论二次型与正交变换在重积分中的某些应用

二次型与正交变换是代数学的基本内容，其用途十分广泛，而重积分的计算往往存在技术性的困难，若利用“二次型”与“正交变换”的有关理论去解决某些重积分的计算问题是颇有功效的。本文将以“二型”与“正交变换”为工具，乘法的处理了一大批重积分的问题。     

一类潜热型功能液固两相流体的定压比热研究

应用两相流与热物理理论，严格推导出一类潜热型功能液固两相流体的定压比热计算公式．     

热传导方程的移动边界问题

热传导问题于高温条件下,往往是可移动边界问题.文献[1]尽述了金属丝烧蚀等物理过程所确定的移动边界问题的一种求解方法.本文讨论较一般的热传导方程可移动边界问题Fourier型存在的充分必要条件,且给出问题Fourier型解.     

高斯型空间光孤子相互作用的数值研究

 通过数值模拟的方法，对高斯孤子在对数型饱和非线性介质中的相互作用进行了研究，考查了两光束间的相对振幅和相对相位对其相互作用的影响。结果表明：高斯孤子之间的相互作用敏感地依赖于两光束间的相对振幅和相对相位。在不同的振幅差异范围内，光束间的主要作用交替地表现为相互排斥和相互吸引，并由于高斯孤子的不稳定性，导致了光束在碰撞后以一种尺寸周期性变化的呼吸模式传输。随着相对相位的增大，两光束间始终持续地表现出强烈的排斥作用，直到相对相位增加到一个2π周期之后。而且碰撞之后，光束也都以呼吸模式进行传输，其分离的角度越大，呼吸就越明显。     

滚动实验的另一种演示

介绍了另一种滚动演示实验,并对演示结果进行了理论分析和解释     

基于FPGA并行处理的实时图像相关速度计

研究制作了一种采用高速线阵CCD的实时相关速度计,其测量数据的输出速率可达每秒一万次。针对以往光学相关测速方法的问题进行了讨论,探讨了适合FPGA并行处理的算法,制作了高速线阵CCD摄像机及其处理装置。通过实验验证了系统的可行性和可实现性。     

Growth studies of m-GaN layers on LiAlO2 by MOCVD

This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on （200）-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition （MOCVD） method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer＇s thickness. The high transmittance （80%）, sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate.     

场协同理论在椭圆型流动中的数值验证

本文用数值模拟的方法，通过四个椭圆型流动传热的例子验证了场协同理论的正确性．结果表明，场协同理论不仅适合于抛物型流动，亦适合于复杂的有回流的椭圆型流动．     

Liénard型系统解的定性行为

该文讨论非线性系统 x＝1/a(h(y)-F(x)), y＝-a(x)g(x) (E)解的一些定性行为,获得了系统(E)为振动,全局渐近稳定,全局中心的充要条件和周期解的存在的充分条件.     

生长温度对碳纳米管阴极场发射性能的影响

碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30~60英寸(76.2~152.4cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高(750℃),CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论。