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111.
112.
高g值冲击下存储测试电路模块缓冲保护研究 总被引:7,自引:0,他引:7
为了采用弹载存储测试技术记录弹体高速侵彻硬目标过程中的加速度—时间曲线,必须对存储测试电路模块进行缓冲保护。本文利用非线性缓冲理论、技术,选择较理想的缓冲材料,设计出缓冲器件-泡沫铝试件,进行了静态压缩,得到应力-应变曲线,采用LS-DYNA模拟了空气炮冲击实验中泡沫铝试件的缓冲效果,并对应用于某型号弹侵彻混凝土靶的存储测试电路模块进行了缓冲保护,提高了数据的捕获率和电路模块的重复使用次数。通过试验证明了所设计缓冲器件对电路模块具有保护效果。 相似文献
113.
114.
多通道高速波形采集与分析系统 总被引:2,自引:0,他引:2
建立了基于GPIB总线技术和16台TDS684数字示波器组成的64通道高速波形采集及分析系统,研制了多路精密同步触发子系统,同步精度好于200ps,并开发了可视化的WINDOWS仪器控制和数据采集,处理程序。系统可对波形特征信息自动判读,并根据校准数据对测量结果进行修正,整个系统的时间间隔测量的不确定度为0.5ns。 相似文献
115.
116.
采用原位X射线衍射仪、拉曼光谱仪和X射线反射仪分别研究了Cu-Sb2Te 薄膜的微结构、成键结构和结晶前后的密度变化. Sb2Te薄膜的结晶温度随着Cu含量的增加而增大. 在10 at.%和14 at.% Cu的Sb2Te薄膜中, Cu与 Te 成键, 结晶相由六方相的Cu7Te4、菱形相的Sb及六方相的Sb2Te构成. 10 at.% 和14 at.% Cu 的Sb2Te薄膜在结晶前后的厚度变化分别约为3.2%和 4.0%, 均小于传统的Ge2Sb2Te5 (GST)薄膜. 制备了基于Cu-Sb2Te薄膜的相变存储单元, 并测试了其器件性能. Cu-Sb2Te器件均能在10 ns的电脉冲下实现可逆SET-RESET操作. SET和RESET操作电压随着Cu含量的增加而减小. 疲劳测试结果显示, Cu 含量为10 at.%和14 at.%的PCRAM单元的循环操作次数分别达到1.3×104和1.5×105, RESET和SET态的电阻比值约为100. Cu-Sb2Te可以作为应用于高速相变存储器(PCRAM)的候选材料. 相似文献
117.
针对传统的时间触发机器人控制系统中通信要求高的问题,提出了使用事件触发控制器的独轮移动机器人控制系统;首先,根据类仿真方法在忽略通信约束的条件下合成控制器;然后,将问题建模为混合系统并在网络上实现;最后,导出了合适的事件触发条件;实验结果显示,使用基于事件触发的控制算法后实现了系统的解耦和镇定,可调节系统在阶跃输入激励下的响应;相比传统的时间触发设置,在确保跟踪性能的前提下,提出的事件触发策略能显著减少通信需求,有望应用于真实系统。 相似文献
118.
119.
某风洞试验基地各试验外场分布在不同的物理区域,受多种条件制约,不宜采用集中式数据库,任务下达与数据上报采用手动分发与汇总,数据的时效性及完整性存在严重问题;分布式数据库可实现各场站的独立运行,但各场站与中心数据库的同步性、完整性、一致性成为最大的难题;文章根据分布式数据库的特点和风洞试验运行需求,提出了基于MSF(microsoft sync framework)框架并利用WCF(windows communication foundation)技术实现了数据自动上传下达并汇总的同步设计方案,解决了中心与下级场站之间的数据管理问题。 相似文献
120.