非费米液体层间隧道作用下的Tc与零温能隙

本文在自旋电荷相统一的非费米液体前提下,同时考虑相一作用Ｖ及层间随着作用ＴＪ,推导出非费米液体层间隧道的超导转变温度Ｔｃ的解析式,给出了临界耦合因子λＴＪｃ,λｃ与α关系式,并且数值计算了零温能隙随ＴＪ及α的变化趋势。     

溴代作用对竹红菌乙素分子性质影响的量子化学研究

用半经验量子化学方法ＡＭ１和ＰＭ３对竹红菌乙素及其溴代物进行了对比计算,考究了溴代作用对竹红菌乙素分子性质的影响,两种方法所得结果的均表明,溴代作用使分子的生成热、前线轨道能级及偶极矩等参数都有所降低,溴代作用也影响了竹红菌乙素分子内氢健的性质,并能使其对光的吸收产生红移。『     

让世界跳跃的人--马克思*普朗克

回顾了普朗克在物理学上的贡献和对爱因斯坦的帮助，挖掘了他的物理思想，得到对他公正的认识．     

液态甲烷的高温密度物态方程理论研究

 采用热力学统计理论研究了液态甲烷在高温高压下分子分解反应特点及该体系的物态方程。着重讨论了体系中CH₄-H₂分子间有效势对体系化学反应平衡及物态方程的影响,并根据实验Hugoniot点(p_H, V)优化确定出其exp-6势函数中的参数值。该势函数的排斥部分值比理想混合条件下Lorentz-Berthelot规则给出的势函数值低约50%,预示着高压下CH₄和H₂之间存在着某种亲合性。用该势函数计算得到的p-T线与现有的两个实验点符合很好。还讨论了CH₄-H₂之间的有效作用势参数对CH₄分子冲击离解度（x）的影响。     

钆在MgO（110）薄膜上的吸附

为研究钆在ＭｇＯ薄膜表面吸附的特性，首先在经硫代乙酰胺（ＣＨ３ＣＳＮＨ２）处理的ＧａＡｓ（１００）表面外延生长Ｐ型半导体ＭｇＯ（１１０）薄膜，然后利用同步辐射光电子能谱研究钆在此表面的吸附，结果发现由于Ｇｄ／ＭｇＯ界面的能够弯曲使Ｍｇ２ｐ向高结合能端位移０．４ｅＶ，而且从实验结果推断，钆与衬底反应很弱，并且主要以团簇的形式吸附。     

核子与镜象核3H和3He弹性散射中电荷对称破环效应

采用微观的动量空间光学势及R.Crespo和J.A.Tostevin建议的处理动量空间库仑作用的方法,计算了500MeV的核子与镜象核³H和³He弹性散射微分截面,截面比r₁,r₂和超比R.理论计算结果r₁,r₂和R均不等于1,显示出由于p–核库仑作用直接引起的电荷对称破坏效应.     

叠氮化铅的等离子体电子作用机理初探

本文分析了装有不同药剂的半导体桥（Semiconductor Bridge,SCB）火工品的电流信号,结合叠氮化铅（Lead Azide,LA）的铅核反应机理,探索性地分析了等离子体中电子对药剂分解反应的影响.表明SCB等离子体中的电子可能直接参与铅核的生成反应,使Pb²⁺/Pb⁰转化变得容易,实现6.89μs的发火.     

球状纳米系统高能级斯塔克效应和谱

以三层CdS/HgS/CdS球状纳米系统为例,研究了在电场和层间作用下球状纳米系统高能级斯塔克效应的能级分裂规律以及谱线的频率、强度和自发幅射系数的线度效应. 结果表明,系统的斯塔克效应在只有电场时,能级是按1,3,…,(2n—1)的规律进行分裂,与氢原子类似;有电场和层间同时作用时,能级是按1,4,…,n²的规律进行分裂. 量子跃迁时各谱线的频率均随系统线度增大而减小,除少数谱线外,多数谱线的强度随线度增大而减小,而自发幅射系数随线度增大而增大;电场会引起谱线的频率发生改变,其谱线频移量与电场强度的平方成正比;除少数谱线外,电场和层间作用引起的谱线频移量均随线度增大而减小;层间作用会使电子的能级稍有降低,稍微增大谱线的强度和自发幅射系数值,但它不会影响谱线的频率、强度和自发幅射系数随线度的变化趋势,在线度较小时层间作用的影响才显著.