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41.
“任意反射面的速度干涉仪”VISAR(Velocity Interferometer System for Any Reflector)技术,已成为诊断冲击作用下样品自由面速度剖面或粒子速度剖面的主要技术。其主要优点在于能够对高速度、高加速度运动事件进行非接触的连续测试。 相似文献
42.
Theoretical analysis of the acoustical characteristics of suspended micro-perforated panel absorbers
SHENGShengwo SONGYongmin WANGJiqing 《声学学报:英文版》2005,24(3):234-241
Sound absorption characteristics of suspended micro-perforated panel absorbers were investigated theoretically. The method of half thickness model of such panel absorber with quadripole analysis was used for predicting its acoustic performance. The analysis results show that the predictions agree well with the measurements of absorption in the reverberation chamber. The factors affecting the absorption characteristics for such absorbers were discussed, and some rules as design guidelines were given. 相似文献
43.
An analytical model for fractal dimension of tortuous streamtubes in porous media is derived. The proposed fractal dimension for tortuous streamtubes in porous media is expressed as a function of porosity and scale, and there is no empirical constant in the proposed expression. The model predictions for the fractal dimension of tortuous streamtubes in porous media are in good agreement with those by the box-counting method and with the observations of other researchers. 相似文献
44.
报道了硅基有机微腔的电致发光(EL).该微腔由上半透明金属膜、中心有源多层膜和多孔硅分布Bragg反射镜(PS DBR)组成.半透明金属膜由Ag(20nm)构成,充当发光器件的负电极和微腔的上反射镜.有源多层膜由Al (1 nm) / LiF(05 nm) /Alq3/Alq3:DCJTB/NPB/CuPc/ITO/SiO2组成,其中的Al/LiF为电子注入层,ITO为正电极,SiO2为使正、负电极电隔离的介质层.该PS DBR是采用设备简单、成本低廉且非常省时的电化学腐蚀法用单晶Si来制备的;该PS
关键词:
电化学腐蚀
电致发光
窄峰发射
硅基有机微腔 相似文献
45.
关于Banach空间中凸泛函的广义次梯度不等式 总被引:2,自引:0,他引:2
本文在前人^[1,2]的基础之上,以凸泛函的次梯度不等式为工具,将Jensen不等式推广到Banach空间中的凸泛函,导出了Banach空间中的Bochner积分型的广义Jensen不等式,给出其在Banach空间概率论中某些应用,从而推广了文献[3—6]的工作. 相似文献
46.
特征线性与semi-Lagrangian方法都是处理流体方程时间离散的两种有效的方法.它们比经典的半隐格式,如Backward-Euler/Adams-Bashforth方法有更好的稳定性.本提出一种基于高阶空间离散的特征线法,通过稳定性,精度和计算复杂性与semi-Lagrangian方法进行比较,分析了高阶特征线法的有效性和适用性,并从数值试验上对分析结果进行验证. 相似文献
47.
Theoretical Analysis of Characteristics of GaxInl—x NyAsl—y/GaAs Quantum Well Lasers with Different Intermediate Layers
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Based on the band anticrossing model, the effects of the strain-compensated layer and the strain-mediated layero n the band structure, gain and differential gain of GalnNAs/GaAs quantum well lasers have been investigated. The results show that the GaNAs barrier has a disadvantage in increasing the density of states in the conduction band. Meanwhile, the multilayer quantum wells need higher transparency carrier density than the GalnNAs/GaAs single quantum well with the same wavelength. However, they help to suppress the degradation of the differential gain. The calculation also shows that from the viewpoint of band structure, the strain-compensated structure and the strain-mediated structure have similar features. 相似文献
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49.
50.