掺杂剂对聚乙炔中电荷密度波的影响

用CNDO／2方法研究了各种掺杂剂对聚乙炔中电荷密度波的影响，在掺杂剂附近的碳原子上出现较大的电荷密度，且p型比n型掺杂剂的影响更大，讨论了电荷波与导电性的关系。     

Sb，In，P掺杂对SnO2薄膜透明导电性能的影响

采用溶胶凝胶（Sol-Gel）技术制备了SnO2：（Sb，In）透明导电薄膜，优化了制备工艺参数，获得了最佳制备条件．研究表明，4％的铟掺杂有效地改善了薄膜的内部结构，使得紫外-可见光的透过率显著增加；7％的锑掺杂释放出了更多的栽流子，使薄膜的方块电阻降低，2％的磷掺杂因准连续杂质能带的形成进一步提高了薄膜的电导率．Sb、In、P的掺入使得SnO2薄膜的紫外-可见光的透过率达83％，方块电阻达38Ω。     

掺杂Eu3+离子的钨酸锂的合成及其光电性能研究

采用固相反应法合成了掺杂Eu^3 的Li2WO4材料，并用X射线粉末衍射仪、荧光分光光度计及交流阻抗技术对样品进行了观察和测试。结果表明：适量Eu2O3的掺入可提高基质材料的发光和导电性能。     

n型透明导电薄膜CdIn2O4电学性质的研究和大面积制备的最佳条件

在Ar+O2₂气氛中，采用射频反应溅射Cd-In靶制备CdIn2₂O4₄ 薄膜.制得的薄膜经x射线衍射（XRD）检测为CdIn2₂O4₄和CdO相组成的多晶.从理论上分析了热 处理前后氧空位、掺杂点缺陷和富氧电子陷阱在影响膜的载流子浓度和电子散射中所起的重要作用.同时，对样品 进行Hall效应、Seebeck效应测试并得出不同载流子浓度下的迁移率、有效质量、弛豫时间以及它们之间的相互关系，特别强调     

n-羟基苯甲酸(n=p,m,o)在一种新的活性基底上的SERS研究(英文)

将银纳米颗粒覆盖在覆有铟锡氧化物的导电玻璃上,可以将其作为一种新型的表面增强拉曼散射(SERS)活性基底。将三种羟基苯甲酸分子作为探针分子在这种新的基底上进行检测,得到了很好的SERS信号,从中可反映出大量分子振动信息     

导电箔对于相对论环形束的约束作用分析及其对束流群聚过程影响…

分析导电箔上的镜像电荷对环形束的约束作用，给出了可用于设计选择聚焦环形的导电箔几何尺寸的计算结果。利用已有的Ｘ波段相对论速调管（ＲＫＡ）进行了初步的镜像电荷聚焦ＲＫＡ的实验。虽然实验中的导电箔对电子束的通过率只有０．８８，但结果表明导电箔对ＲＫＡ的束流有一定聚焦作用，不影响束流群聚过程。     

透明导电铟铋氧化物薄膜的制备及其性能

以氧化铟为主体材料,以铋为掺杂材料,采用真空热蒸发方法研制出2.5%铋掺杂的透明导电氧化物薄膜(IBO)。实验表明:IBO薄膜具有良好的表面形貌,载流子浓度为3.955×1019cm-3,载流子迁移率达到50.21cm2·V-1·s-1,电导率为3.143×10-3Ω·cm,在可见光范围内的平均透过率超过82%,功函数为4.76eV。采用其作为阳极制作的OLED得到最大亮度30230cd/m2,最大电流效率为5.1cd/A。结果表明IBO是一种良好的光电器件阳极材料。     

Electric Field Analysis of Space Charge Injection from a Conductive Nano-Filler Electrode

A simulation on the electric field distribution near the electrode is proposed to explain the reason for using nanosized carbon black mixed with ethylene vinyl acetate, as the electrode could lead to more charge injection into the polymer than using a deposited metal electrode. The electrode is simplified to a layer of conductive semi-spheres with fixed size and constant electric potential. By using the finite element method, it is found that both the size of the semi-spheres and the distance between adjacent semi-spheres could dramatically influence the electric field near the surface of the spheres; these are considered to be the two decisive factors for the charge injecting rate at electrodes of various materials.     

Van der Pauw Hall Measurement on Intended Doped ZnO Films for p-Type Conductivity

A Van der Pauw Hall measurement is performed on the intended doped ZnO films （Na doped ZnO） grown by using the molecular beam epitaxial method. All as-grown samples show n-type conductivity, whereas the annealed samples （annealing temperature 900℃） show ambiguous carrier conductivity type （n- and p-type） in the automatic Van der Pauw Hall measurement. A similar result has been observed in Li doped ZnO and in as-doped ZnO films by other groups before. However, by tracing the Hall voltage in the Van der Pauw Hall measurement, it is found that this alternative appearance of both n- and p-type conductivity is not intrinsic behavior of the intended doped ZnO films, but is due to the persistent photoconductivity effect in ZnO. The persistent photoconductivity effect would strongly affect the accurate determination of the carrier conductivity type of a highly resistive intended doped ZnO sample.