记忆效应之管见

记忆效应之管见王怀亮山西师大化学系０４１００４临汾一、前言记忆效应［１］（ｍｅｍｏｒｙｅｆｆｅｃｔ）是Ｊ．Ａ．Ｂｅｒｓｏｎ在１９６８年提出的，其含义是在一多步的碳正离子重排反应中，用构型上不相同的反应原料，经过首次异裂产生在结构上相同的碳正离子中间体...     

YBCO超导薄膜临界温度TC的直流测量方法的研究

国家超导中心组织啊四个单位对ＹＢＣＯ超导薄膜临界温度ＴＣ直流测试方法进行了研究。各单位测得的ＴＣ的变化系数小于１％。     

一种新型铂电阻温度计及其性能研究

中国计量科学研究院同云南仪表厂合作研制一种新型的套管铂电阻温度计，并对其作为较为详细的实验研究，研究结果如下：在水三相点，温度计的稳定性优于±０．３ｍＫ，在一周之内，复现性优于±０．１ｍＫ，１ｍＡ测量电流下自热不超过１ｍＫ，温度计在４．２Ｋ温度下的电阻比Ｗ小于５．９×１０＾－４，其标准偏差的绝对值不大于３×１０＾－８；而非一致性在８３Ｋ以上稍大，而在１７Ｋ－８３Ｋ间小于０．４ｍＫ，在其余温度范围均     

固体力学有限元体系的结构拓扑变化理论

本文是文[1]的继续.文[1]提出了杆件系统的结构拓扑变化理论和拓扑变化法本文将这一理论和方法推进到连续体有限元体系;且在此基础上揭示出有限元体系的一个新性质,称为基本位移之梯度的正交性定理,从而给出一套设计敏度的显式表达式,可直接用于计算.     

SU(2)×SU(2)准自旋模型和自洽解的对称性恢复方法——Ⅰ.严格解和HF近似

本文提出了一个含有两类相互作用的准自旋模型,讨论了模型Hamilton量在SU(2)×SU(2)基中的严格解、基态相变和波函数的K结构,并用此模型探讨了HF近似的有效性。     

C72,La2@C72几何结构和电子性质的计算研究

采用密度泛涵理论(density functional theory,DFT)中的广义梯度近似(generally gradient approximation,GGA)对富勒烯C72和内掺金属La富勒烯La2@C72三种同分异构体的几何结构和电子结构进行研究.发现在C72的三种同分异构体中,满足独立五边形规则(isolated-pentagon-rule,IPR)的C72(D6d)结构最为稳定;在La2@C72三种同分异构体中,有着两对两两相邻五元环(twofused-pentagon)的La2@C72(#10611)结构最为稳定,而满足IPR的La2@C72(D6d)的结构变成了最不稳定结构.从能级图和态密度图分析得知,笼子稳定性的变化与La原子的原子轨道与C72原子轨道之间的杂化有关.Mulliken电荷分析得知,La2@C72(#10611)的两个La原子共转移了约3个电子给C72,并且,它们几乎分布在整个C笼上,形成的电子结构为La23+@C3-72.净自旋分析得知,La2@C72(#10611)中La原子磁性完全淬灭.     

四角晶相HfO2(001)表面原子和电子结构研究

采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO₂)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明，t-HfO₂(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO₂(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次，表面原子的态密度更靠近费米能级(E_F)，价带往低能量处移动，并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO₂表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO₂(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少，表面原子周围的环境发生变化而引起的. 关键词： 密度泛函理论 2(001)')" href="#">t-HfO₂(001) 表面电子结构