相对同伦满与相对同伦单的局部化

设ｆ：ＸＹ是相对同伦满或相对同伦单．本文考虑在什么条件下，它的ｐ局部化ｆｐ：ＸｐＹｐ也是相对同伦满或相对同伦单．ｐ是素数或零     

非均匀晶化Bi和Ba代替DyIG膜的法拉第效应研究

报道了快速循环晶化Ｂｉ和Ｂａ代替ＤｙＩＧ磁光膜的实验结果，发现在累加退火时间小于３分钟时（温度６５０～６８０℃）膜内部存在非晶区域和沿厚度晶化不均匀现象。导出晶相与非晶相界面法拉第角计算公式。计算结果表明，界面效应导致膜整体法拉第效应减弱。     

火焰原子吸收法测定CdSe薄膜晶体管中Cd与Se的化学组成质量比

比特纯CdSe为标样，用火焰原子吸收法（FAAS），分别测定CdSe薄膜晶体管（TFT）中Cd与Se的含量及化学组成质量比，分别验证了CdSe粉末总量测定值，CdSe粉末化学组成质量比测定值，薄膜样品测定值的准确度，其相对误差分别为0．42％－3．8％和－0．5％。分析了薄膜样品化学组成质量比及影响其匹配的因素。通过测定数据对TFT的质量提供评价，进而指导操作工艺的改进。本实验由于采用同一标样，被测物质与标准样品的组成和浓度基本相同，消除了元素间的相互干扰，提高了分析结果的准确度，并无需作干扰和回收率实验。     

计算分形结构分维数的微机实现

讨论了两种计算分形结构分维数的方法，相关函数法和改变粗视化程度法，编制并实现了相应的计算机程序，认为改变粗视化程度法适用于计算各种类型的分形图形的分维数，而相关函数法仅适用于分布均匀、各向同性较好的分形结构。     

液相性质对制备硫化物纳米级粒子化膜的影响

研究氯化锌浓度，溶液酸碱度，离子强度等底液性质及反应温度对化学反应法在不溶膜上制备纳米级硫化锌粒子化膜的影响，得出了一些规律并加以初步的解释。     

特征奇异积分方程的直接解法

通过引进基本特征方程和摹本化算子，研究厂带解析系数函数和核密度函数的特征奇异积分方程的直接解法，给山其可解的充要条件和解的封闭形式，本文采用的方法，不同于经典的边值问题解法，特征奇异积分方程无须化为等价的边值问题而实观真正意义上的直接求解。     

电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化

利用电感耦合等离子体CVD方法在350℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜.利用x射线衍射、紫外-可见分光椭圆偏振谱、原子力显微镜及x射线光电子谱等研究了薄膜的结构、表面形貌和成分分布等.结果表明，用这种方法制备的Si薄膜不但晶化程度高，而且具有良好的（111）结晶取向性，晶粒尺寸大于300nm，样品中无Al的残留.结合电感耦合等离子体的高电子密度特征讨论了低温生长过程中Al诱导Si薄膜晶化的机理. 关键词： 电感耦合等离子体CVD Al诱导晶化 Si薄膜 低温生长     

氧含量对Fe掺杂YBCO体系中载流子局域化与离子团簇效应的影响

对YBa₂Cu_3-xFe_xO_y（x=00，01，02 ）和YBa₂Cu_2.8Fe_0.2O_y（y=705—653 ）系列样品的氧含量、霍尔系数和超导电性进 行了系统的研究.结果表明，氧含量的变化对样品中载流子的输运和转移及超导电性有重要 影响；适当增加氧含量可以减缓Cu(1)位元素替代对超导转变温度T_c的抑制；在 CuO₂面上参与输运的载流子（空穴）浓度是影响样品超导电性的关键因素.从电 荷转移模型出发 ，结合掺杂离子引起的载流子局域化和离子团簇效应，对载流子浓度随掺杂量和氧含量的变 化从微观结构方面进行了讨论.元素替代量的增加或者氧含量的降低（相同替代量的情况下 ）都将导致Cu-O链区的有效氧空位增多，导致替代元素的离子团簇效应和载流子局域化效应 趋于增强，这是引起参与输运的载流子浓度下降，进而导致T_c降低的主要原因. 关键词： 氧含量 霍尔系数 载流子局域化 离子团簇效应