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41.
微元法就是把物理过程分为无限多个无限小的过程加以研究,或把研究对象分为无限多个小部分(微元)作为研究对象的一种研究方法.微元的合理选取是应用微元法解决问题的关键.由于微元足够小,往往可以使研究对象产生本质的变化,如将非均匀分布转化为均匀分布,将变速运动转化为匀速运动、将变量转化为 相似文献
42.
綦建刚 《宁波大学学报(理工版)》2004,17(1):22-27
利用依赖于解的奇异非线性时间变换,把奇异微分系统转换为非奇异的常微系统,建立了奇异微分系统初值问题解的(非)存在性和惟一性及多解的存在性.一阶和二阶奇异微分方程的初值问题的应用结果与Petio(2000)和Agarwal(1999)的结果相比,条件简单容易验证,且结论更详细。 相似文献
43.
陈晓雷 《南昌大学学报(理科版)》2004,28(2):130-132
证明了一致u0-凹算子A满足一定条件时,迭代列xn=Axn-1(n=1,2,…)能以很快的速度收敛于算子方程Ax=x的正解x*. 相似文献
44.
本文运用信息保存法对低速二维的流动现象进行模拟,考察了低速条件下的有限平板绕流以及微槽道气体流动问题。研究表明:在对低速流动的模拟过程中,运用IP法在能够获得较好的结果的同时,具有比DSMC方法更高的计算效率。 相似文献
45.
46.
The dynamic behaviour for nanoscale electrostatic actuators is studied. A two parameter mass-spring model is shown to exhibit a bifurcation from the case excluding an equilibrium point to the case including two equilibrium points as the geometrical dimensions of the device are altered. Stability analysis shows that one is a stable Hopf bifurcation point and the other is an unstable saddle point. In addition, we plot the diagram phases, which have periodic orbits around the Hopf point and a homoclinic orbit passing though the unstable saddle point. 相似文献
47.
由于腔模与激子对压力的依赖关系不同,所以可以选择不同的压力使激子和光场处于不同的耦合状态,从而实现对耦合的调谐。利用这种办法,我们观测到了代表激子与光场强耦合作用的Rabi分裂。由于在我们现有样品结构中压力对激子本征行为的影响很小,与以前报道的温度、电场等调谐方式相比,这种调谐方法不仅可以有效地调谐半导体微腔内激子与腔模的耦合程度,而且能够保持激子的本征性质在整个调谐过程中基本不变。这有助于研究在强耦合过程中激子极化激元的本征性质。将实验结果与压力下激子与腔模耦合理论进行拟合,得出了正确的Rabi分裂值。 相似文献
48.
利用集值映射不动点定理及最优化问题与变分不等式的关系给出线性G^↑ateaux可微的锥凸映射的广义有效点的一个存在性定理。 相似文献
49.
50.
Modified Photoluminescence by Silicon-Based One-Dimensional Photonic Crystal Microcavities
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photoluminescence (PL) lrom one-dimensional photonic band structures is investigated. The doped photonic crystal with microcavitles are fabricated by using alternating hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H/a-SiNy:H) layers in a plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) chamber. It is observed that microcavities strongly modify the PL spectra from active hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H) thin film. By comparison, the wide emission band width 208nm is strongly narrowed to 11 nm, and the resonant enhancement of the peak PL intensity is about two orders of magnitude with respect to the emission of the λ/2-thick layer of a-SiNx:H. A linewidth of Δλ=11 nm and a quality factor of Q=69 are achieved in our one-dimensional a-SiNz photonic crystal microcavities. Measurements of transmittance spectra of the as-grown samples show that the transmittance resonant peak of a cavity mode at 710nm is introduced into the band gap of one-dimensional photonic crystal distributed Bragg reflector (DBR), which further verifies the microcavity effects. 相似文献