的释放度对处方工艺进行评价，选择最佳微丸灌装胶囊．胶囊中两种药物均达到良好的缓释效果。符合中国药典对缓释制剂的要求．其体外释放过程同时符合Higuchi方程和一级释药方程，R^2值均在0．995以上。     

不变性在线性代数中应用两例

本介绍数学中“不变性”思想，讨论了线性代数中某种条件下秩数不变、特征多项式带征值不变；对称性、半正定、正定性不变；以及度量性不变，一以初等变换为首要方法，解决线性代数中一类重要问题，阐述了矩阵或线性方程组线性变换的本质。     

普物教学中如何讲述电磁场变换

从洛伦兹力公式和运动电荷磁场出发，导出了两惯性系间电磁场的变换关系．     

微裂纹扩展中的分形现象及其计算机仿真

本文探讨了采用仿真技术研究微裂纹连接过程和生成分形断口表面的可行性，发展了用于仿真微裂纹随机生长行为的ＧＯ模型的基本构相，并进行了计算机仿真实验，由此得出了一此有的结论。     

直接模拟蒙特卡罗方法在微通道流动模拟中的应用

直接模拟蒙特卡罗方法是一种求解稀薄气体流动换热新的数值方法。本文采用该方法对Kn数跨越速度滑移区和过渡区的三个微通道内的流动进行了数值模拟,给出了通道内速度、压力及局部阻力系数的变化曲线.为了表明通道横纵比对流动的影响,还对每个算例在不同的横纵比下进行了比较。结果表明,微通道内的流动特性不仅与Kn数有关,而且与通道的横纵比也有很大的关系。