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881.
882.
用电子束蒸发的方法制备可变光学带隙薄膜硅材料, 给出了研究结果. 介绍了一种做透过率曲线切线确定薄膜光学带隙的简易方法, 给出了制备工艺和条件, 以及各种材料的隙态分布图. 实验发现, 材料的光学带隙宽度不但与量子尺度效应有关, 而且与缺陷形成的势垒高度和宽度以及有序短程(原子串)长度有关; 给出了常规硅材料的光学带隙与原子串长度的关系. 计算表明, 随着原子串长度的加大, 势阱中的电子液面升高, 载流子受缺陷势垒的散射减弱; 在原子串长度较低的情况下, 电子液面不总是随着原子串长度升高, 而是有较大的涨落, 形成锯齿状波动.计算还发现, 在势垒宽度与原子串长度之比不变的情况下, 电子液面还与势垒高度有关.
关键词:
薄膜硅
可变光学带隙
隙态分布
电子液面涨落 相似文献
883.
884.
增益饱和在整形放大啁啾脉冲中的作用 总被引:2,自引:0,他引:2
根据线性啁啾脉冲的特点,利用增益介质的受激发射谱特性,及脉冲在饱和放大时的放大特点,从理论上提出一种获得强度分布前后沿对称放大啁啾脉冲输出的方法,并利用数值模拟对该方法的可行性进行了研究,具体给出了在利用该种方法产生强度前后沿对称的放大啁啾脉冲输出时,应该遵循的部分规律。 相似文献
885.
本文得到在L^2(Qn)上,共轭多重Fourier级数的临界阶Bochner-Riesz平均S^0R(f;x)几乎处处收敛的一个充分条件。 相似文献
886.
887.
对9≤A≤14,3≤Z≤5的核进行了壳模型计算.以8He作为core,选用修正的表面δ相互作用(MSDI)作为残余相互作用,挑选了24个实验能谱数据,定出了MSDI的参数和单粒子能量,并计算了结合能、低激发谱、电磁性质等,得到与实验较符合的结果.并着重讨论了11Be的宇称反转和halo结构的物理机理.计算程序为OXBASH. 相似文献
888.
研究了赝二元立方化合物Dy(Fe_1-xGa_x)_2(x≤0.3)的磁性.观测到Ga对Fe的无序置换,导致磁性的重大改变.T>4K的磁性属于正常型,用畴壁内禀钉扎受到热激活的概念,解释了实验结果;由此导出的矫顽力随温度变化的公式(8)与实验符合得相当好.T<4K的磁性属于异常型,表现为退磁曲线有台阶和大跳跃、矫顽力随温度变化出现峰值、磁粘滞性系数与温度无关等.用畴壁隧道效应量子形核的概念,说明了实验结果,而且从理论上估算出由经典热激活到量子隧道效应的交界温度,得到的数值2.21—3.03K与实验值~3K
关键词: 相似文献
889.
分了按自由程的分布与输运系数的推导 总被引:1,自引:0,他引:1
首先对分子按自由程的分布律进行重新认识,然后给出输运系数一种新的推导方法,这种方法不仅适合在普通物理中采用而且避免了一些令人费解的假设。 相似文献
890.
本文改进了S.T.Yau(文[1])中关于单位球面中具有平行平均曲率向量场的子流形的一个结果。然而从截面曲率这一角度出发,给出了空间形式R^n+p(c)(n>1,p>1)中具有平行平均曲率向量场的可定向闭子流形M^n的有关结果和积分不等式。 相似文献