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利用含参紧向量场的解集连通理论,研究一类椭圆方程共振问题在λ_k为多重特征值时的可解性,我们推广了[1]、[2]中的一些结果。 相似文献
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磁电子学器件应用原理 总被引:13,自引:0,他引:13
本文介绍几种重要的磁电子器件的基本结构和工作原理,包括巨磁电阻与隧穿磁电阻传感器、巨磁电阻隔离器、巨磁电阻与隧穿磁电阻硬盘读出磁头、磁电阻随机存取存储器、自旋转移磁化反转与微波振荡器。自旋晶体管作为未来磁电子学或自旋电子学时代的基本元素,目前大都还处在概念型阶段,本文也将对几种自旋晶体管的大致原理作简要介绍。 相似文献
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在手征SU(3)夸克集团模型下, 通过共振群方法(RGM)计算了双Λ超核^6_ΛΛHe,^5_ΛΛHe,^5_ΛΛH,^4_ΛΛHe,和^4_ΛΛH的结合能. 结果表明, 假定双Λ超核具有双Λ集团和壳心核集团构成的两集团结构, 得到的^6_ΛΛHe超核的结合能与实验值基本吻合, 表明手征SU(3)夸克集团模型不仅能较好地描述重子谱、N-N和Y-N相互作用及轻Λ超核的结合能, 也能较好地描述Y-Y相互作用及双Λ超核^6_ΛΛHe,^5_ΛΛHe,^5_ΛΛH,^4_ΛΛHe,和^4_ΛΛH的结合能, 指出了它们存在的可能性. 相似文献
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c轴定向氮化铝薄膜的制备 总被引:3,自引:0,他引:3
利用电子回旋共振 (ECR)微波增强化学气相沉积法 (PECVD)并使用氮气 (N2 ) ,氩气 (Ar)和AlCl3蒸气作为气源在直径为 6 .35cm的 (10 0 )单晶硅片表面制备了c轴定向氮化铝 (AlN)薄膜 ,并使用X射线衍射仪及其X射线特征能谱和扫描电镜 (SEM)分析了薄膜特征 ,研究了微波功率、基板温度和N2 流量对薄膜c轴定向的影响 ,得到了c轴偏差角小于 5°的高质量大面积AlN薄膜。 相似文献
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