首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   612篇
  免费   180篇
  国内免费   220篇
化学   285篇
晶体学   13篇
力学   75篇
综合类   8篇
数学   16篇
物理学   615篇
  2024年   3篇
  2023年   17篇
  2022年   16篇
  2021年   21篇
  2020年   15篇
  2019年   17篇
  2018年   10篇
  2017年   29篇
  2016年   12篇
  2015年   34篇
  2014年   49篇
  2013年   30篇
  2012年   41篇
  2011年   37篇
  2010年   24篇
  2009年   44篇
  2008年   60篇
  2007年   39篇
  2006年   46篇
  2005年   48篇
  2004年   38篇
  2003年   42篇
  2002年   32篇
  2001年   30篇
  2000年   34篇
  1999年   21篇
  1998年   19篇
  1997年   10篇
  1996年   29篇
  1995年   36篇
  1994年   16篇
  1993年   16篇
  1992年   24篇
  1991年   15篇
  1990年   22篇
  1989年   20篇
  1988年   11篇
  1987年   2篇
  1986年   3篇
排序方式: 共有1012条查询结果,搜索用时 15 毫秒
121.
1问题的引出【题目】如图1所示,电源电压为200V,两个电容器C1,C2完全相同,静电计读数U和电压表读数U′,以下结果正确的是A.U=100V,U′=100VB.U=0,U′=200VC.U=200V,U′=0D.U=100V,U′=0图1错解:许多学生(甚至教师)认为电压表和静电计都是测量电压的仪器,两者的读数应相同,错选选项A.静电计是研究  相似文献   
122.
能源问题是当今世界各国共同面临的严重问题;寻求低污染、可持续使用绿色能源是世界各国科学家共同关注的问题.太阳能不仅是地球几十亿年来,推动自然界种种演化的基本动力,也是当今人类实现可持续发展最可靠的能源,但是长期以来人们仅仅靠太阳自然照射状态下,通过植物吸收、风云雨雪变化利用太阳能,物理学的发展,尤其是半导体材料的创造,开创了人类用科技手段进行太阳能发电的道路.  相似文献   
123.
带电导体椭球的电势和电荷分布   总被引:3,自引:1,他引:2  
张之翔 《大学物理》2008,27(1):11-13,19
介绍用椭球坐标系求带电导体椭球所产生的电势和它上面电荷分布的方法,并讨论一些特殊情况.  相似文献   
124.
组合式Si-PIN 14 MeV中子探测器   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
提出了一种在多片Si-PIN探测器中间用2mm厚的聚乙烯作为灵敏度增强介质,采用加法电路模式进行信号输出的组合式新型DT聚变中子(14MeV)探测技术原理. 这种组合的主要特点有: 1)大幅度提高了Si-PIN探测器的中子灵敏度和测量统计性; 2)提高了探测器的n/γ分辨本领; 3)在实现多个探测器信号相加的同时,组合探测器相对于单片探测器时间响应没有明显改变. 从实验及理论上对组合探测器的14MeV中子及1.25MeV γ灵敏度、n/γ分辨,时间特性和测量统计性进行了研究. 关键词: Si-PIN半导体探测器 灵敏度 n/γ分辨 时间响应  相似文献   
125.
利用倾斜衬底沉积法在无织构的金属衬底上生长了MgO双轴织构的模板层,在这一模板层上实现了YBa2Cu3O7-x薄膜的外延生长.在外延YBa2Cu3O7-x薄膜前,依次沉积了钇稳定的立方氧化锆和CeO2作为缓冲层.利用X射线衍射2θ扫描、扫描、Ω扫描和极图分析测定了这些膜的结构和双轴织 关键词: 2Cu3O7-x镀膜导体')" href="#">YBa2Cu3O7-x镀膜导体 2缓冲层')" href="#">CeO2缓冲层 厚度依赖性 外延生长  相似文献   
126.
侯清玉  张跃  张涛 《物理学报》2008,57(5):3155-3159
为了研究锐钛矿TiO2晶体中高氧空位浓度对电子寿命的影响,利用基于局域密度泛函理论框架下的广义梯度近似平面波超软赝势方法, 用第一性原理对含高氧空位浓度的锐钛矿TiO2晶体进行了结构优化处理、能带分布和态密度分布计算, 表明在温度一定和高氧空位浓度的条件下, 锐钛矿TiO2的电子寿命随氧空位浓度的增大而减小;电子浓度的大小对电子寿命无影响.同时,锐钛矿TiO2晶体中高氧空位浓度时,发现有莫特相变的现象. 关键词: 高氧空位 2半导体')" href="#">锐钛矿TiO2半导体 电子寿命 第一性原理  相似文献   
127.
