q变形三参数公式对偶偶核基带的描述

利用q变形三参数公式,计算了锕系和稀土偶偶核基带转动谱,详细分析了拟合参数值呈现出的规律性.结果表明,q变形转动惯量转子模型能够较精确地描述偶偶核基带转动谱.     

q变形对相干态的相位概率分布特性

通过推广Pegg和Barnett的相位算符和相位态到q变形的双模情况, 应用数值计算 研究了q变形对相干态的相位概率分布特性. 结果表明, q变形对相干态的相位概率分布受到相位参数、q参数和参数│ξ│的调节, 从而反映出不同的量子相干特性.     

能动磨盘变形检测中的各误差因素分析

针对现有f530 mm能动磨盘的检测系统（有效检测口径f420 mm）,系统分析了检测过程中的球头误差、传感器安装角度误差和坐标定位误差,并给出了各项误差对检测精度的影响。同时,还针对检测基座不完全水平的问题建立模型,应用最小二乘法实现了检测数据的去倾斜处理。给出了实测数据去倾斜前后和误差补偿前后的检测精度对比情况,结果表明去倾斜算法能较好地还原实测数据,补偿检测中的系统误差有助于提高检测精度。     

微加工薄膜变形镜特性分析

 借助测量微加工薄膜变形镜驱动器的面形影响函数,分析了驱动器的电压-位移函数和驱动器之间的线性叠加性;通过对连续面形变形镜拟合像差的理论分析和实验研究,建立了微加工薄膜变形镜电压解耦模型。分析了对前36阶Zernike模式的拟合残差和拟合能力,指出微加工薄膜变形镜仅可用来拟合低级像差并且有较大的拟合能力和较小的拟合残差,而不能拟合高级像差。     

κ玻色子q相干态的反聚束效应

研究了q变形湮没算符高次幂（αq^k,κ≥3)本征态的反聚束效应，并就κ=3的情况用数值计算方法研究了q变形参数对该效应的影响。结果表明，当q变形相干态中谐振子的强度x=|z|^2在某些区间内取值时，αq^k的本征态将呈现反聚束效应，并且这一效应明显地受到q参数的影响。当参数q取定时，随着q变形光场强度的变大，该光场的光子数涨落在经典（或量子）和量子（或经典）特性之间交替地变化。     

Identical Superdeformed Bands in ^171Ta and ^173Re

The rotational band built on the i13/2 proton [660,1/2] Nilsson state in ^173Re is proven to be identical to that in ^171Ta.The close similarity of the two bands in ^171Ta and ^173Re suggests that the ^173Re nucleus with the odd proton based on the i13/2 [660,1/2] Nilsson state may be triaxially superdeformed.     

相位差与q变形广义相干叠加态的压缩特性

对于q变形的非简谐振子广义相干态的叠加态β〉+eiφβeiδ〉,其量子涨落的可能高阶压缩阶数可以表示为k≠2πn/δ,这里n是整数.当δ=π时,压缩阶数不能是偶数即只能是奇数,这正是q变形非简谐振子广义奇偶相干态的结果.由此表明参数相位差δ对决定q变形的非简谐振子广义相干态叠加态的高阶压缩阶数起决定性作用.     

时间序列散斑干涉技术研究及应用

当用相干激光照射在一个连续位移或变形的漫射物体表面时,在与参考光形成干涉的接收面上即产生一随时间变化的散斑干涉场通过对这一干涉场的时间域进行分析,可实现时变位移场的定量检测本文介绍了基本时间序列散斑干涉场的扫描相位方法和时间序列相位法的相位函数解调原理,探讨了它们的计量特性,并将其用于火箭固体燃料性能的检测.     

双面电弧焊接的传热模型

将等离子焊接(PAW)电弧和钨极氩弧焊(TIG)电弧串接,相对作用于工件的正反面形成双面电弧焊接(DSAW)系统,可以引导焊接电流沿工件厚度方向流过小孔,补偿等离子电弧穿透工件时消耗的能量,以有效地提高等离子弧的穿透能力.综合考虑影响双面电弧焊接正反面熔池几何形状的力学因素,建立了熔池表面变形的控制方程,以此为基础并采用帖体曲线坐标系建立了DSAW焊接传热的数学模型,分析了DSAW,PAW焊接传热的差异,从传热的角度解释了DSAW焊接熔深增加的原因.焊接工艺实验表明,计算结果与实测结果吻合良好. 关键词： 双面电弧焊接(DSAW) 传热模型 熔池表面变形模型     

微观IBM2的内禀凝聚态方法与168Er转动能谱的计算

本文采用内禀凝聚态方法,取消IBM2中通常采用的最大F旋截断近似,对变形核,用内禀凝聚态及其内禀激发来描述低能集体转动态.按照这种理论方法计算了¹⁶⁸Er的低能转动能谱.结果表明,对于激发带,最大F旋截断近似很不好.对中子玻色子和质子玻色子的内禀激发是分别进行的.