传像光纤、光纤面板及光锥制造新方法探索

利用高折射率光纤填充微结构预制棒孔洞的方法,制造直径70 mm、长度200 mm的大尺寸传像光纤预制棒,像素数为547.为提高传像元件的像素数,将预制棒先拉伸成直径约为30 mm的二次预制棒,通过切削、并熔后拉伸,得到像素数为3829的传像微结构光纤及其面板和光锥,其理论数值孔径为0.55.经初步测试发现,其传像效果良好.此方法利用微结构光纤技术制造传像光纤、面板和光锥,简单易行,成本低,能有效提高像素数,有望成为规模化制造高分辨率、高质量传像元件的新方法.     

研究固体微结构的X射线粉末衍射全谱图拟合方法

Ｘ射线粉末衍射全谱图拟合的Ｒｉｅｔｖｅｌｄ方法是一种有效的晶体结构和微结构的分析方法。本文介绍了Ｘ射线粉末衍射全谱图拟合的Ｒｉｅｔｖｅｌｄ方法的基本原理，综述了该方法中的线形分析、校正及其在晶体结构分析、微结构分析、相定量分析和衍射图谱指标化等方面应用的最新进展。文章最后介绍了在实验方案选取方面的新概念     

(Zr,V)N复合膜的结构、力学性能及摩擦性能研究

通过非平衡磁控溅射的方法制备了不同V含量的(Zr,V)N复合薄膜, 采用EDS, XRD, XPS, 纳米压痕仪和摩擦磨损仪等对薄膜的化学成分、微结构、力学性能及摩擦性能进行了研究. 结果表明, V的加入虽未改变ZrN的fcc晶体结构, 但使薄膜的择优取向由ZrN的(200)面转变为(Zr,V)N的(111)面. 随着V含量增加, (Zr,V)N复合膜的硬度略有升高后缓慢降低, 并在含25.8 at.%V后迅速降低. 与此同时, 薄膜的常温摩擦系数亦有小幅降低. 高温摩擦研究表明, (Zr,V)N薄膜在300 ℃时出现V₂O₃, V₂O₅ 在500 ℃后形成, 其含量也随温度的提高而增加. 薄膜的摩擦系数因V₂O₅ 的形成而得到显著降低. 关键词： (Zr,V)N 薄膜 微结构 力学性能 摩擦性能     

BaFe12O19包覆γ—Fe2O3复合磁粉的微结构及其磁性能研究

采用表面包覆法合成了一系列不同包覆量的ＢａＦｅ１２Ｏ１９－γ－Ｆｅ２Ｏ３复合磁粉,以Ｘ射线衍射为主要测试手段,仔细分析了不同包覆量下复合粒子的结构。研究表明;由于高温下离子在扩散作用,使得在ＢａＦｅ１２Ｏ１９和γ－Ｆｅ２Ｏ两相之间形成了一层过渡层,正是由于过渡层的存在,致使复合粒子的磁性能随ｘＢａＦｅ１２Ｏ１９的变化有一定滞后。     

用于MiniLED背光模组的亮度增强薄膜设计与制备

传统的两层棱镜膜对于MiniLED背光的增亮效果不明显,因此设计了一种微结构薄膜来代替两层棱镜膜。首先,根据MiniLED背光的配光曲线及尺寸,对微结构进行分段设计。将与MiniLED芯片等宽区域设定为顶角90°的棱柱结构,对2个MiniLED芯片之间的区域,将MiniLED芯片作为扩展光源,芯片2个端点发出的光束到达微结构底面会形成一个夹角,将夹角的角平分线处光线准直到轴向方向,结合Snell定律进行计算,得到棱柱微结构倾角。然后,通过LightTools仿真软件对单个微结构及微结构阵列分别进行了建模和仿真,仿真结果表明:加微结构薄膜后的轴向视角亮度相比于加两层棱镜膜提升了31.3%。最后,通过无掩模光刻设备对设计的微结构薄膜进行加工制备,并对样片进行测试。实测结果表明:加微结构薄膜后的轴向视角亮度相较于加两层棱镜膜提升了25.7%。实现了针对MiniLED背光模组的亮度增强设计。     

