Properties of Heat Generation in a Double Quantum Dot

We investigate the electronic-current-induced heat generation in a double quantum dot connected by two normal leads. The dots are coupled in series with a coupling strength td. It is found that, at zero temperature and weak dot-lead coupling, td affects the heating and current heavily. In particular, the effects on the heat generation and on the current are quite different. For example, at a heating valley the current can exhibit a deep valley, a plateau, or a high peak depending on td. As a result, we can find an ideal working condition, large current while small heating, for the double dots system by tuning the interdot coupling strength.     

基于ASME应变限制准则的小冲杆试验等效断裂应变

为更清楚地了解阳江35kV服役导线的运行状态,从分析导线断线原因出发,通过对老旧导线的单丝断裂强度、弹性模量、应力应变曲线、拉断力、抗拉强度等综合指标的测试与分析,研究服役导线的力学性能,由试验结果得出：35kV老旧导线钢芯的直径变化对于架空导线的外径变化有直接的影响,老旧导线的铝线直径变化较小,其外径增大1.67％~4.24％;钢单线的拉断应力仍能达到标准中规定值的106%,且伸长率也满足要求;部分铝线的抗拉强度低于95%;绞线拉断力仍能达到95%的计算拉断力。但是相同规格下的老旧导线的抗拉强度比新导线的抗拉强度低2%~18%。结果表明：阳江地区服役三十年以上的老旧导线在力学性能上仍能继续承载。     

一道模拟网络电阻的习题

问题:各线电阻均为12Ω的12根导线构成一立方体的十二条边,如图1所示.请问此立方体任何两角之间的最大电阻是多少?     

电解液中的电流刍议

金属是依靠物体内部自由电子的定向移动而导电的,这类物体叫做电子导体．若电源与电解池构成回路,在金属导线内,载流子是自由电子,但在电解池中仍然依靠自由电子的流动吗？实验表明,在电解质溶液中,是依靠正、负离子的定向运动传递电荷的,即载流子是正、负离子而不是电子．     

拓扑绝缘基铁磁/铁磁超导隧道结的磁效应和塞曼效应(英文)

运用拓展的BTK理论研究了拓扑绝缘层上铁磁/铁磁超导隧道结的磁效应和塞曼效应,同时考虑了铁磁体和铁磁超导体之间的费米能级错配效应.研究发现:在该系统中塞曼效应和邻近效应可以共存;铁磁体和铁磁超导体之间的费米能级错配效应能够增强系统中发生在eV=Δ处的Andreev谐振散射过程和邻近效应.     

最细的导线

 担心量子效应会打破欧姆定律以及微小导线具有更大的电阻,现在看来是毫无事实依据的.美国印第安纳州普度大学(Purdue University)的柳勋(Hoon Ryu音译)和同事研发出只有4个原子粗细的导线,这些磷导线被嵌入硅晶片中,深度为1个原子.     

Tunneling Conductance in Quantum-Wire/Ferromagnetic-Insulator/d-Wave Superconductor Junction

We have studied the quasiparticle transport in quantum-wire /ferromagnetic-insulator/d wave superconductor Junction (q/FI/d) in the framework of the Blonder-Tinkham-Klapwijk model. We calculate the tunneling conductance in q/FI/d as a function of the bias voltage at zero temperature and finite temperature based on Bogoliubov-de Gennes equations. Different from the case in normal-metal/insulator/d wave superconductor Junctions, the zero-bias conductance peaks vanish for the single-mode case. The tunneling conductance spectra depend on the magnitude of the exchange interaction at the ferromagnetic-insulator.     

纳米器件研究与应用的最新发展

近几年来对纳米器件的研究给各个领域带来了巨大的冲击。文章讨论了纳米器件特别是和信息技术产业密切相关的分子电路的最新进展 ,以及目前对纳米器件的一些主要的应用     

线型共轭Cx桥联双金属有机化合物

分子电子器件是近年来的一个热门课题。线型共轭Cx桥联双金属有机化合物是分子导线、分子开关等分子电子器件的模型化合物之一。本文介绍了线型共轭Cx桥联双金属有机化合物的结构、合成及光电性质。     

排列形状及阵列数目对纳米导线阵列场发射性能的影响

为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响，利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟，近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势：β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)²+3,其中h为纳米导线的高度，ρ为纳米导线的半径，W是以R为自变量的函数，R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小，而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素：当R<R₀时，场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小；当R>R₀时，场发射增强因子基本不变，其中R₀为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势，但是随着阵列数目的增加，R₀会有一定程度的减小，场发射增强因子也会降低. 关键词： 纳米导线 场发射 增强因子 阵列数目