喷气式Z箍缩等离子体辐射软X射线能谱的研究

研制了一台五通道ROSS-FILTER-PIN软X射线能谱仪，能谱范围为0.28—1.56keV.它由5个连续能段组成，每个能段的起止边由罗斯滤片对(ROSS-FILTERS)的L或K吸收边确定.罗斯滤片对的厚度通过优化计算得到，为了使每个通道的灵敏区外响应(即所测能段外响应)与通道总响应之比最小，在滤片对的第二滤片上镀上了一定厚度的第一滤片材料；为了缩减滤片表面积以增强低能滤片的抗冲击能力及方便滤片加工，能谱仪采用了小探测面积的PIN探测器(1mm²).借助此能谱仪，测量得到了喷气式Z箍缩(Z-pinch)等离子体辐射软X射线能谱的分布，并研究了软X射线产额随箍缩状况的变化趋势. 关键词： Z箍缩等离子体 罗斯滤片 软X射线能谱     

脉冲中立型时滞抛物方程的振动性

本文研究了一类脉冲中立型时滞抛物方程解的振动性及强振动性,获得了此类脉冲中立型时滞抛物方程解振动和强振动的代数判据.     

Formation of Interfacial Layers in LaAlO3/Silicon during Film Deposition

We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics.     

改善液晶光阀投影光学系统偏振特性的理论设计方法

定量分析了液晶光阀投影光学系统中影响系统对比度的主要因素，利用矢量方法建立三维空间数学模型对光线进行追迹，并利用琼斯矩阵和矢量光学的原理分析了偏振器件--主要是波片--和各种光学薄膜对光学系统性能的影响。给出了在一定假设条件下的对没有波片的光学系统和插入波征后的光学系统的仿真计算结果。两组数据比较表明在光路中插入合适相位差的波片可以显著提高系统对比度等性能。     

AFS-230型双道原子荧光光度计的安装与验收

本文简述北京海光仪器公司生产的ＡＦＳ 2 30型双道原子荧光光度计安装条件的要求、安装过程应注意的问题以及如何调试验收指标。1　仪器安装1.1　拆箱检查包装箱有无变形和受损 ,取出仪器 ,检查外观有无损坏 ;对照装箱单检查各配套件及备件是否齐全。1.2　仪器使用环境条件室内工作温度 :15～ 35℃、湿度≤ 75 % ;仪器应远离强电磁场及冲击振动源 ;由于所测试的元素为有毒物质 ,为保证工作人员的安全 ,本仪器应配有强制排风系统。1.3　电源仪器供电电压为 (2 2 0± 2 2 )Ｖ、频率为 (5 0± 1)Ｈｚ的正弦交流电源 ,消耗功率 >10 0 0Ｗ ,电压…     

Fe/Si多层膜的层间耦合与界面扩散

对以本征Si及重掺杂ｐ型和ｎ型Si作为中间层的Fe/Si多层膜的层间耦合进行研究，并通过退火，增大Fe，Si之间的扩散，分析界面扩散对层间耦合的影响. 实验结果表明，层状结构良好的制备态的多层膜，Fe，Si之间也存在一定程度的扩散，它是影响层间耦合的 主要因素，远远超过了半导体意义上的重掺杂，使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本 一致.进一步还发现，在一定范围内增大Fe，Si之间的扩散，即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化，Fe/Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变. 关键词： Fe/Si多层膜 层间耦合 界面扩散     

p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征

采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ,5 2 5℃为最佳热处理的温度 .铟锡原子比在 0 0 5— 0 2 0范围内 ,空穴的浓度与In的含量有直接的关系 ,并随In含量的增加而增加     

小型企业规模的有效性分析

在当代企业纷纷追求规模的不断扩大的同时，统计数据却显示企业平均规模不断下降的事实趋势。论根据数学、经济学与博弈论的有关理论对企业规模小型化的内在要求进行了探讨，分析的结论一致证明：粘型化规模在当代经济环境中是充分有效的。     

一类二层优化问题的极大熵方法

文章对一类下层带有公差的特殊的二层优化问题构造出不同于文[1]-[4]的极大熵函数来近似表示下层极值函数,地不可微二层优化问题转化为可微优化问题来处理，从而得到一类二层优化问题的ε－最优解的一种计算方法。