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41.
In a three-sphere system, the middle sphere is acted upon by two opposite depletion forces from the other two spheres. It is found that, in this system, the two depletion forces are coupled with each other and result in a strengthened depletion force. So the difference of the depletion forces of the three-sphere system and its corresponding two two-sphere systems is introduced to describe the coupling effect of the depletion interactions. The numerical results obtained by Monte-Carlo simulations show that this coupling effect is affected by both the concentration of small spheres and the geometrical confinement. Meanwhile, it is also found that the mechanisms of the coupling effect and the effect on the depletion force from the geometry factor are the same. 相似文献
42.
在分光计实验中的几何关系探究 总被引:1,自引:0,他引:1
从空间几何的角度来对分光计的构造、结构以及调节方法等方面来加以说明,以便从根本上掌握分光计设计的原理、调节的思路以及拓展的方法。 相似文献
43.
采用密度泛函理论中的广义梯度近似(DFT-GGA)对(CoO)_n(n≤6)合金团簇进行了系统的几何、电子结构和磁性质研究.研究结果表明(CoO)n(n≤6)团簇最稳定结构除(CoO)6团簇为三维立体结构外,其余团簇均呈二维平面结构,且(CoO)_n(n=1,2,3,4和6)结构均表现明显的钴氧分离特征,而(CoO)5团簇表现明显的Co—Co聚合和O—O分离特征.团簇的总磁矩在n=1,3,4时,以3μB为单元成倍增长,(CoO)5团簇显著降低,减小至1μB,(CoO)6团簇又有所增加,增大至6μB.(CoO)n(n≤6)团簇磁性变化的起因也从电荷转移、磁性耦合、电子差分密度和态密度进行了详细阐释. 相似文献
44.
给定图$G$,对图$G$的每条边确定一个方向,称为$G$的定向图$G^\sigma$, $G$称为$G^\sigma$的基础图. $G^\sigma$的斜邻接矩阵$S(G^\sigma)$是反对称矩阵,其特征值是0或纯虚数. $S(G^\sigma)$所有特征值的$k$次幂之和称为$G^\sigma$的$k$阶斜谱矩,其中$k$是非负整数.斜谱矩序列可用于对图进行排序.本文主要研究定向树和定向单圈图的斜谱矩,并对这两类图的斜谱矩序列依照字典序进行排序.首先确定了直径为$d$的树作为基础图的所有定向树中,斜谱矩序最大的$2\lfloor\frac{d}{4}\rfloor$个图; 然后确定以围长为$g$的单圈图作为基础图的所有定向单圈图中, 斜谱矩序最大的$2\lfloor\frac{g}{4}\rfloor+1$个图. 相似文献
45.
设图$G$,其中边集为$E(G)$,顶点集$V(G)$.反对称分割指数被定义为$ISDD(G)=\sum_{uv \in E(G)}\dfrac{d_ud_v}{d_u^2+d_v^2}$,其中$d_u$, $d_v$分别为顶点$u,v$的度.化学树就是顶点的度不超过4的树.在本文中,我们刻画出具有最小反对称分割指数的$n$阶化学树. 相似文献
46.
对采自新疆地区的4个桃样品的ITS序列进行了PCR扩增、克隆测序和分析,并从基因库中找出6个其他桃样品的ITS序列,应用DNAMAN软件构建了10个桃样品的系统发育树。结果表明:在系统发育树中,10个桃样品被分成三个分支,扁桃和野扁桃各自形成独立分支,其它桃样品形成一个分支,其中,新疆桃弧纹核和直纹核与陕甘山桃亲缘关系为100%,普通桃平行直纹核和孔纹核亲缘关系也为100%,新疆桃与普通桃的亲缘关系达99%,毛桃、山桃和甘肃桃之间的亲缘关系较近。通过本实验对桃属10种桃样品ITS序列分析初步显示,新疆桃与普通桃亲缘关系较近,而其与陕甘山桃的亲缘关系更近。 相似文献
47.
Lutwak结合Lp-混合体积给出了Lp-几何表面积的概念,本文结合Lp-对偶混合体积,给出了Lp-对偶几何表面积的概念,并且证明了相关不等式. 相似文献
49.
We report the simulation results on the thickness uniformity of optical coatings deposited on spherical substrates by optimizing the geometric configuration parameters, such as tilting angle of the substrate holder and position of the evaporation source in a 1 000-mm-diameter planetary rotation stage (PRS). We reveal that good film uniformity on convex spherical surfaces or flat substrates, as well as concave surfaces with weak to moderate curvatures can be obtained through appropriate tilting of the substrate holder. For 300-mm-diameter substrates with clear aperture to radius of curvature (CA/RoC) between 0.3 and 0.7, the achievable film uniformity is above 99%. The source position is optimized to achieve good film uniformity. 相似文献
50.
The nonlinear optical properties of a magneto-exciton in a strained Ga0.2In0.sAs/GaAs quantum dot 下载免费PDF全文
The magnetic field-dependent heavy hole excitonic states in a strained Gao.2Ino.sAs/GaAs quantum dot are investi- gated by taking into account the anisotropy, non-parabolicity of the conduction band, and the geometrical confinement. The strained quantum dot is considered as a parabolic dot of InAs embedded in a GaAs barrier material. The dependence of the effective excitonic g-factor as a function of dot radius and the magnetic field strength is numerically measured. The interband optical transition energy as a function of geometrical confinement is computed in the presence of a mag- netic field. The magnetic field-dependent oscillator strength of interband transition under the geometrical confinement is studied. The exchange enhancements as a function of dot radius are observed for various magnetic field strengths in a strained Gao.2Ino.sAs/GaAs quantum dot. Heavy hole excitonic absorption spectra, the changes in refractive index, and the third-order susceptibility of third-order harmonic generation are investigated in the Gao.2Ino.8As/GaAs quantum dot. The result shows that the effect of magnetic field strength is more strongly dependent on the nonlinear optical property in a low-dimensional semiconductor system. 相似文献