Nb3Sn卢瑟福电缆复合导体稳定性分析

超高磁场全身核磁共振成像仪能显著提高信噪比和空间分辨率,有助于对病人的诊断.超导磁体是超高磁场核磁共振成像仪的基础,而导体是超导磁体设备研制的关键技术之一.设计了一种基于Nb_3Sn超导线的复合导体,本文对设计的复合导体建立一维失超传播模型,并对导体的失超传播特性进行了分析.分析结果表明:导体的最小失超能与扰动范围、扰动时长和运行电流有关;扰动能量越大,失超传播速度越快;运行电流越大,失超传播速度越快.     

HL-2M 环向场线圈水冷数值模拟与分析

建立了环向场线圈的水冷计算模型,根据热传导和对流换热方程进行了数值模拟分析。计算结果表明：指形接头与铜板的界面接触热阻和接触电阻对指形接头的温升影响较大,但在平顶电流为140kA 及其电流平顶7s 时,由焦耳热引起的最高温升40℃以下,故环向场线圈的温度均不会超过80℃,且15min 后TF 线圈温度均降至30℃以下。在平顶电流为190kA 时,线圈通电持续时间可根据界面实测接触热阻、接触电阻以及线圈初始温度来确定。     

带电导体椭球的面电荷密度与主曲率半径的关系

求出了带电导体椭球的面电荷密度与主曲率半径的关系.     

基于ANSYS的T型焊接接头温度场数值模拟

准确计算瞬时焊接温度场是控制焊接应力及变形的先决条件。本文采用高斯热源模型,基于ANSYS分析软件,通过参数化语言APDL对T型焊接接头温度场进行数值模拟。结果表明,所得焊接温度场的变化过程及分布规律符合焊接工艺实际,这为控制焊接残余应力及变形,进一步优化焊接结构及焊接顺序提供了基础。     

平行导体板与带电直导线电场的保角变换分析

平行导体板间点电荷的静电场问题,由于其物理图像清晰,已经得到解决．平行导体平板问线电荷的静电场,可用分离变量法求解其问的电场,但比较繁琐、不直观．本文采用保角变换法分析了平行导体板和线电荷形成的静电场问题,采用指数变换与镜像法联合使用的方法,求解其间的电场分布．通过电势表达式,得到电场的解析形式,并结合Maflab画出电场线图形,最后将结果引申到平行导体板带电情况下的电势分布．     

尖端导体面电荷密度的两种不同模型

普通物理学教材以尖端导体放电现象为例说明,曲率越大的地方,面电荷密度也越大,本文用两个不同的物理模型给尖端放电现象以理论解释．     

电磁感应现象中能量转换和守恒

电磁感应现象可分为两大类,一是由磁场的变化引起的电磁感应现象,二是由导体和磁场的相对运动引起的电磁感应现象。     

在均匀磁场中旋转的导体厚球壳上电荷的分布--证明在磁场中转动的导体表面电荷分布无普遍公式

用简单方法求出了在均匀磁场中旋转的导体厚球壳上电荷的分布,证明了在磁场中转动的导体表面电荷分布无普遍公式。     

绝缘层LiF/Al电极对提高P-PPV发光器件发光性能的研究

为了提高聚合物电致发光器件中Ba（Ca）／Al阴极的稳定性,在该阴极与聚合物发光材料poly（2-（4-ethylexyl）phenyl-1,4-phenylene vinylene）（P-PPV）层之间插入一层7nm的LiF绝缘层,发光器件的发光性能在多项参数（发光器件的电压．电流特性、发光强度及外量子效率,以及电流效率等发光性能指标）上能够与工作性能优良但稳定性较差的Ba（Ca）／Al电极结构PLEDs器件的发光特性具有可比性。这对于研制高效率、高稳定的聚合物电致发光器件并最终将其用于商业目的,具有重大现实意义。     

F-P半导体激光器实现多波长注入锁定

F-P半导体激光器中对于TE模比TM模有更大的束缚系数,并且在其反射面上有更高的反射率.当TE模和TM模同时注入F-P半导体激光器的谐振腔时,TE模方向的信号得到增长,TM模方向的信号受到抑制.F-P半导体激光器的这种特性使得它类似于一个偏振器,但是其优越之处在于经过F-P半导体激光器注入锁定之后的光信号没有功率损耗.采用F-P半导体激光器的注入锁定原理,使入射光信号没有功率损耗地由偏振光转换为部分偏振光,降低了通信系统中传输信号的偏振敏感性,使传输信号的质量得到提高,实现了F-P半导体激光器三波长和四波长注入锁定.