有限长带电导体直线的电荷分布

通过3种方式给出有限长带电导体直线的电荷密度分布,结果表明电荷分布并不均匀.     

Photoluminescence Property of Co3O4 Nanowires

Co3O4 nanowire arrays are fabricated by electrodeposition with following heat-treatment in atmosphere ambient. Photoluminescence is investigated at 295K. In the experiment, when increasing the excitation light wavelength from 260 nm to 360 nm, two kinds of emissions corresponding to the increasing excitation light wavelength are observed. One of them alters the excited emission position, another keeps its emission position. The distinct behaviour of excited emissions related to the increasing excitation wavelength indicates that the mechanism of them must be different. According to the experimental comparison and first-principle calculation, the two kinds of emissions are discussed.     

一次人工触发闪电通道光谱结构分析

用无狭缝光谱仪获得了广东地区一次人工触发闪电首次回击过程的发射光谱,同时测量了回击电流峰值为18.3kA,回击持续时间为4.5ms。发现导线部分通道的发射谱线中存在407.5,419.0,425.3和517.9nm等激发能比较高的谱线,具有强闪电通道发射光谱的谱线结构,空气部分则具有弱闪电通道的谱线结构;导线部分与空气部分的基本谱线的相对强度差别较小,强闪电特征谱线相对强度相差非常大。通过对导线部分与空气部分谱线激发能等参数的分析,发现回击开始时,导线部分先导通道还未完全消失,回击脉冲电流对先导闪电通道等离子体进行了进一步激发,增加了等离子体的温度和密度,使得导线部分具有较高激发能的谱线被完全激发,相对于空气部分407.5,419.0,425.3和517.9nm等谱线的强度有较大程度的增加,造成导线部分通道与空气通道两种不同的光谱结构。通过光谱分析,获得了闪电通道不同部分的温度、电子密度等参数,发现导线部分通道的辐射特性不同于空气通道是导线部分通道发光亮度与电流相关性较差的原因。     

Development and Characterization of Metal-Insulator-Metal Capacitors with SiNx Thin Films by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition

We report the fabrication of high breakdown voltage metal-insulator-metal （MIM） capacitors with 200-nm silicon nitride deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition with 0.957 SiH4/NH3 gas mixing rate, 0.9 Torr working pressure, and 60 W rf power at 250℃ chamber temperature. Some optimized mechanisms such as metal source wiping, pre-melting and evaporation rate adjustment are used for increasing the yield of the MIM capacitors. N2 annealing and O2/H2 plasma pre-deposition treatment is proposed to increase the reliability of the MIM capacitors in high-temperature, high-pressure, and high-humidity environments. A 97% yield and up to 148 V breakdown voltage of a 13.06pF MIM capacitor with 0.04 mm^2 die area can be fabricated.     

Growth Mechanism and Optimized Parameters to Synthesize Nafion-115 Nanowire Arrays with Anodic Aluminium Oxide Membranes as Templates

Nation-115 nanowire arrays are synthesized with an extrusion method using AAO membranes as templates. It is indicated that the vacuum treating of AAO templates before surface decoration plays an important role in obtaining high filling rate of the Nation-115 nanowires in the AAO templates, vchile the concentration of Nafion-115 DMSO solutions does not affect the flling rate greatly. The optimized parameters to synthesize the Nation-115 nanowire arrays are studied. The filling rate of the Nadion-115 nanowires in the AAO templates synthesized with the optimized parameters is about 95% discussed to qualitatively explain the experimental results The growth mechanism of Nafion-115 nanowires is     

CR超导二极铁导线的3D有限元失超模拟

利用FEM软件ANSYS对德国GSI的FAIR项目的超导二极铁的超导线进行了失超模拟.该模拟形象地给出导线的失超过程,通过APDL编程可以得到失超传播速度,失超时导体的端电压随时间的变化.文章还进一步研究了导线的最小失超传播区域MPZ,失超段初始温度和电流对失超传播速度的影响.     

纳米器件研究与应用的最新发展

近几年来对纳米器件的研究给各个领域带来了巨大的冲击。文章讨论了纳米器件特别是和信息技术产业密切相关的分子电路的最新进展 ,以及目前对纳米器件的一些主要的应用     

线型共轭Cx桥联双金属有机化合物

分子电子器件是近年来的一个热门课题。线型共轭Cx桥联双金属有机化合物是分子导线、分子开关等分子电子器件的模型化合物之一。本文介绍了线型共轭Cx桥联双金属有机化合物的结构、合成及光电性质。     

覆冰导线舞动非线性数值模拟方法

基于覆冰导线所受空气动力的非线性和导线大幅运动的几何非线性,利用虚功原理建立覆冰导线非线性运动方程,采用具有3个平动自由度和1个扭转自由度的三结点等参单元,得到基于更新Lagmnge格式的覆冰导线的非线性动力学有限元方程.采用Newmark时间积分和Newton-Raphson非线性迭代法求解有限元方程.编制了相应的计算程序,利用算例验证了方法和程序的正确性.进而利用该方法通过对典型覆冰线路的数值模拟.揭示了当覆冰线路在垂直和水平方向固有频率之间存在整数倍关系的情况下,可能出现的一种新的舞动模式,其可理解为非线性动力系统的饱和现象.     

平行导体板与带电直导线电场的保角变换分析

平行导体板间点电荷的静电场问题,由于其物理图像清晰,已经得到解决．平行导体平板问线电荷的静电场,可用分离变量法求解其问的电场,但比较繁琐、不直观．本文采用保角变换法分析了平行导体板和线电荷形成的静电场问题,采用指数变换与镜像法联合使用的方法,求解其间的电场分布．通过电势表达式,得到电场的解析形式,并结合Maflab画出电场线图形,最后将结果引申到平行导体板带电情况下的电势分布．