冲击波处理45钢的微结构研究

 利用二级轻气炮驱动弹丸的高速碰撞，向45钢材料试件中传入冲击波。利用显微硬度计、扫描电镜与透镜电镜，观察冲击波处理后45钢的显微硬度和细微观组织结构。观察分析结果表明，冲击波引起了45钢中珠光体内片状渗碳体的孪晶，并在铁素体内造成高密度的位错与位错胞。在铁素体中，除α相外，还观察到另外一个相，这个相有待进一步辨别。     

SrBi2Ta2O9铁电薄膜微结构及其抗疲劳等铁电特性的研究

在低温Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上用脉冲准分子激光沉积技术结合氧气氛下７００℃退火获得高质量的ＳＢＴ薄膜，其择优取向为（００８）和（１１５）．薄膜厚度约为２００ｎｍ．铁电性能测试显示较饱和的、方形的电滞回线，其剩余极化和矫顽电场分别为１０μＣ／ｃｍ２和５７ｋＶ／ｃｍ，在１０１０次开关极化后没有显示任何疲劳，在５Ｖ直流电压下的漏电流密度约为４×１０－８Ａ／ｃｍ２，直流击穿电场约为２５０ｋＶ／ｃｍ．     

物理汽相沉积薄膜的微结构和内应力

文章综述的内容为：（１）物理汽相沉积（ＰＶＤ）薄膜的微结构；（２）ＰＶＣＤ薄膜的内应力；（３）膜的微结构和内应力的关系，着重介绍制备参数对结构、内应力和再会得之间的主要联系的影响，提出了确立两者的联系还需进一步研究的问题和优化微结构和内应力的一个途径－－梯度膜。     

Characteristics of Photoelectron Decay of Silver Halide Microcrystal Illuminated by a Short Pulse Laser

A YAG supershort pulse laser (355nm,35ps) is used as an exposure source and the microwave dielectric spectri, technique is used to quickly detect the photoelectron decay process in AgX microcrystals,because the free photoelectron lifetime and decay process can decide the sensitivity and other efficiencies of silver halide material.The result shows that the free photoelectron average lifetimes of Kodak-100 and Fuji-100 colour film samples are 8.5 and 9.5 ns,respectively.     

Microstructure and optical properties of Ge films prepared by ion beam assisted deposition

Germanium （Ge） films are prepared on BK7 glass and multispectral zinc sulfide （m-ZnS） substrates by ion beam assisted deposition （IBAD）. The effects of substrate temperature, deposition rate, and ion energy on the microstructure and optical properties of the films are investigated. It can be concluded that Ge film deposited with higher rate or ion energy has more optical absorption, while ion energy below 150 eV helps to reduce film absorption. Film refractive index increases with film deposition rate and bombardment ion energy while it is below 300 eV. And higher growth rate or bombardment ion energy can weaken film diffraction intensity.     

YBCO中微结构对Jc的影响及机制

本文揭示了YBa₂Cu₃O_7-x超导陶瓷材料中微结构特征参量与临界电流密度(J_c)以及Cu-O面行为之间的关系.实验用3个样品的T_c均为90K,但他们的J_c分别为30,300和2000A/cm².结果表明,l/w≥3晶粒数,含畴晶粒数和平直晶界数这3个微结构特征参量,在YBCO超导材料中起着重要作用.研究结果还表明,这些微结构特征参量与结构中二维Cu-O面的行为密切相关,并且也是解释微结构影响J_c原因的关键.     

热处理温度对纳晶TiO_2微结构和光催化活性的影响(英文)

以丙烯酸修饰的钛酸丁酯为前躯体,采用溶胶 凝胶法制备纳晶TiO2.用XRD,TEM,BET以及TG DTA考察了热处理温度对纳晶TiO2微结构的影响.测试结果表明,热处理温度对样品的微结构以及光催化活性有很大的影响.采用溶胶 凝胶法制备纳晶TiO2的最佳焙烧温度范围为400～600℃,低于400℃样品中的有机成分难以彻底消除且样品的结晶度不高;高于600℃,TiO2颗粒存在明显的热团聚,使晶粒尺度变大,粒径分布不均以及比表面积显著降低,这些因素都会造成样品活性降低.     

热处理温度对BaFe12O19粉体微结构和磁性的影响

永磁铁氧体;热处理温度对BaFe12O19粉体微结构和磁性的影响     

液晶相变的微结构研究

用正电子湮没和差示扫描量热(DSC)变温测量液晶(EBBA)样品的正电子湮没寿命谱及DSC曲线,结果表明正电子湮没的短寿命(τ_s)基本不变,而长寿命(τ₁)和强度(I₁)明显地有两次跳变,其跳变的温度范围与DSC所测定的相转变温度范围基本一致,在加热和冷却过程中样品在晶体相←→向列相之间的相互转变的相转变温度范围显著不同。用正电子湮没的ORE模型讨论了由于液晶相转变所引起的微结构变化,从而提出正电子是研究液晶(EBBA)相变的探针。 关键词：     

利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构

采用x射线小角散射（SAXS）技术研究了由射频等离子体增强化学气相沉积（rf-PECVD）、 热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体助热丝化学气相沉积(PE-HWCVD)技术制备的微晶硅（ μc-Si:H）薄膜的微结构.实验发现，在相同晶态比的情况下，PECVD沉积的μc-Si:H薄膜微 空洞体积比小，结构较致密，HWCVD沉积的μ-Si:H薄膜微空洞体积比大，结构较为疏松，PE -HWCVD沉积的μc-Si:H薄膜，由于等离子体的敲打作用，与HWCVD样品相比，微结构得到明 显改善.采用HWCVD二步法和PE-HWCVD加适量Ar离子分别沉积μc-Si:H薄膜，实验表明，微结 构参数得到了进一步改善.45°倾角的SAXS测量显示，不同方法制备的μc-Si:H薄膜中微空 洞分布都呈各向异性.红外光谱测量也证实了SAXS的结果. 关键词： 微晶硅薄膜 微结构 微空洞 x射线小角散射