EAST超导托卡马克装置中的大型超导磁体技术

随着大型超导核聚变装置、超导储能装置、超导强磁场装置及高能超导加速器技术参数的不断提高,大型超导磁体的应用也在加速发展中.大型超导磁体的场强较高、储能较大,对导体的结构、磁体结构、绝缘结构、制造工艺等要求与通常小型超导磁体有很大的不同.本文旨在对国家重大科学工程项目"EAST(HT-7U)超导托卡马克核聚变实验装置"的大型超导磁体关键技术作一介绍.     

Aligned ZnO Nanofibre Array Prepared by Vapour Transport in Air

An aligned zinc oxide nanofibre array has been fabricated by heating the mixture of ZnO, Ga2Oa, and graphite powders in atmosphere. The ZnO nanofibre showed a uniform size of about 150nm in diameter and 50μm in length. The nanofibres grew predominantly along one direction. Both x-ray diffraction (XRD) and Raman shift spectra show that the product is composed of ZnO with the typical hexagonal structure. The good crystallinity of these ZnO nanofibres has been verified by photoluminescence spectra with strong UV emission at 287nm and weak green band emission observed at room temperature. The component of the product was analysed by XRD,Raman shift spectrum, x-ray energy dispersion (EDX) and x-ray photoelectronic energy spectroscopy (XPS). The growth process and the characteristics can be interpreted by vapour-liquid-solid mechanism.     

导体与点电荷之间的相互作用能的一点讨论

不带电荷的导体移到点电荷的静电场中时,导体表面会产生感应电荷.我们证明对任意形状的导体,导体和点电荷之间的相互作用能是点电荷与其镜象电荷之间库仑作用能的1/2,并且对此结果给出一个非常简单的解释.     

ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃的光谱特性

对采用溶胶凝胶法制备的ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃的光谱性质进行了测试分析.UV-Vis透射光谱中观察到光吸收边相对于体相半导体有明显蓝移.稳态发射光谱(PL)中观察到ZnSe纳米晶体的位于蓝区的基本呈高斯分布的弱的最低激子发射峰、强而宽的表面态发光带以及对应杂质能级的三个锐峰发光.时间分辨荧光光谱(TRPL)中观察到发光效率高的最低激子发射峰,并测量其荧光衰减寿命,经尾部拟合为28.5 ps.同时,结合有效质量近似(EMA)模型,估计ZnSe纳米晶体的平均粒径介于2.45~3.60 nm之间,尺寸分布基本呈高斯型.     

也谈均匀带电细圆环的电场分布

用Mathematica研究均匀带电细圆环的电场的空间分布,准确地绘制出电场强度量值的分布图和电场方向的分布图,并纠正了最近文献中一幅场强量值分布图的失误.     

线电荷与接地半无限大导体板所形成的电场

将镜像法和保角变换法相结合,计算由线电荷与接地半无限大导体板所形成的电场,给出其电势分布和场强分布,进一步得出等势线方程和电场线方程,并利用数学软件MATLAB绘制出等势线图和电场线图.     

MSM结构Mg0.2Zn0.8O可见盲光电探测器

采用射频磁控溅射,通过传统的紫外曝光和湿法腐蚀的方法,制备了不同电极间距的金属-半导体-金属(MSM)结构Mg0.2Zn0.8O可见盲光电探测器.研究了器件的暗电流和响应度随电极间距的变化关系,当施加的电压没有达到贯穿电压的时候,暗电流和响应度均随着电极间距的增加而减小,并对其具体的机制进行了研究.     

有导体存在时的唯一性定理的一种证明方法

提出一种用积分形式的高斯定理、环路定理（电场线的主要性质是它们的具体体现）和叠加原理来有有导体存在时的唯一性定理的方法。     

一道RC电路题解的商榷

在一辅导练习上,有电路如图1所示一题的解法,电源 =I0V,Rl=30Ω,R2=20Ω,R3=50Ω,Cl=lμF,C2=2μF,问C1,C2的带电量为多少. 原解:因为R3中无电流,故拿走,此时C1与C2串联与R1并联     

均匀带电球面的电场强度分布再讨论

本文通过讨论球面内、外及球面上的电场强度，对均匀带电球面的电场强度分布作了新的诠释。