根据Ag 离子-空位的二维有序结构建立了三维晶胞模型.采用局域密度近似下的平面波赝势方法,对有序Agx Tis2(x=0,1/4,1/3,1/2,2/3,3/4,1)系列进行了几何结构优化和总能量计算,并与Lix Tis2系列进行了对比研究.有序Agx Tis2系统的晶格参量增量△a0 和△c0随离子浓度单调增加,与实验结果符合得较好.有序Agx TiS2和Lix Tis2系统的总能量均随插层离子浓度增加线性下降,且前者下降较快.有序Agx TiS2(x=0,1/4,1/3,1/2,2/3,3/4,1)系统的形成能均小于零,表明其基态性质.具有3a0x3a0超结构的Ag1/3 Tis2系统的形成能最低.能量性质的对比显示,有序Agx TiS2系统的形成能较低,有序一无序相变温度较高,离子扩散活化能较高.根据计算结果对有关实验给出了合理解释.  相似文献   
128.
何东  索红莉  赵跃  刘敏  张迎肖  叶帅  马灵姬  周美玲 《人工晶体学报》2007,36(6):1297-1300,1287
La2Zr2O7(LZO)过渡层以其独特的物理化学性质越来越受到人们的关注。本文以乙酰丙酮镧和乙酰丙酮锆为前驱盐,丙酸为溶剂配置前驱液,用化学溶液方法(CSD)在具有立方织构的Ni-5at%W基底上制备了LZO过渡层薄膜。研究了前驱液成分、性质以及退火温度对LZO成相以及取向的影响。用常规XRD和X射线四环衍射仪分析了LZO薄膜的相成分和织构。结果显示,在1050℃下退火可以获得强立方织构的LZO薄膜,其中(222)峰的Phi扫描半高宽值为8.95°;(400)峰的Chi扫描半高宽值为6.8°。用高分辨扫描电子显微镜(FE-SEM)观察到LZO薄膜表面均匀致密,没有裂纹和空洞。  相似文献   
129.
王升扬  曾斌  李灿 《催化学报》2018,39(7):1219-1227
表面等离激元共振效应具有独特的光-物质相互作用的性质,因而近年来被广泛的应用到太阳能转化科学领域.通过调变金属的性质(例如组分、尺寸、形貌等)可以方便地在整个太阳能光谱范围内调节其等离子共振吸收性质,从而有效地增加光催化剂的捕光效率.尽管如此,等离激元光催化目前的能量转化效率仍处于很低的水平,主要是由于光催化剂中的电荷分离以及利用效率很低.理论上可以通过控制优化金属纳米粒子的尺寸以及金属-半导体的相互作用来促进电荷分离及利用效率,从而提高光催化剂的活性.然而,关于金属纳米粒子的尺寸以及金属-半导体的相互作用在表面等离激元光催化剂中的具体作用还亟待详细研究.本文以金/二氧化钛作为典型的表面等离激元光催化剂,通过简便的焙烧后处理可同时实现金粒子尺寸和金-氧化钛界面相互作用的调控.我们发现,催化剂的可见光产氧活性随着焙烧温度呈现火山型关系,其中600 ℃处理的样品表现出最高的活性,在560 nm出的表观量子效率为0.3%,接近甚至超过文献报道的同类结果.随后通过X射线衍射、扫描电镜、光电子能谱、紫外可见光谱等表征手段系统地研究了煅烧温度对于金粒子尺寸和金-氧化钛相互作用的影响.从结果表明,通过不同温度焙烧并未改变二氧化钛自身的性质,且随着温度的升高,金尺寸在600℃之前变化较小,随后突然快速长大.在排除了不同样品的吸光性能的差异后发现,产氧活性随着Au尺寸长大而减少.从光电子能谱的结果发现,金-二氧化钛的界面相互作用随焙烧温度升高而逐步增强.进一步地,通过界面周长的归一化活性得出界面相互作用与产氧活性呈现近似线性关系.最后,通过对光沉积Au样品进行不同温度的煅烧发现大尺寸Au的粒径不随煅烧温度变化,而此时的产氧活性却随焙烧温度增加而增加,这进一步验证了界面相互作用对光催化水氧化的促进作用.综合以上结果可知,最终的等离激元诱导的可见光产氧活性是由尺寸与界面相互作用共同影响的结果,尺寸和界面相互作用的变化会共同影响热电子转移效率和表面反应效率,从而改变整体的光催化产氧效率.  相似文献   
130.
以YBa2Cu3O7-x(YBCO)超导涂层为导体的第二代高温超导带材由于其优异的本征性能,吸引着人们不断探索和研究其实用成材技术.现在,近千米长带的研制成功,使其已经或即将应用于电缆、马达和其他电力器件.为了更好地使YBCO涂层导体能够在高温高磁场下应用.最近在YBCO中引入钉扎中心以提高它的电磁性能的研究是一个热点.综述了近年来二代超导带材的发展状况,并对目前高温超导体中提高电学性能的研究做了较为系统的介绍.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号