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根据密度泛函理论对钴掺硫化锌周围的品格进行了结构优化,计算得到了钴杂质周围的晶体结构、电子态密度分布和吸收光谱.计算结果表明,由于Co原子掺入ZnS晶格常数减小,导致晶格畸变;带隙变窄;吸收峰展宽至更长波长区域. 相似文献
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用温度场论方法计算了F-L模型在有限温度和密度下的状态方程,分析了压强对净重子数密度的等温线.结果表明,在平均场近似下,F-L模型所给出的退禁闭相变为一级相变. 相似文献
135.
用群的表示来讨论过渡金属化合物中心离子在不同对称场中d轨道分裂 ,并通过群链的分解 ,应用广义Wigner-Eckart定理来研究d轨道分裂能。然后进一步解释过渡金属二硫属化合物电子结构、电学性质的特点和宝石的致色机理 相似文献
136.
137.
Three New Diarylpropanes from Dioscorea composita 总被引:1,自引:0,他引:1
ShunLiYANG XiKuiLIU 《中国化学快报》2005,16(1):57-60
Three new diarylpropanes were isolated from the dried rhizomes of Dioscorea composita Hemsl., and their structures were determined as 1, 3-bis-(2-hydroxy-4-methoxyphenyl) propane (1), 1, 3-bis-(2, 4-dihydroxyphenyl)propane (2), 1-(2′-hydroxy-4′-O-β-D- glucopymnosy-phenyl)-3-(2“, 4“-dihydroxyphenyl)propane (3), by spectroscopic analysis, respectively. 相似文献
138.
本文在文[4]的基础上讨论了双重时序AR(1)-MA(q)模型的相关结构,在不假定白噪声序列为正态的情况下,证明了安鸿志[2]关于模型的相关结构的猜想是正确的,具体地构造了AR(1)-MA(3)模型的相关结构,并与ARMA模型进行了初步的比较,给出了一些抛砖引玉的讨论. 相似文献
139.
Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer: Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices 下载免费PDF全文
We propose a pseudo-spin-valve (PSV) trilayer using amorphous CoNbZr Mloy for soft magnetic layers. The giant magnetoresistance (GMR), domain structures and their variation upon thermal annealing are investigated. The GMR effect is not only stable up to 300℃ but also enhanced due to the improvement of the interfaces between Cu and magnetic layers. With high annealing temperature, the magnetoresistance (MR) ratio decreases rapidly as a result of serious layer interdiffusion. Dense stripe domains, which disappear after annealing at 300℃ for 1h, are observed in the sandwiched films. It is found that after patterning to elliptic stripe with aspect ratio of 6:1, the trilayers have a single domain and their MR ratio increases. The dynamic MR behaviour under an ac magnetic field indicates that the patterned stripes have good linear MR responses. Therefore, it is believed that the CoNbZr/Cu/Co PSV trilayers have strong potentials for spin-electronic devices including magnetic random access memory. 相似文献
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一种新型有机电致微腔结构的双模发射 总被引:4,自引:4,他引:0
采用结构Glass/DBR/ITO/NPB/NPB:Alq/Alq/Al制作了有机微腔电致发光器件。将空穴传输材料与发光材料以一定比例混合作为发光层,为了便于对比,在不改变有机层的膜厚的情况下同时制作了传统的异质结微腔器件,发现两种器件的发光光谱有很大不同,器件的复合效率与传统的异质结器件相比也得到了很大提高,这是因为将两种有机材料混合能消除界面势垒,提高器件的复合效率,从而提高了器件的发光性能,实现了微腔双模发射,且两个模式的半峰全宽分别为8nm和12nm。通过进一步优化器件结构可以实现微腔白光发射。 相似文献