高磁导率合金设计研究和应用

介绍了高磁导率合金成分设计的最新发展，着重介绍了高磁导率，高磁导率和高磁化强度，高磁导率和高电阻率三类合金的最佳成分规律及该规律的某些应用。     

黄金比、银比和铜比及其推广

文 [1 ]给出了黄金比和银比的有趣性质 ,类似地还有另一种比———铜比 :设矩形两边长为a ,b(a >3b) ,切去三个边长为b的正方形 ,若剩余的矩形与原矩形相似 ,则称a∶b为铜比 .它与黄金比和银比一样 ,有相同的有趣性质 ,并且可以将其推广为“第k”比 .1　定义设矩形两边长为a ,b(a >kb) (k∈N+ ) ,切去k个边长为b的正方形 ,若剩余的矩形与原矩形相似 ,则称a∶b为“第k”比 ,记作 φk.为求 φk,可由等式a∶b =b∶(a -kb)解得 φk=k +k2 + 42 .2　性质性质 1　“第k”比的倒数 ,等于它的小数部分 .证　取 φk =k +k2 + 42 ,则 1φk =k2 + 4-k2…     

锰掺杂近化学计量比铌酸锂晶体的电荷输运过程

用泵浦(350 nm)-探测(780 nm)法研究了轻度锰掺杂近化学计量比铌酸锂晶体的光致吸收的特征,结果表明光致吸收的暗衰减过程以扩展指数的形式衰减,并测量了饱和光致吸收、衰减时间常量和扩展因子对泵浦光光强的依赖关系.在z轴方向上加直流电场测量了紫外光照射下光伏打电流强度和光电导,发现它们与光强之间成超线性关系.实验结果可以用考虑本征缺陷能级和掺杂能级之间激发和复合的修正的双中心电荷输运模型进行定量的解释.     

影响消光比测试精度的主要因素分析

介绍了脉冲激光测距机消光比测试系统的功能和结构。对影响脉冲激光测距机消光比测试精度的主要因素逐一进行了分析。结果表明 ,用消光比测试方法考核验收脉冲激光测距机的最大测程和整机测距灵敏度 ,替代现行的在野外对特定目标的实际测距考核和验收 ,有效地克服了气象差异对测量精度的影响和地形条件对测试工作的限制     

平行机半在线排序问题研究(Ⅱ)

继续介绍半在线平行机排序问题的研究进展．主要介绍第二类、第三类半在线模型．研究两个(或两个以上)半在线模型间关系：复合与限制．文章最后给出了一些待研究的问题。     

一种基于碳管场发射显示器结构分析

用边界元法(BEM)和MonteCarlo方法就一种基于碳纳米管场发射大面积彩色平面型显示器的可行性进行了理论分析,通过模拟跟踪发射电子轨迹,证实设计的显示器结构能够满足高分辨率显示的要求,而且驱动电压低、工艺简单,尤其和日本Cannon公司的M.Okuda等人提出的表面传导型场发射显示器结构相比,其电子传输比有大幅度的提高.     

单分子光子源信号背景比的研究

通过在不同信号背景比下的最佳信号噪声比分析,讨论单分子光子源背景信号分别为时间均匀分布和指数特性分布时同步取样时间的选取.在Hanbury-Brown-Twiss探测方式下,测量光子源的单事件光子统计概率P(n,n=0、1、2).研究给出在P(1)2P(2)-3P(2)时,直接测量单分子光子源的信号背景比的方法SBR=[P(1)]2/2P(2).当信号背景比SBR>2.41时研究给出判别单分子的方法P(2)<(2-4-2n-)2/2,n为每个激发周期内探测到的平均光子数.     

中子晕核引起核反应中的同位旋效应

利用同位旋相关的量子分子动力学(IQMD)对中子晕核，⁸He和¹⁰He引起核反应中重要的同位旋效应和松散的中子晕结构影响的平均特征进行了研究.因为IQMD中的互作用势和介质中核子-核子碰撞截面灵敏地依赖于碰撞系统的密度分布.而扩展的中子晕密度分布包含了中子晕核的同位旋效应和松散的中子晕结构的平均特征，从而将这些信息通过动力学碰撞带入到反应机理中. 为了清楚地鉴别中子晕核带入反应机理重要的同位旋效应和松散中子晕结构的影响，通过比较中子晕核和相等质量稳定弹核在相同入射道条件下，所得物理观测量之间的差别加以确定.计算结果确实发现具有初始晕核信息的中子扩展密度分布将重要的同位旋效应和松散中子晕结构带入到各种物理观测量中.例如与相等质量稳定相比，中子晕核的晕特征引起了原子核阻止的降低；并明显地增加了核子发射中子-质子比和同位旋分馏比. 关键词： 中子晕核 原子核阻止 核子发射中子-质子比 同位旋分馏比     

大功率分布反馈激光器中光栅优化及试验

对于分布反馈激光器来说，光栅的耦合系数是一个重要参数. 利用改进的耦合波理论计算了具体器件结构中光栅形貌对二级光栅耦合系数的影响. 在此基础上制作的器件功率达到了单面50 mW，边模抑制比为36 dB. 关键词： DFB激光器 耦合波理论 二级光栅 边模抑制比     

结构参数对聚苯乙烯光子晶体能带结构的影响

本文讨论了平板式光子晶体能带结构的计算方法，并利用平面波展开法研究了聚苯乙烯材料制作的平板式光子晶体的能带结构与晶格类型、填充比两个主要结构参数之间的关系．计算给出了晶格类型及填充比发生变化时光子禁带的变化规律．研究发现，当填充比（r／a）介于0．1～0．5之间时，四边形晶格结构和六角形晶格结构奇模和偶模均存在光子带隙，蜂窝状晶格只有偶模存在光子带隙，而且只有当填充比r／a〉0．46时才出现光子带隙．本文所得结果对聚苯乙烯光子晶体的制作和进一步应用研究奠定了理论依据．