屏蔽气体流速对同轴双管式氦气大气压等离子体射流粒子分布的影响

在大气压等离子体射流应用中,环境气体对射流流出物的影响不可忽视,尤其是在某些对环境粒子高度敏感的特定场景中.同轴双管式射流装置可用于抑制射流流出物与环境气体之间的相互扩散,从而控制射流流出物的化学性质.本文对同轴双管式氦气大气压等离子体射流在不同屏蔽气体流速下的放电特性和化学性质进行了数值仿真研究,并通过实验光学图像对仿真模型加以验证.结果表明,相比于没有屏蔽气体的情况,在高流速条件下放电得到增强,而在低流速下放电较弱;随着流速的增加,空间中的粒子数均随之增加,这可以归因于由屏蔽气体流速增加而产生的更宽的主放电通道.此外,不同浓度轮廓线上的离子径向通量受到流速的影响也存在很大差异.本研究进一步揭示了不同的放电位置对氮氧粒子产生的影响,加深了关于屏蔽气体流速影响等离子体射流放电行为的认识,并可能为等离子体射流的进一步应用开辟新的机会.     

730 eV电子碰撞He原子(e, 2e)电离的三重微分截面

考虑初态He原子电子间的关联效应、末态敲出电子与剩余束缚电子间的关联效应和末态屏蔽效应, 计算和分析了在共面、大能量损失和小动量转移这一特殊几何条件下730eV电子离化He原子的三重微分截面. 所得结果与Stevenson等人的相对实验数据和CCC理论计算结果进行比较发现: 所得到的理论曲线能够反映实验数据给出的三重微分截面的结构特征.     

Temperature effect on dissipative holographicscreening-photovoltaic solitons in a biased dissipative system

In a biased dissipative photovoltaic-photorefractive system, this paper investigates the temperature effect on the evolution and the self-deflection of the dissipative holographic screening-photovoltaic （DHSP） solitons. The results reveal that, the evolution and the self-deflection of the bright and dark DHSP solitons are influenced by the system temperature. At a given temperature, for a stable DHSP soliton originally formed in the dissipative system, it attempts to evolve into another DHSP soliton when the temperature change is appropriately small, whereas it will become unstable or break down if the temperature departure is large enough. Moreover, the self-deflection degree of the solitary beam centre increases as temperature rises in some range, while it is decided by the system parameters and is slight under small-signal condition. The system temperature can be adjusted to change the formation and the self-deflection of the solitary beam in order to gain certain optical ends. In a word, the system temperature plays a role for the DHSP solitons in the dissipative system.     

锑掺杂氧化锡粉体的太赫兹透射特性

以SnCl45H2O和SbCl3为原料,采用液相化学共沉淀法制备锑掺杂氧化锡（ATO）粉体。分析了不同Sb掺杂质量分数条件下,ATO粉体的禁带宽度变化,并对材料在0.2~1.6 THz波段的透射时域和频域谱,以及吸收和屏蔽参数进行了对比分析。结果表明,ATO粉体的禁带宽度随着Sb掺杂量的增加先减小后增大;同时,ATO粉体对THz波的吸收系数随着Sb掺杂量的增加先增大后减小,当Sb掺杂质量分数为9%时,ATO的吸收系数在1.25 THz处达到最大值156.5 cm-1,屏蔽效能在1.24~1.60 THz范围内最高达到45.0 dB。     

NODAL O（h^4）-SUPERCONVERGENCE IN 3D BY AVERAGING PIECEWISE LINEAR,BILINEAR, AND TRILINEAR FE APPROXIMATIONS

We construct and analyse a nodal O（h^4）-superconvergent FE scheme for approximating the Poisson equation with homogeneous boundary conditions in three-dimensional domains by means of piecewise trilinear functions. The scheme is based on averaging the equations that arise from FE approximations on uniform cubic, tetrahedral, and prismatic partitions. This approach presents a three-dimensional generalization of a two-dimensional averaging of linear and bilinear elements which also exhibits nodal O（h^4）-superconvergence （ultracon- vergence）. The obtained superconvergence result is illustrated by two numerical examples.     

此题还一个解——对《正确使用平均值》一文的补充

《物理通报》2010年第6期一篇文章《正确使用平均值》[1]中,例题1的参考解答是利用动量与能量的观点来研究的.但笔者认为此题还有一个解,分析如下.文中如有不当之处还请各位批评指正.     

解椭圆型方程的有限元法

本文阐述的解椭圆型方程的有限元方法，就是由椭圆型方程得到的线性代数方程组的一个分块解法．我们对节点做适当的排序，使得系数矩阵主对角线上的子块都是（不大于３）的多对角形．这样在运用电子计算机计算时，可以有效地节省计算机的存贮和运算工作量并且程序也远较其它处理稀疏矩阵的方法简单．     

栅耦合型静电泄放保护结构设计

提出了一种新型栅耦合型静电泄放(ESD)保护器件——压焊块电容栅耦合型保护管.该结构不仅解决了原有栅耦合型结构对特定ESD冲击不能及时响应的问题，而且节省了版图面积，提高了ESD失效电压.0.5 μm标准互补型金属氧化物半导体工艺流片测试结果表明，该结构人体模型ESD失效电压超过8 kV.给出了栅耦合型ESD保护结构中ESD检测结构的设计方法，能够精确计算检测结构中电容和电阻的取值. 关键词： 静电泄放 栅耦合 金属氧化物半导体场效应管 压焊块电容     

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利用SHML模型计算了密度为ρ=1g·cm-3、温度为150eV、200eV、250eV、300eV、400eV的Sn等离子体的随光子能量变化的辐射不透明度及Rosseland平均不透明度.分析了不透明度随光子能量变化曲线的吸收峰值(不透明度峰值)与能级跃迁的对应关系.还将Sn的Rosseland平均不透明度与DCA/UTA及STA模型计算结果作了比较,吻合较好.