多孔硅光致发光的温度效应研究

通过对多孔硅光致发光峰随测量温度变化的研究，发现随测量温度的下降，光致发光峰位有两种截然不同的移动方向：发光峰中心波长较长的样品，主峰向低能方向移动(即红移)；而发光峰位波长较短的样品则向高能方向移动(即蓝移).根据多孔硅光致发光峰的温度效应，定性地给出了发光效率随波长变化的模拟曲线，并由此能较好地解释多孔硅光致发光峰位随温度变化而移动的实验现象. 关键词：     

填样深度对多晶粉末X射线衍射仪测试结果的影响研究

从理论和实验两个角度研究了填样深度对多晶粉末X射线衍射仪中实验结果--峰位、半高宽(FWHM)、衍射强度的影响.结果表明,在对称反射几何情况下,金属及其合金样品填样深度效应可以忽略,填样深度在0.2～0.5 mm范围内能满足无穷厚度要求;对于绝大多数有机样品填样深度应不小于1.5 mm.     

面阵像元细分用于法布里珀罗标准具间隔测量

法布里珀罗(F-P)标准具间隔d的高准确度测量对干涉测量结果具有非常重要的影响。论文基于F-P干涉成像图片信息，结合峰位坐标局域细分原理和圆方程回归，尤其应用了一种新型的虚拟面阵像元细分和信号平滑化技术，准确地求出干涉图像各同心圆环直径D_i，实现干涉级次整数部分k₀和小数部分ε的准确计算，完成F-P间隔d的三波长小数重合法测定。实验对比分析了细分和非细分方式对测量结果的影响，测得细分方式下的d=(2 009.961 91±0.000 06) μm，d的不确定度粗估值(U_ε/k₀)=9.8×10-7。实验验证了像元细分方法的有效性，为提高间隔d的测量准确度提供了有效的途径和方法。     

InP基InAs量子线异常的变温光致发光谱研究北大核心CSCD

制备了InAs/InAlGaAs/InP(001)量子线结构,利用变温光致发光谱(PL)研究了InAs量子线的光学特性.随温度增加InAs量子线PL谱的发光峰位呈异常的S型变化,即:在15K^35K时峰位红移;在35K^55K温度范围内峰位发生了蓝移;随后随温度进一步增加,峰位再次发生红移.分析认为这种S型峰位的变化可能是由于不同温度下载流子的不同复合机制所引起的.     

红外反射法研究6H-SiC表面热氧化生长的SiO_2特性

本文利用红外反射峰位置与薄膜厚度及密度的关系研究了在SiC衬底上热氧化生长出的SiO2在退火前及在不同温度用高N2退火一小时后的1085cm-1附近红外反射峰的漂移情况,分析了SiO2的密度变化。密度的变化反映了退火中SiO2中的C和CO的扩散以及空位型缺陷的退火过程。     

基于分布式布拉格反射镜微腔的红绿蓝聚合物发光电化学池高色纯度光源

基于高色纯度的光源的显示技术具备宽色域、高色彩饱和度和高对比度的特点,能够给人们带来更好的视觉体验。近年来窄带宽光源的研制受到越来越多学者的关注。本文选择了三种典型的发光聚合物构筑聚合物发光电化学池(PLEC),利用分布式布拉格反射镜(DBR)和铝薄膜为腔对出射光谱进行窄化。结果表明,红绿蓝三色聚合物发光电化学池出射光的带宽可缩短至10、11和8 nm,色纯度得到了极大的提升。这种高色纯度光源的获得有望显著推动下一代显示技术的发展。     

因子分析-电感耦合等离子体原子发射光谱分析中的峰位优化及光谱干扰校正

将目标因子分析用于电感耦合等离子体原子发射光谱分析(ICP-AES)对高纯氧化铥中稀土杂质的测定及光谱重叠干扰校正.数据矩阵由纯光谱矢量、混合物光谱矢量及模型背景矢量构成.提出利用各目标矢量的真误差的平方和为评价函数优化扫描光谱峰位,从而消除扫描式ICP光谱仪发射光谱线的峰位移动给测定带来的影响.     

小单元漂移室用放射源模拟老化的实验研究

BESⅢ 漂移室(DC)模型用1.85X109 Bq 55Fe 5.9keV X射线放射源作加速老化实验研究.测量了阳极丝电流I和55Fe 5.9keV X射线全能光电峰位随累积电荷量Q的变化,由此得到累积相当BESⅢ DC 5年全天候运行的电荷量(0.07 C/cm)后,漂移室小单元的阳极电流降为初始值的87%;老化率为R=－0.19%/(mC/cm)     

BGO探测器温度特性教学实验装置的研制

针对在教学实验中使用BGO探测器对γ能谱进行测量时由于温度变化引起的峰位漂移、分辨率变化等问题，研制了BGOγ探测器温度特性教学实验装置，并应用于核技术实验教学中。     

关于InGaN/GaN多量子阱结构内量子效率的研究

利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底(0001)面生长了InGaN/GaN多量子阱结构,并测量了其荧光(PL)光谱的峰位能量和发光效率对温度和注入载流子密度的依赖性.结果显示,该样品PL的峰位能量对温度的依赖性是"S形"的(降低-增加-降低),并且最大发光效率出现在50 K左右.前者反映了InGaN阱层中势能的非均一性和载流子复合的局域特征,后者则表明了将极低温度下的内量子效率设定为100%的传统界定方法应当被修正.进一步的研究结果显示,发光效率不仅是温度的函数,同时也是注入载流子密度的函数.为此我们对传统的基于PL光谱测量来确定某结构(或器件)内量子效率的方法进行了修正:在不同温度下测量发光效率对注入载流子密度的依赖性,并将发光效率的最大值设为内量子效率是100%,这样,其他温度点和注入载流子密度点所对应的内量子效率也就随之确定.