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71.
使用真空电弧熔炼技术制备了Al0.2Co1.5CrNi1.5Ti0.5Mox(x=0.0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4)高熵合金,研究了Mo含量对该高熵合金组织结构、力学性能和摩擦学性能的影响规律及其作用机制. Al0.2Co1.5CrNi1.5Ti0.5高熵合金由FCC相和有序AlNi3相组成,Mo元素添加后促进形成σ相.较大原子半径的Mo元素引发的晶格畸变效应和σ硬质相析出引起的第二相强化效应赋予高熵合金优良的力学和摩擦学性能.随着Mo含量的提高,合金的硬度增加了40.4%,屈服强度增加了32.1%.对该合金的摩擦磨损性能进行研究,发现Mo元素的添加显著改善了高熵合金的摩擦学性能,尤其是当Mo的摩尔比为0.4时,高熵合金室温磨损率为2.62×10-6 mm3/(N·m),800℃时的磨损率为6.23×10 相似文献
72.
通过对具有三级沉淀微观结构的CoCrNiSi0.3C0.048中熵合金(MEA)进行了Taylor冲击试验,形成了具有宽泛应变和应变率梯度的Taylor杆状试样,研究了其应变和应变率依赖的梯度微观结构分布特征及演化机制.随着应变和应变率的增加,一级Cr23C6碳化物的演变方式主要为裂纹数量增多,主裂纹中裂纹分叉增多以及裂纹宽度变大.二级Type-Ⅰ型SiC沉淀变形的演变方式主要为裂纹的产生和扩展.三级Type-Ⅱ型SiC沉淀主要为位错-绕过机制逐渐加剧.FCC基体的演变方式主要为位错与孪晶和三级沉淀之间的相互作用加剧. 相似文献
73.
结合最新病毒传播的研究工作,建立了一系列微观病毒传播系统,并对动态系统作了简单的分析,是对宏观疾病传播的内在规律的描述和研究,有利于疾病发展趋势的预测和最优化控制策略的研究. 相似文献
74.
75.
76.
77.
使用 Langmuir-Hinshelwood (L-H) 动力学的学者大部分未注意到该动力学包含了所有吸附物种采用拟稳态假设的隐含条件, 因而他们通常忽视了确认实验条件是否允许采用拟稳态假设. 然而, 对于大部分气固催化反应, 拟稳态假设的成立需基于催化活性位浓度很小的前提. 对于催化活性位浓度高的反应体系, 其覆盖度较高的吸附物种不满足拟稳态假设. 因此, 在这种情况下通过实验测定的动力学常数没有物理意义, 而仅为该实验条件下的数学回归参数. 本文将活性位浓度小于最高反应气浓度的十分之一视为拟稳态假设成立的充分条件, 通过估算发现许多催化剂并不满足该条件. 相似文献
78.
测量了不同C或B含量经不同烧结温度制备的Si基半导体、单晶Si、单晶SiO2、石墨和纯多晶B样品的正电子寿命谱和符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱。结果表明,石墨的商谱谱峰最高,SiO2的谱峰次之,B的谱峰最低。随着B,C和O原子序数的增加,与正电子湮没的电子动量增加。含20%的C和含100ppm的B的样品的商谱的谱峰最高;含100ppm的B的样品的谱峰次之;含1ppm的B的样品的谱峰最低。随着烧结温度的升高,含100ppm的B的Si基半导体样品的商谱降低,正电子寿命增长,缺陷开空间和浓度升高。 相似文献
79.
为了研究金属材料的超快变形行为,利用强流脉冲电子束(HCPEB)装置对20钢进行轰击,采用X射线衍射、光学显微镜及透射电镜等技术分析了受轰击样品的变形组织与结构。实验结果表明,强流脉冲电子束能够在材料表层诱发幅值为1 GPa量级的应力,快速的加热和冷却过程在近表层诱发了强烈的塑性变形,并在材料表层内形成了复杂的位错缠结结构和位错胞结构,同时还伴随位错圈等空位簇缺陷的形成,多次轰击导致局部区域形成纳米和非晶结构。HCPBE轰击诱发的幅值极大的应力和极高的应变速率而导致的整个原子平面的位移可能是非晶结构形成的关键原因。 相似文献
80.