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自二十世纪的四十年代中期第一台电子计算机问世以来,计算机越来越深刻地影响科学技术和人类社会.存储器是计算机的重要组成部分,随着计算机的进步,存储器的发展也是日新月异的.计算机的存储器分为内存和外存二种,内存包括RAM(随机存储器)和ROM(只读存储器),外存一般是指磁带机、磁盘机以及新近发展起来的光盘机和光带机.目前这些存储器存贮信息的最高密度大约都在每平方厘米1兆字节的水平(每印刷页的书籍、杂志一般约包含5千字节的信息).能不能进一步提高信息存储密度呢?回答是肯定的,人们正在向这一方向前进.用传统的工艺和技术,如超大规模集成电路工艺,成倍地提高信息存储密度是可行的.但由于技术和工艺的复杂性,成量级的大幅度地提高存储密度则很困难. 相似文献
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给出B邻中国科学院计算技术研究所CAD实验室片错误纠错码的最佳设计,分析了其双字节错误的误纠概率,从而为码的实际应用提供了依据。 相似文献
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Restriction of shot noise and material noise in a multilevel photochromic memory on signal-to-noise
ratio
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The recording density of multilevel photochromic memory is limited
by the signal-to-noise ratio (SNR) of the readout signal. In this
paper, shot noise and material noise are investigated through
theoretical analysis of SNR. When the bandwidth of a system is less
than 1MHz, the material noise takes a prominent position; when the
bandwidth of the system is more than 10MHz, the shot noise becomes
dominant. The thickness of recording layer can be optimized to
maximize the SNR and reduce the influence of the bandwidth of the
system on SNR. 相似文献
97.
98.
The authors study recursive structures with "finite memory" in Euclidean matric space and the multifractal decomposition of the corresponding fractals. For any two positive numbers q,β, and such a recursive structure, a linear operator V^q,β in finite dimensional space is defined. The multifractal spectrum is given by the spectral radius of Vq,^β. 相似文献
99.
Mg-doped Sb3Te films are proposed to improve the performance of phase-change memory (PCM). We prepare Mg- doped Sb3Te films and investigate their crystallization behaviors, structural, optical and electrical properties. We find that Mg-doping can increase the crystallization temperature, enhance the activation energy, and improve the 10-year data retention of Sb3Te. Especially Mg25.19(Sb3Te)74.81 shows higher Tc (~ 190℃) and larger Ea (~ 3.49 eV), which results in a better data retention maintaining for 10 yr at ~ 112 ℃. Moreover Ra/Rc value is also improved. These excellent properties make Mg-Sb-Te material a promising candidate for the phase-change memory (PCM). 相似文献
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通过分析部分耗尽绝缘层附着硅互补金属氧化物半导体静态随机存储器(SRAM)在动态偏置条件下的电学参数和功能参数随累积剂量的变化规律, 研究了绝缘层附着硅(SOI)工艺SRAM器件在60Co-γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应及器件敏感参数与功能错误数之间的相关性,为进一步深入研究大规模SOI集成电路的抗总剂量辐射加固及其辐射损伤评估提供了可能的途径和方法.实验结果表明:辐射引起的场氧和埋氧漏电是功耗电流增大的主要原因; 阈值电压漂移造成输出高电平下降、低电平微小上升和峰-峰值大幅降低,以及传输延迟增大; 当总剂量累积到一定程度,逻辑功能因关断功能的失效而出现突变错误; 传输延迟和输出高电平与逻辑功能错误之间存在一定相关性. 相似文献