用化学溶液方法在Ni-5at%W基底上制备La2Zr2O7过渡层的研究

La2Zr2O7(LZO)过渡层以其独特的物理化学性质越来越受到人们的关注。本文以乙酰丙酮镧和乙酰丙酮锆为前驱盐,丙酸为溶剂配置前驱液,用化学溶液方法(CSD)在具有立方织构的Ni-5at%W基底上制备了LZO过渡层薄膜。研究了前驱液成分、性质以及退火温度对LZO成相以及取向的影响。用常规XRD和X射线四环衍射仪分析了LZO薄膜的相成分和织构。结果显示,在1050℃下退火可以获得强立方织构的LZO薄膜,其中(222)峰的Phi扫描半高宽值为8.95°;(400)峰的Chi扫描半高宽值为6.8°。用高分辨扫描电子显微镜(FE-SEM)观察到LZO薄膜表面均匀致密,没有裂纹和空洞。     

焊接接头和U型试样中的氢分布

本文作者利用自行研制的激光测氢装置,测量了焊接接头和U型试样中的氢分布,并且推导了U型试样弯曲部分(塑性变形区)的应变、残余应力计算公式。结果表明:在焊接接头中,1.沿熔深方向上,氢分布是不均匀的。最高氢含量在熔合线附近;2.氢的具体分布情况,取决于焊缝金属和母材原始含氧量,以及金相组织。在U型试样中,1.计算应变的公式和应力公式可以用来计算无明显反弹的U型试样弯曲部分的应变量和残余应力值。1Cr18Ni9Ti(C.R.)钢的F=990MPa、n=0.146;2.氢分布明显受应力和应变的影响。应力、应变值愈大,含氢量愈高。     

非晶锂离子导体P2O5-0.7Li2O-0.4LiCl-0.1Al2O3的离子导电性与结构研究

本文研究了非晶锂离子导体P₂O₅-0.7Li₂O-0.4LiCl-0.1Al₂O₃的60目、120目、200目粉末、粉末压片和整片非晶在60至380℃的离子电导率和激活能。发现颗粒度减小能使离子电导率提高四倍以上,但不影响激活能,它归因于同一非晶相的界面效应。各样品在380℃等温热处理76h内的离子电导率和X射线衍射研究表明:颗粒度越小,晶化就越容易。整片非晶比粉末压片不仅电导率提高两个数量级,激 关键词：     

国内多孔硅研究近况

 硅和砷化镓的电子结构不同.前者属于间接带隙半导体,电子在价带和导带间的跃迁需要伴随声子的吸收或发射;而砷化镓属于直接带隙半导体,电子可以直接在价带和导带间跃迁.正是由于这个原因,砷化镓的发光效率远远大于硅.目前半导体光电器件均由砷化镓等直接带隙半导体制成.多孔硅是在单晶硅表面上制成的厚度约1-10μm的薄膜,其中含有百分之几十的孔隙,孔隙的横向直径很小,其量级为10nm,而高度可达μm量级.多孔硅在硅器件上有一定的应用前景.多年来不断有论文发表.     

电像法求解线电荷与带有半圆柱凸起的接地平板导体形成的电势和电场

利用电像法求解了线电荷与带有半圆柱凸起的接地导体平板形成的电势、电场分布,讨论了导体表面电荷分布特征,并用Matlab软件绘出了等势图.     

对一道静电计相关易错题的深入分析

1问题的引出【题目】如图1所示,电源电压为200V,两个电容器C1,C2完全相同,静电计读数U和电压表读数U′,以下结果正确的是A.U=100V,U′=100VB.U=0,U′=200VC.U=200V,U′=0D.U=100V,U′=0图1错解:许多学生(甚至教师)认为电压表和静电计都是测量电压的仪器,两者的读数应相同,错选选项A.静电计是研究     

导体表面的电荷分布

关于导体表面的电荷分布，部分普物教材和一些学者对此作过定量的计算和理论上的探讨，其中罗恩泽提出了导体表面电荷密度按表面曲率的分布函数理论．本文对罗恩泽的理论提出异议．笔者认为，赵凯华、戴显熹等人对此问题的论述是全面、正确的. 但他们的论述是定性的，本文对此作一些定量补充     

用概率断裂力学方法预测管状接头的疲劳寿命

本文研究了Ｔ型管状接头在面内和面外弯曲循环载荷作用下的疲劳强度问题，通过将材料常数和初始裂纹尺寸作为随机变量，采用ＭｏｎＣａｒｌｏ模拟方法对疲劳寿命进行了统计分析．同时，对计算结果进行了线性回归，并与实验结果作了比较。     

MgxZn1-xO结构性质

采用第一性原理计算模拟了不同组分的Mg_xZn_1-xO半导体混晶的晶格常数、总能、结构,以及禁带宽度的变化。计算结果显示,随着Mg组分的增加,晶格常数逐渐减小,晶体逐渐偏离纤锌矿结构。对各种不同的Mg原子排列情况进行比较认为,Mg_xZn_1-xO的结构随组分x的增大,发生从纤锌矿到岩盐矿的结构相变的可能性高于发生相分离。另一方面,禁带宽度随组分增大主要由价带顶的移动所致。进一步分析Mg原子各种电子态对价带的影响表明,Mg对价带顶附近能带的贡献依次来自p、d、s态电子。随着组分x的增加,p态电子在价带顶附近的密度明显提高,说明sp轨道杂化不但对晶体的几何结构产生影响,而且对其电子结构也起重要作用。