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161.
表面修饰的钛酸钡纳米粉体的制备 总被引:1,自引:0,他引:1
采用水热法制备出表面包裹有硬脂酸的钛酸钡纳米粉体,并运用一系列手段对其微结构进行了表征.结果表明:产物粒径较小,粒度分布较窄,单分散性较好,其表面为非极性,同时表现出良好的流动性能.认为钛酸钡纳米粉体表面极性的改变是由于其表面包裹了一层硬脂酸,并且包裹层降低了粉体间的相互作用力,从而提高了粉体的流动性. 相似文献
162.
研究了掺杂纳米硅薄膜(nc∶Si∶H)中的电子自旋共振(ESR)及与之相关的缺陷态.样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成,为两相结构,即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中.对掺磷的nc-Si∶H样品,测量出其ESR信号的g值为1.9990—1.9991,线宽ΔHpp为(40—42)×10-4T,ESR密度Nss为1017cm-3数量级.对掺硼的nc-Si∶H样品,其ESR信号的g值为2.0076—2.0078,ΔH关键词:
纳米硅薄膜
微结构
电子自旋共振 相似文献
163.
164.
165.
采用分子动力学方法对六种不同冷速对原子尺寸相差较大的液态合金Ca50Znso凝固过程中微观结构演变的影响进行了模拟研究,并采用双体分布函数、Honeycutt—Andersen(HA)键型指数法、原子团类型指数法(CTIM一2)、可视化等方法进行了深入分析,结果表明:系统存在一个临界冷速,介于和5×10^11K/s与1×10^11K/s之间,在临界冷速以上(如1×10^11K/s,1×10^11K/s,1×10^11K/s和5×10^11K/s)时,系统形成以1551,1541,1431键型或二十面体基本原子团(12012000)等为主体的非晶态结构;在临界冷速以下时,系统形成以1441和1661键型或bcc基本原子团(1460800)为主体(含有少量的hcp(1200066)和fcc(12000120)基本原子团)的部分晶态结构.在非晶形成的冷速范围内,其总双体分布函数的第一峰明显分裂成与近邻分别为Zn—Zn,Ca—Zn,Ca—Ca相对应的三个次峰;且随着冷速的下降,同类原子近邻的次峰峰值升高、异类原子近邻的次峰峰值下降;Zn原子容易偏聚,随着冷速降低,二十面体的数量增多,非晶态结构也越稳定.在晶态形成的冷速范围内,Zn原子己大量偏聚形成大块bcc晶态结构,Ca原子也部分形成hcp和fcc晶态结构. 相似文献
166.
167.
报道了利用800nm飞秒激光脉冲在多孔微结构光纤中产生超连续谱展宽的现象,连续谱展宽范围为440—890nm.基于标量波近似理论对微结构光纤包层的有效折射率和基模的有效面积以及光纤的色散特性进行了计算,发现微结构光纤具有特殊的控制色散和波导特性的能力,对超连续谱展宽的机理进行了初步解释.本文的理论分析和实验结果有较好的一致性,认为即使包层由无序填充气线组成的多孔微结构光纤也可以出现超连续谱展宽效应.
关键词:
多孔微结构光纤
超连续谱
有效折射率
色散 相似文献
168.
采用蒙特卡罗模拟方法研究了微结构参数、填充致密度等因素对沟槽型微结构半导体中子探测器(MSND)性能的影响规律,并开展了沟槽型MSND的优化设计研究。研究表明,随着沟槽间距的增加,MSND的探测效率呈下降趋势;当沟槽间距固定时,存在最优的沟槽宽度使得探测效率最大化;沟槽深度越大,探测效率越高。沟槽宽度和沟槽间距为15μm和5μm是一对优化的参数组合,可保证较高的探测效率和较平稳的系统甄别阈-探测效率曲线。当系统甄别阈取300keV时,沟槽宽度、间距和深度分别为15,5μm和200μm时的MSND热中子本征探测效率可达37.77%,与平面探测器相比提高了9.2倍;对137 Cs源662keV伽马射线的中子-伽马射线甄别比可达4.1×103,与平面探测器相比提高了23.7倍。本工作从理论上证明了MSND可解决传统平面型半导体中子探测器探测效率低的难题,同时可保持半导体探测器中子-伽马射线甄别容易的特点。 相似文献
169.
采用熔体旋甩法结合放电等离子烧结技术(MS-SPS)制备了p型填充式方钴矿化合物Ce0.3Fe1.5Co2.5Sb12,研究了熔体旋甩工艺对微结构以及热电性能的影响规律.结果表明,较高的铜辊转速和较低的喷气压力有利于提高熔体的冷却速率,使带状产物晶粒细化.薄带经SPS烧结后得到致密、基本单相、晶粒尺寸均匀细小(150—300 nm)的块体.与传统方法制备的试样相比,MS-SPS试样虽然电导率有所降低,但因具有较大的Se
关键词:
熔体旋甩
p型填充式方钴矿化合物
微结构
热电性能 相似文献
170.
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的highelectronmobilitytransistors(HEMT)和Pseudomorphichighelectronmobilitytransistors(PHEMT)结构深中心行为.样品的DLTS谱表明,在HEMT和PHEMT结构的nAlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3)和俘获截面(10-16cm2)的近禁带中部电子陷阱.它们可能与AlGaAs层的氧含量有关.同时还观察到PHEMT结构晶格不匹配的AlGaAsInGaAsGaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动.其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具.
关键词:
分子束外延生长
高电子迁移率超高速微结构功能材料
深中心 相似文献