钶铁矿型MnNb2O6的熔盐法合成、钒掺杂与磁性研究

采用了熔盐法新工艺制备了纯相与掺钒的MnNb₂O₆粉晶,利用X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),能谱分析(EDX),透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和电子衍射(SAED)分析了其物相、形貌及微结构.结果表明合成产物为正交晶系钶铁矿型MnNb₂O₆;在不同的熔盐中合成出了棒状、片状与长方体形貌的纯相产物.讨论了温度与掺杂对结构与形貌的影响,HRTEM与SAED分析表明了产物的各向异性生 关键词： 熔盐法 结构与形貌 掺杂 反铁磁性     

无零级衍射干扰的彩色数字全息研究

彩色数字全息研究中,用球面波为重建波及角谱衍射公式进行波前重建是一种有效的方法.然而,重建图像上通常伴有强烈的零级衍射干扰.本文通过理论分析,对波前重建过程作了重要改进.用改进后的方法进行彩色数字全息的实验研究表明,重建彩色图像的质量获得显著改善. 关键词： 彩色数字全息 波前重建 零级衍射干扰     

一种测量多相流流型的ECT图像重建算法

提出了一种新的电容层析成像图像重建算法-IMNSNOF算法.该算法在分析极小范数解的基础之上针对ECT逆问题的特点对其进行改进,并利用奇异值分解定理证明这种改进的数值稳定作用.在此基础上建立新的日标泛函,并在求解该泛函的过程中采用正则技巧对其进行改进确保数值解的稳定性.利用非闭合电极ECT传感器实测了多相流沿流向的流型...     

中子半影成像的计算机断层重建技术

实际用于中子半影成像重建的方法都是线性方法,而计算机断层重建是一种能够用于中子半影成像重建的新方法.介绍了中子半影成像的断层重建原理,将半影成像的诊断图像沿径向等角度提取、微分后就可以使用断层重建方法重建.给出了使用卷积反投影方法重建不同噪声诊断图像的结果,并分析了断层重建的优缺点.重建结果表明,断层重建方法能够重建出...     

Convergence results of Landweber iterations for linear systems

The Landweber scheme is a method for algebraic image reconstructions. The convergence behavior of the Landweber scheme is of both theoretical and practical importance. Using the diagonalization of matrix, we derive a neat iterative representation formula for the Landweber schemes and consequently establish the convergence conditions of Landweber iteration. This work refines our previous convergence results on the Landweber scheme.     

荧光相位成像的光束扫描法

利用计算机控制振镜进行光束扫描，用锁相放大器进行增益调制与相位调节，最后再用计算机重建图像，实现钛宝石和红宝石的相位成像。分别完成了激发光和荧乐相移为π／１２、π／１４和７π／１２的成像，分析了系统的时间分辨率和空间分辨率，提出了实用化发展的方向。     

粘弹性介质中波场重建方法

传统的波动方程波场重建基于完全弹性介质，不能获得满意的地震资料分辨率，本基于能描述大地吸收弹性介质中地震波传播的斯托克斯波动方程．提出了一种新的多尺度粘弹性波动方程波场重建的方法，根据地震波传播核函数的物理特性，研究了一种新的物理小波，提出了小波多尺度波场重建方法。达到对吸收信息的补偿，提高地震资料的分辨率。     

THF-FER沸石的系列研究Ⅲ.晶体结构

用SEM,HRTEM,SAED和XRD拟合等方法研究了在四氢呋喃(THF)-Na2O-SiO2-al2O3-H2O体系中水热合成的高硅Na-THF-FER沸石的晶体结构、孔道定向,以及不同因素对晶胞体积的影响.通过与全硅FER沸石和K-Na-FER沸石对比实验证明,片状的THF-FER沸石晶体与全硅FER沸石晶体骨架结构及晶体生长择优取向相同,其空间群为Pnnm.     

铅掺杂对锡电沉积物形貌的影响

采用电化学沉积，配合扫描电镜(SEM)、电子探针微分析仪(EPMA)、金相等分析技术，研究了纯Sn及Pb0.1Sn0．9的二维沉积物的显微形貌和微结构，结果表明：由于晶粒生长的择优取向，纯锡的沉积物是规则的枝晶结构；铅掺杂削弱了锡晶粒生长的择优取向性，导致枝晶主干分叉，形成“之”字形枝晶结构，为结晶学因素对生长形貌的影响提供了一个实验证据。     

InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究

降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法，本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上，经过钝化和低温两个特殊工艺条件，在高温CaN表面生长了一层低温岛状GaN．形成表面形貌的起伏，进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其徽观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明：InGaN量子点为平均直径约30nm、高度约25nm、分布较均匀的圆锥，其密度约10^11cm^-2。室温下，InGaN量子点材料的PL谱强度大大超出相同条件生长的InGaN薄膜材料。这些现象表明，用InGaN量子点代替普通InGaN薄膜．有望获得发光效率更高的GaN基发光器件。