解线性不等式的神经网络

本文提出两个解线性不等式的Hopfiedl-Tank型的神经网络。第一个网络模拟同时松弛投影方法，第二个网络是二次规划方法。当线性不等式的解集非空时，这两个方法都给出该线性不等式的解。同时我们还给出了这两个网络的数值模拟。     

Single Cell Element of Chalcogenide Randoul Access Memory Fabricated with the Focused Ion Beam Method

A singie cell element of chalcogenide random access memory was fabricated by using the focused ion beam method.The contact size between the Ge2Sb2Te5 Phase change film and the top electrode film is about 600nm (diameter) and the contact area is caiculated to be 0.28μm^2.The thickness of the phase change film is 83nm.The current-voltage characteristics of the cell element are studied using the home-made current-voltage tester in our laboratory.The minimum threshold current of about 0.6mA is obtained.     

非线性抛物型问题Galerkin逼近的整体超收敛性

假定Ω可以被剖分成满足逆性质的矩形网格T_h,剖分单元τ的最大直径为h,在T_h上构造连续的分片多项式空间     

控制颈部开口横截面积的可变共振型消声装置

以前,大多数消声器都是被动式的。而最近对主动式消声器的研究日益多起来了。主动式消声法可分两种方式:一种是采用扬声器等做附加声源,产生与应消去噪声的声压波形反相位的声压波形,使两者相互抵消的方式。这种方式,从理论上说,在相当宽的低频带范围具有消声能力。但是,实际上存在着附加声源的耐久性及其所产生低频波等有关问题。另一种是根据声噪声的频率特性调整消声器的形状方式。本文就是研究这种方式加上控制技术的可变共振腔消声法。这是根据周期性噪声的周期变化,改变共振型消声器的共振腔容积,使共振频率跟踪噪声的主要频率,让共振型消声器的消声能力最大限度地发挥出来。这     

假火花开关初始放电过程的理论计算

假火花开关具有耐压高、放电电流大及电流上升速率快的优点。本文利用流体模型及当地场近似，对其放电过程进行了理论计算。结果表明，在放电初始阶段，空心阴极效应起关键作用。同时，对不同初始条件（初始电子、离子密度不同）及不同边界条件（开关结构尺寸不同）的放电过程进行了计算。给出了放电时间、放电电流、最佳阴阳极距离和阴极孔尺寸大小。     

Nd：YVO4激光器腔内单晶体倍频及调Q技术研究

介绍了一种高效率腔内倍频及调ＱＮｄ：ＹＶＯ４激光器，激光器的Ｑ开关工作是通过一块腔内ＫＴＰ晶体实现的，该晶体同时用作倍频晶体，实现Ⅱ类相位匹配。在连续工作情况下，当泵浦功率８００ｍＷ时，得到１１５ｍＷ的绿光输出，光－光效率１４．４％，调Ｑ工作时，获得脉宽为５．４５ｎｓ，峰值功率为８４Ｗ的脉冲绿光，工作频率为１００Ｈｚ。     

关于Menger定理的推广的注

本文给出了一个图为Ｍｅｎｇｅｒ型的一个充分必要条件，利用这个条件，我们拓广了已知的Ｍｅｎｇｅｒ型图的类。     

在Kerr型介质中原子和场的性质

本文研究了在Ｋｅｒｒ型介质腔中经双光子辐射的二能级级联型原子和三能级级联型原子的动力学，在初始可干态下分别用有效效哈密顿量方法（含Ｓｔａｒｋ位移项）和全哈密顿量方法获得精确解，继而比较了原子的粒子数反转，光子统计分布，聚束与反聚束特性以及光场压缩性特性的数值结果，由此证明了在非线性介质的条件下，两种方法所获得结果类同，差异很小。     

Ge_xSi_（1－x）／Si异质结无间距定向耦合光开关模型分析

提出一种简便可行的ＧｅｘＳｉ１－ｘ异质结无间距定向耦合光开关（ＢＯＡ型－ＢｉｆｕｒｃａｔｉｏｎＯｐｔｉｃａｌＡｃｔｉｖｅ）模型分析方法。该方法采用等离子体包散效应分析了这种光开关的电学调制机理；采用异质结超注原理分析了开关的电学性质；并根据典单模脊形波导理论和上述分析，设计了利用双模干涉机制工作的Ｇｅ０．０５ＳＩ０．９５／Ｓｉ异质结ＢＯＡ型光开关的结构参数和电学参数。