几率量子隐形传态的离子阱方案

本文提出了一个在分别囚禁于不同离子阱中的两个离子间实现几率量子隐形传态的简单方案,Alice对离子1和离子2的内态进行联合测量并通过经典通道告诉Bob测量结果,Bob利用一束经典驻波场激光与离子3相互作用并控制相互作用的时间就能够在离子3上最佳几率地重现离子1的初始内态.     

聚丙烯孔洞铁电驻极体膜的电极化及其电荷动态特性

根据栅控恒压电晕充电组合反极性电晕补偿充电法的实验结果计算出铁电驻极体的极化强度.结果说明，伴随着薄膜内孔洞气体的Paschen击穿，该铁电体的极化强度随栅压增加而显著上升.利用上述充电方法和热刺激放电(TSD)谱的分析讨论了这类空间电荷型宏观电偶极子，及与其补偿的空间电荷热退极化的电荷动态特性；阐明了这两类俘获电荷的能阱分布，即构成宏观电偶极子的位于孔洞上下介质层内的等值异号空间电荷分别被俘获在深、浅两种能值陷阱内，而位于薄膜表面层的注入空间电荷则被俘获在中等能值陷阱中. 关键词： 反极性电晕补偿充电法 铁电驻极体 充电电流 热刺激放电     

一种新型可调谐锁模光纤激光器

利用法布里-珀罗腔的激光二极管作为调制器件，实现环形腔光纤激光器的主动锁模。并利用法布里-珀罗腔的激光二极管的多纵模特性，把激光二极管当作一梳状滤波器，通过偏振控制器来调整入射到激光二极管内光的偏振态，同时均衡腔内增益，得到波长大范围可调谐的锁模激光，其脉冲宽度约为48ps，脉冲重复速率2GHz。     

用高温超导模拟研制磁场高均匀度回旋管

磁场高均匀度的低温超导磁体系统已经取得了广泛的应用，在许多领域发挥着重要的作用。随着低温技术和超导技术的发展，用高温超导材料制作高均匀度的超导磁体成为可能。因此，我们用高温超导材料模拟制作了磁场高均匀度回旋管。     

稀土甘氨酸咪唑配合物[RE(Gly)4(Im)(H2O)](ClO4)3的热化学研究

采用溶解-反应量热法在具有恒温环境的溶解-反应热量计内,测定了[Gd(Gly)4(Im)(H2O)](ClO4)3和[Y(Gly)4(Im)(H2O)](ClO4)3两种稀土甘氨酸咪唑配合物的标准生成焓分别为(-3 461.46 ±0.22) kJ·mol-1 和(-3 926.6±0.90) kJ·mol-1.     

双面加热环形通道内干涸点的确定

根据环形管通道内流体流动和换热的特点,以Kirillov和Smogalev提出的干涸点理论模型假设为基础,从最基本的质量守恒方程出发,并引入临界液膜厚度等相应的辅助模型,得到了双面加热环形通道内流动沸腾干涸点的理论模型。同时针对间隙为1.0mm和1.5mm的环形窄缝进行了低压低质量流速工况下干涸点的实验研究。比较发现理论模型预测值与实验结果基本相符。说明本文提出的理论模型适用于低压低流量条件下的窄环形通道。实验同时发现:环状流临界热流密度在系统压力为2.2MPa达到最大值,临界含汽量随质量流速的增大呈缓慢下降趋势。     

Optimal Control of Non-well-posed Heat Equations

This work is concerned with Pontryagin＇s maximum principle of optimal control problems governed by some non-well-posed semilinear heat equations. A type of approach to the non-well-posed optimal control problem is given.     

Deposition of Hydrogen-Free Silicon Nitride Thin Films by Microwave ECR plasma Enhanced Magnetron Sputtering at Room Temperature

Hydrogen-free silicon nitride （SiNx） films were deposited at room temperature by microwave electron cyclotron resonance （MW-ECR） plasma enhanced unbalance magnetron sputtering system. Both Fourier-transform infrared spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy are used to study the bonding type and the change of bonding structures of the silicon nitride films. The results indicate that the chemical structure and composition of SiNx films deposited by this technique depend strongly on the N2 flow rates, the stoichiometric SiNx film, which has the highest hardness of 22.9 GPa, could be obtained at lower N2 flow rate of 4 sccm.     

三核铜（I）配合物的合成与荧光光谱

室温下，通过双核配合物[Cu(dppm)(NO3)]2(dppm=双二苯基膦甲烷)与四苯基硼钠在甲醇和二氯甲烷混合溶剂中反应制备了三核铜(I)配合物[Cu3(dppm)3(NO3)(OH)](NO3)，经过红外光谱、热重分析、核磁和ES-MS等现代分析手段表征了配合物的物理化学性质，并进一步研究了配合物在室温下的荧光光谱特征。     

碳纳米管阵列、捆束的三步升温工艺制备及其形貌与结构

使用结构简单的单温炉设备，通过三步升温热解二茂铁、三聚氰氨混合物方法，在二氧化硅、多晶陶瓷基底上分别合成了碳纳米管阵列、碳纳米管捆束.使用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、电子能量损失谱和x射线光电子能谱对合成样品进行了结构和成分分析.结果显示：两种基底上合成的纳米管均为多壁纯碳管；生长于光滑二氧化硅表面的碳纳米管具有高度取向性和一致的外径，长度为10—40μm.碳纳米管采取催化剂顶端生长模式并展示出类杯状形貌；生长于粗糙多晶陶瓷表面的碳纳米管捆束随机取向，碳纳米管直径为15—80nm，长度在几百微米，展示 关键词： 碳纳米管 热解法 三步升温工艺