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21.
ICP-AES测定高纯碲中11种杂质元素   总被引:2,自引:0,他引:2  
电感耦合等离子体原子发射光谱法 (ICP- AES)同时测定高纯碲中 11种杂质元素。用离峰扣背景法消除背景干扰 ,检出限能满足高纯碲中杂质元素的测定要求 ,加标回收率在 94 .0 %— 10 8%之间。  相似文献   
22.
微波消解-ICP-AES同时测定维吾尔医药中多种元素含量   总被引:2,自引:1,他引:2  
为了解维吾尔医药的药效与微量元素之间的关系,用ICP-AES同时测定了5种维吾尔医药中的10种微量元素,用微波消化法处理样品,进行了方法的准确度和精密度试验,方法简便、快速,准确,结果令人满意。  相似文献   
23.
凌雪峰  殷世民 《光谱实验室》2005,22(6):1196-1199
提出了日本岛津1000型ICP改造后的软件设计方法,详细介绍了核心控制程序软件、服务程序框图和终端操作界面,阐明了标定放大系数、制作校准曲线的原理和方法。为该种大型精密光学仪器的改造做了有益的尝试。  相似文献   
24.
ICP-AES测定Ni-Cr合金在人工唾液中析出的Ni离子   总被引:2,自引:0,他引:2  
在模拟口腔环境下用人工唾液浸泡Ni-Cr桥,150h后采用ICP-AES测定Ni-Cr桥在人工唾液中的Ni离子析出量.镍在0.01-7.5μg/mL内有良好的线性关系,相关系数为0.9998;方法检出限为0.0059μg/mL;标准加入法测定镍的回收率为92.3%-99.8%.  相似文献   
25.
正受中国光学学会委托,中国光学学会光学测试专业委员会订于2014年10月下旬在江西南昌召开第十五届全国光学测试学术交流会,本届会议由南昌航空大学承办。本届年会适逢十二五项目实施的关键阶段,将特邀院士与国内著名专家做大会报告,广泛欢迎全国从事光学及光电测试等相关领域的科技人员参加,交流十二五阶段的学术研究、技术开发的新进展,研讨新动态、新领域,同时欢迎公司企事业单位到会展示技术成果,洽谈产、学、研合作。一、关于征文内容(1)光学元件(普通元件、非球面元件、自由曲面元件、二元光学元件、天文光学镜面、梯度光学元件、离散光学元件,光栅元件等)的性能参数测试;(2)光学系统的成像质量评价与测试方法;(3)光学材料(玻璃、晶体、光学塑料、微纳结构与特种功能材料)特性参数测试;(4)光学薄膜特性参数  相似文献   
26.
ICP-AES测定7种花茶中8种微量元素的含量和溶出率   总被引:1,自引:1,他引:1  
汤长青  朱芳坤 《光谱实验室》2010,27(4):1415-1418
采用微波消解样品,电感耦合等离子体-原子发射光谱法测定了金银花、玫瑰茄、玉蝴蝶、仙人草、菊花、薰衣草、腊梅等7种花茶中Fe、Mn、Cu、Zn、Ni、Cr、Cd和Pb等元素的含量及其溶出率。结果表明,花茶中Fe含量较高,重金属Cr、Cd和Pb含量普遍较低,花茶中Cu、Zn、Mn和Ni的溶出率相对较高,Fe的溶出率较低,有害的重金属Cd、Pb和Cr的溶出率很低,此测定结果可为探讨花茶的保健作用与微量元素的相关性提供科学数据。  相似文献   
27.
采用X射线荧光(XRF)、电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)和X射线衍射(XRD)对不同来源藏药珠西中的元素成分和结构组成进行测定,以期揭示其药理作用的物质基础。XRF和ICP-OES分析结果表明,藏药珠西中主要元素为Fe,S和O,及少量的Si,Na,Mg,Al,K,Ni,Ca,Ti等元素。XRD分析表明,藏药珠西中主要存在立方晶系FeS2,此外还含有少量的斜方晶系Fe+3O(OH)等。通过XRF,ICP-OES和XRD分析,获得了藏药珠西的化学成分和结构组成基本数据,为其药理作用物质基础的揭示和质量标准的制定提供了科学依据。  相似文献   
28.
利用全谱直读ICP-AES分析技术,对试样处理方法、元素分析谱线、基体干扰、背景校正、仪器分析参数等进行了研究,综合确定了最佳实验条件。将钴酸锂试样用硝酸、高氯酸处理后,再用盐酸与硝酸溶解残渣,ICP-AES同时测定铜、铁、镍、锰、铂、铋、铅、金、铝、镉、钯、锡、砷等13个杂质元素。样品加标回收率为85.2%—113.0%,相对标准偏差为1.0%—7.7%。方法操作简便、快速、准确。  相似文献   
29.
设计了电源频率可调的单相交流电产生的旋转磁场实验仪,应用该仪器可测量电感、损耗电阻、转速等  相似文献   
30.
利用PIC (particle-in-cell) 方法,结合实验装置的几何结构和实验结果,采用动态开关模型,对微秒等离子体断路开关和电感负载间的功率流特性进行了研究。模拟得到了与实验结果符合较好的开关电压和负载电流波形,并给出了开关下游出现的稀薄等离子体的密度(约1012 cm-3)和速度(约1 cm/ns), 同时也得到了开关下游的空间电流分布。模拟结果表明,开关下游的结构应避免阻抗突变以减少电流损失,同时提高开关阻抗可有利于提高负载上的最大功率。  相似文献   
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