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21.
弱拓扑和强可容许拓扑之间的一个关系 总被引:2,自引:0,他引:2
本文对局部凸空间X及其对偶X′,建立了弱拓扑σ(X,X′)和强拓扑β(X,X′)之间的一个新关系,改进了有关(X,X′)--可容许拓扑全体上的不变性结果。 相似文献
22.
李永祥 《数学物理学报(A辑)》2003,23(2):245-252
该文讨论四阶常微分方程边值问题u^(4)(t)=f(t,u,u″), t∈[0,1],u(0)=u(1)=u″(0)=u″(1)=0解的存在性, 其中f(t,u,v):[0,1]×R×R→R为Carathéodory函数. 在不限制f关于u,v的增长阶, 不假定f关于u,v的单调性的一般情形下, 用上下解方法获得了解的存在性结果,并讨论了单调迭代求解的有效性. 相似文献
23.
24.
T′相R2CuO4稀土铜氧化合物由于尺度效应而产生弱铁磁性行为已经被人们关注,报导了通过高温高氧压(6GPa,1000℃)合成稀土T′相R2CuO4(R=Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er和Tm)化合物的结构和磁学性能。磁化率曲线显示,在低温下所有的高压增氧R2CuO4样品都出现新的低温弱铁磁性反常行为,转变温度在28K附近。新的低温弱铁磁性行为是由于CuO2面上微量氧空穴的掺入,使处于反铁磁有序CuO2面形成局域化的铁磁性团簇造成。实验证明新发现的低温弱铁磁性行为与尺度效应产生弱铁磁性行为属于完全不同的物理机制。结果还预示T′相R2CuO4稀土铜氧化合物很难通过空穴掺杂而实现超导。 相似文献
25.
利用动力学蒙特卡罗方法模拟了异质外延超薄膜生长中的成核过程.研究了薄膜与衬底的晶格失配对超薄膜生长中成核密度、平均核尺寸、标度关系及生长模式的影响.结果发现产生压(张)应变的晶格负(正)失配使生长过程更早(迟)从成核区进入过渡区,失配越大,这一效应越明显.在相同的沉积条件下,负失配导致超薄膜形成较低的成核密度与较大的平均核尺寸,而正失配则相反.成核密度满足标度关系Ns≈(F/D)χ,随着失配度从-0.04增加到0.02,标度系数χ从0.37逐渐减小到0.33,对应超薄膜生长过程从包含二聚体扩散模式转变到无
关键词:
薄膜生长
成核
晶格失配
蒙特卡罗模拟 相似文献
26.
Structure and Photoluminescence of Nano-ZnO Films Grown on a Si (100) Substrate by Oxygen- and Argon-Plasma-Assisted Thermal Evaporation of Metallic Zn
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Nano-ZnO thin films were prepared by oxygen- and argon-plasma-assisted thermal evaporation of metallic Zn at low temperature, followed by low-temperature annealing at 300℃ to 500℃ in oxygen ambient. X-ray diffraction patterns indicate that the nano-ZnO films have a polycrystalline hexagonal wurtzite structure. Raman scattering spectra demonstrate the existence of interface layers between Zn and ZnO. Upon annealing at 400℃ for i h, the interface mode disappears, and photoluminescence spectra show a very strong ultraviolet emission peak around 381 nm. The temperature-dependent PL spectra indicate that the UV band is due to free-exciton emission. 相似文献
27.
本文是[1,12]的继续,研究描述架中概念的结构;本文讨论后半部分,内容涉及概念内涵与外延的转换,清晰关系的内投影与内变换,概念的结构*以及有关问题的注记。 相似文献
28.
该文利用算子半群的方法给出了取值于具有左不变度量的完备可分群的齐次Levy过程是复合Poisson过程的弱极限这一结论. 相似文献
29.
30.
OU型Markov过程的不变测度及弱对偶性 总被引:1,自引:1,他引:0
本文研究OU型Markov过程的不变测度、参考测度和弱对偶半群的存在性问题,并得出了不变测度的唯一性。 相似文献