基于双向长短期记忆网络的太赫兹光谱识别

特征提取是太赫兹光谱识别的关键处理步骤,通常利用降维方法作为特征提取手段。然而,当一些化合物的太赫兹光谱曲线整体差异度较小时,降维方法往往会缺失样本差异的重要特征信息,从而导致分类错误。如果不采用降维方法提取特征,传统机器学习分类算法对维数较高的原始太赫兹光谱数据又不能很好的分类。针对此问题,提出了一种基于双向长短期记忆网络（BLSTM-RNN）自动提取太赫兹光谱特征的识别方法。BLSTM-RNN作为一种特殊的循环神经网络,利用其LSTM单元可以有效解决原始太赫兹光谱数据维数较高使得模型难以训练问题。再结合模型的双向频谱信息利用架构模式,可以增强模型对复杂光谱数据自动提取有效特征信息的能力。采用三类、15种化合物太赫兹透射光谱作为测试对象,首先利用S-G滤波和三次样条插值对Anthraquinone,Benomyl和Carbazole等十五种化合物在0.9～6 THz内的太赫兹透射光谱数据进行归一化处理,然后通过构建一个具有双向长短期记忆的循环神经网络对太赫兹光谱的全频谱信息进行自动特征提取并利用Softmax分类器进行分类。通过试验优化网络结构和各项参数,最终获得了针对复杂太赫兹透射光谱数据的预测模型,并与传统机器学习算法SVM,KNN及神经网络算法MLP,CNN进行对比实验。结果表明,dataset-1和dataset-2分别作为差异度较大和无明显峰值特征的五种化合物太赫兹透射光谱数据集,其平均识别率分别为100%和98.51%,与其他方法相比识别率有所提高;最重要的是,dataset-3作为5种化合物谱线极为相似的太赫兹透射光谱数据集,其平均识别率为96.56%,与其他方法相比识别率提高显著;dataset-4作为dataset-1,dataset-2和dataset-3的透射光谱数据集集合,其平均识别率为98.87%。从而验证了BLSTM-RNN模型能自动提取有效的太赫兹光谱特征,同时又能保证复杂太赫兹光谱的预测精度。在选择模型训练优化算法方面,使用Adam优化算法要好于RMSProp,SGD和AdaGrad,其模型的目标函数损失值收敛速度最快。同时随着模型训练迭代次数增加,相似太赫兹透射光谱数据集的预测准确率也不断提升。可为复杂太赫兹光谱数据库的光谱识别检索提供一种新的识别方法。     

我国半导体物理研究进展

简单地回顾了近年来我国半导体物理研究的进展,它包括三个方面,半导体超晶格、微结构;半导体表面、界面和杂质、缺陷;以及半导体新材料、新结构,这些进展说明,半导体物理研究在当代物理学和高技术的发展中都占有突出的地位,它仍是一门年轻的、富有生命力的学科,预期在将来有更大的发展。     

生长于微结构内点状结构的成核热力学

研究了汽相沉积过程中的衬底表面凹结构的成核热力学,指出可以通过衬底表面微结构设计来控制成核过程以实现点状结构的生长．计算了凹结构内的临界核形成能,表明与平面相比成核优先在凹结构发生．考虑凹结构的“等效势阱”效应,发现凹结构内稳定原子团的生长速率远远大于平面处稳定原子团的生长速率． 关键词：     

沟槽型硅微结构中子探测器的蒙特卡罗模拟研究

采用蒙特卡罗模拟方法研究了微结构参数、填充致密度等因素对沟槽型微结构半导体中子探测器(MSND)性能的影响规律,并开展了沟槽型MSND的优化设计研究。研究表明,随着沟槽间距的增加,MSND的探测效率呈下降趋势;当沟槽间距固定时,存在最优的沟槽宽度使得探测效率最大化;沟槽深度越大,探测效率越高。沟槽宽度和沟槽间距为15μm和5μm是一对优化的参数组合,可保证较高的探测效率和较平稳的系统甄别阈-探测效率曲线。当系统甄别阈取300keV时,沟槽宽度、间距和深度分别为15,5μm和200μm时的MSND热中子本征探测效率可达37.77%,与平面探测器相比提高了9.2倍;对137 Cs源662keV伽马射线的中子-伽马射线甄别比可达4.1×103,与平面探测器相比提高了23.7倍。本工作从理论上证明了MSND可解决传统平面型半导体中子探测器探测效率低的难题,同时可保持半导体探测器中子-伽马射线甄别容易的特点。