用熔融织构生长法(MTG)制备YBCO超导体的临界电流密度以及微观结构

用熔融织构生长法(Melt-Textured-Growth)制备出具有高临界电流密度的YBa_2Cu_3O_y超导材料·片状的YBCO粉末烧结体被快速加热到包晶转变温度以上,慢速冷却通过包晶转变点,制成一种高密度层状结构的类单晶超导体。这种超导体具有很强的定向结晶组织和很强的晶粒间的连接。采用持续的直流电四引线法在77K温度下,测量了样品的临界电流密度J_c与外磁场H的关系。在2T场强下,J_c达到了23800A/cm~2。扫描电镜和高压电镜的观察表明,样品中除了有弥散的Y_2BaCuO_y和CuO非超导相颗粒外,还存在着大量的孪晶、位错、位错环以及堆垛层错等品格缺陷。这些缺陷对提高磁场下的J_c起着重要的作用,其中有些缺陷本身就是磁通钉扎中心。     

磁场对含稀土铝锂合金断裂特征的影响

以含铈铝锂合金为研究对象，研究了磁场对含稀土铝锂合金时效过程的影响，从断裂特征及微观组织两方面分析了磁场作用规律。实验结果表明：未加磁场时，合金的断裂特征以理断裂为主；扁平晶粒厚度不匀，在磁场作用下，此合金的断裂特征与微观组织发生明显改观，随磁感应强度增强，合金主断裂面上准解理断裂特征减弱，同时二次裂纹增多，分层比较升高；扁平晶粒厚度变薄，尺寸趋于均匀。用少体物理理论，探讨了磁场对含稀土合金原子扩散过程的影响，为进一步研究稀土元素在磁场中的行为及其局域效应提供了一定的实验依据。     

旋转填充床的流体力学特性与传递过程的理论研究进展

旋转填充床(RPB)是一种高效的强化传递过程设备，亦是一种高效的混合与多相反应设备，在化工、材料、冶金、能源、环保等领域有着广泛的应用前景。本文概要地介绍了近年来对该类装置的流体力学特性和传递过程的理论研究进展。     

镀液中Ce^3＋离子对锡镀层结构缺陷和可焊性的影响

应用荧光分析法、X光电子能谱法(XPS)及正电子湮没寿命谱法(PALS)等研究了从含硫酸铈添加剂的酸性光亮锡镀液获得的锡镀层结构缺陷与可焊性的关系。结果表明,电镀时Ce与Sn不发生共沉积,Ce~(3+)的主要作用是阻化Sn~(2+)的水解和氧化使镀液稳定,因而使锡镀层纯度提高、结构致密、表层氧含量减少,有利于提高镀层的可焊性。当Ce~(3+)浓度控制在3.5g/L左右时,可使镀层结构缺陷较少,可焊性较佳,说明结构缺陷是影响锡镀层可焊性的直接原因。     

Studies on the Phase Properties of Winsor Ⅰ-Ⅲ Type Microemulsions with Dielectric Relaxation Spectroscopy

The dielectric relaxation spectroscopy （DRS） of Winsor I -Ⅲ microemulsions for nonionic surfactant octyl polyglucoside CsG1.46/1-butanol/cyclohexanedwater system was studied. The experiment shows that the permittivity decreases with the increase in the frequency and clear dielectric relaxation phenomena were observed. Permittivity obviously decreases with the change of the microstructure of the microemulsion, W/O, B.C. and O/W can be distinguished by the permittivity.     

微乳液的微观结构

由于超低界面张力的发现，对传统的微乳液结构认识带平冲击，统计力学模型的建立不应局限于经典的物理图象，应更广泛地考虑界面上各种效应，一些原认为次要因素却成为重要因素，诸如；弯面压力，混合熵，范德华引力等。     

水煤气变换反应的微观动力学分析──Cu基催化剂上H_2S中毒失活原因的 Monte Carlo 模拟研究

用ＢＯＣＭＰ方法及ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟技术，对Ｈ２Ｓ导致Ｃｕ基催化剂失活的原因进行了计算分析。研究结果表明，当原料气中存在Ｈ２Ｓ时，ＷＧＳ反应的活化能明显高于无Ｈ２Ｓ时的活化能，随着表面Ｈ２Ｓ浓度的增大（θ＝０，０．１０，０．２５），反应的活化能也逐渐变大（其大小比为１∶１．３４∶３．３），究其原因可归结为Ｈ２Ｓ的存在使得反应物分子的吸附热减小，从而使Ｈ２Ｏ的解离吸附（ＷＧＳ反应的速控步骤）活化能增大。     

硅片清洗及最新发展

对目前硅片湿式化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细论述.介绍了兆声波、臭氧、电解离子水、只用HF清洗或简化常规工艺后最后用HF清洗等最新的硅片清洗技术, 指出了硅片清洗工艺的发展趋势.     

亚锰酸镧及其A位掺杂物的结构与缺陷

鉴于亚锰酸镧的结构和缺陷在理论和应用上的重要性,本文总结了近年来对LaMnO3及其A位掺杂物的结构与缺陷的研究.着重分析了其氧化学非计量性和La/Mn比与结构及缺陷的关系.并讨论了亚锰酸镧的各种缺陷模型.指出了目前研究中存在的一些争议和一些缺乏足够研究的方面.     

聚氯乙烯结构缺陷和热不稳定性之间关系的研究 2.各种结构缺陷含量和热脱氯化氢速率之间的关系

本工作采用溴加成法、酚解法、FTIR法及臭氧裂解法分别测定了五种不饱和蒸气压下聚合的PVC样品(u-PVC)和五种商品PVC样品(s-PVC)的总双键、总不稳定氯、孤立双键和内部双键的含量.通过研究结构缺陷和PVC的平均分子量及脱HCl速率的相互关系,揭示了不饱和总双键值,总不稳定氯和孤立双键含量彼此的相关性是建立在它们分别与1/M_n的相关性基础之上,从而得出了这三种定量值测得的主要都是端基烯丙基氯结构.根据三者对脱HCl速率的良好线性相关性,首次提出了端基烯丙基氯结构在HCl催化作用下异构化成内部烯丙基氯从而成为脱HCl速率主要原因的机理.