强流脉冲电子束应力诱发的微观结构

利用强流脉冲电子束装置在各种工艺条件下对奥氏体不锈钢、单晶铝及多晶铝等面心立方金属进行辐照处理.利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜等详细分析了辐照样品的变形组织与结构.通过分析，在一定程度上建立起强流脉冲电子束诱发的应力特征与变形结构之间的关系，并对目前现有的几种应力波数值模拟结果进行了分析.实验结果表明，强流脉冲电子束能够在材料内部诱发10²—10³MPa的应力，其传播方式与材料的 晶体结构关系密切.这一应力是导致材料深层性能与微观组织结构发生变化的根源所在. 关键词： 强流脉冲电子束 应力 微观结构 变形     

200MeV以下质子-核散射的相对论微观描述

应用Dirac Brückner-Hartree-Fock方法, 采用新的G矩阵分解方式研究了核子在核介质中的同位旋相关的相对论微观光学势，采用定域密度近似得到有限核的相对论微观光学 势.讨论了有限核的相对论微观光学势及其Schrdinger等价势与入射质子能量的关系，计 算了200MeV以下质子入射40⁴⁰Ca和208²⁰⁸Pb核的弹性散射角分布 和分析本领，得到了与实验相一致的结果，并将这种方法推广用于不稳定核的研究.通过对C a同位素的计算可以看出，在相 关键词： 相对论微观光学势 Dirac Brückner-Hartree-Fock 不对称核物质 定域密度近似     

非均匀剪切流场中液晶聚合物微观结构的无网格模拟

基于宏观流场控制方程与微观分子取向扩散方程耦合的微-宏观双尺度模型,率先采用无网格方法对液晶聚合物在非均匀剪切流场中的微观结构进行了模拟研究.无网格方法精度高、稳定性好的特性保证了模拟结果的可靠性.研究了Deborah数对平板Poiseuille流中液晶聚合物微观结构的影响,预测出非均匀剪切流场中液晶聚合物的一种单一结构和五种复合结构.指出在复合结构的过渡区,分子运动具有不稳定性,可能产生瑕疵. 关键词： 液晶 微观结构 双尺度 无网格     

Bi系多芯丝超导带材的超导性能与微观组织分析

本文采用XRD和SEM技术分析了具有不同临界电流密度(Jc)的Bi系多芯超导带材.结果表明,样品中Bi-2223晶粒高度取向排列,其取向因子F值在0.947～0.977范围内.SEM分析结果发现,高Jc样品中在平行于带材平面的片状的Bi-2223晶粒的晶界处残留的杂质主要为CuO晶粒,它与Bi-2223晶体结合紧密.在低Jc 的样品中,Bi-2223晶片边界存在的杂质颗粒尺寸较大,其成分为(Sr,Ca)CuO和CuO的混合体.样品的横断面和纵断面的SEM观察发现,在高性能的样品中,芯丝烧结体的致密度较高.枝条状Bi-2223晶体穿过银层,在芯丝之间形成了很强的连接体.本文讨论了临界电流密度与微观组织的关系.     

基于特征值分析的多尺度结构优化设计方法

基于特征值分析，提出了多尺度结构优化设计方法.该方法被用于分析宏观结构上作用有最不利荷载时，使宏观结构刚度最大的宏观拓扑结构和微观材料分布.引入约束条件为最不利荷载的Euclid范数等于1，根据Rayleigh-Ritz定理，可以将结构的柔顺度转换为一个与局部荷载向量维数相同的对称矩阵，这样就将作用有最不利荷载的柔顺度最小问题转换为求解对称矩阵的最大特征值最小问题，同时最不利荷载可以通过最大特征值矩阵的特征向量求得.最后通过算例验证所提多尺度结构优化设计方法的有效性，并说明宏观拓扑结构和微观材料分布的合理性.所提出的多尺度优化方法具有迭代稳定、收敛迅速等特点.该文拓扑优化中密度函数的更新是基于灵敏度分析和移动渐近线方法（method of moving asymptotes，MMA）.     

Lambda Hypernuclei in a Chiral Hadronic Model

Nuclear matter calculations in a chiral hadronic model have been performed. It has been found that the scalar and the vector potentials and binding energies per nucleon in the chiral hadronic model are very close to those of the microscopic relativistic Brueckner-Hartree-Fock calculations. The good results for finite nuclei can be obtained in the mean field approximation only if scalar mass rns and coupling constant g8 have been improved with the fixed values of c^28 = g^28(M/rn8)^2 as those given by the original parameter sets of the chiral hadronic model. Then the chiral hadronic model is extended to lambda hypernuclei. Our results predicted by the chiral hadronic model are compared with those by the nonlinear Walecka model. It has been shown that the hadronic model can also be used to describe lambda hypernuclei successfully.     

Fabrication of Compound Lattice by Holographic Lithography

Some compound lattices in photonic crystals with large complete photonic band gaps, such as the diamond structure and the two-dimensional hexagonal compound structure, is desired for fabrication. A novel method for fabrication of compound lattices by holographic lithography is reported. The key point is phase modulation by photoelectrical control and multiple-exposure techniques. This technique introduces many advances: for instance,using the same coherent beams and without changing the position of the sample during multiple-exposure.     

宏观上把握,微观上调整

不等式是高中数学中的一块重要内容,也是教学的难点之一,学生在学习时普遍感觉难以把握,特别是和数列等知识模块的结合,更增加了其难度,往往这样的问题就会使得学生望而却步.那么数列不等式问题真的是难以解决,不可捉摸吗?其实,究其本质,勤于研究还是可以发现数列不等式问题也是有一定规律可循的.首先我们要看到不等式是等式的衍生,等式是一个恒等变形,不等式可以说是一个近似变形,有误差的非恒等变形.在解决数列不等式问题时放缩法是一种行之有效的方法,也是非常难以掌握的方法之一,有些放缩变形非常巧妙,看似出现得非常"突兀",好像是"横空出世",没有任何的先兆和逻辑路径.但是只要在宏观上把握,微观上调     

Microstructure and strain films using in-plane grazing analysis of GaN epitaxial incidence x-ray diffraction

This paper investigates the major structural parameters, such as crystal quality and strain state of （001）-oriented GaN thin films grown on sapphire substrates by metalorganic chemical vapour deposition, using an in-plane grazing incidence x-ray diffraction technique. The results are analysed and compared with a complementary out-of-plane x- ray diffraction technique. The twist of the GaN mosaic structure is determined through the direct grazing incidence t of （100） reflection which agrees well with the result obtained by extrapolation method. The method for directly determining the in-plane lattice parameters of the GaN layers is also presented. Combined with the biaxial strain model, it derives the lattice parameters corresponding to fully relaxed GaN films. The GaN epilayers show an increasing residual compressive stress with increasing layer thickness when the two dimensional growth stage is established, reaching to a maximum level of-0.89 GPa.     

在微观光阱中高效装载两个原子

近年来,微观光偶极阱操纵单个冷原子已成为包括量子信息处理在内多种原子物理实验的一种新的且行之有效的实验平台。人们希望能够完全操纵每个阱中单个原子的内部和外部自由度,以及阱中被囚禁原子的确切数目。