基于Monte Carlo模拟的三种不同结构单电子动态存储器特性比较

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光化学光谱烧孔频域光学存储技术

 自二十世纪的四十年代中期第一台电子计算机问世以来,计算机越来越深刻地影响科学技术和人类社会.存储器是计算机的重要组成部分,随着计算机的进步,存储器的发展也是日新月异的.计算机的存储器分为内存和外存二种,内存包括RAM(随机存储器)和ROM(只读存储器),外存一般是指磁带机、磁盘机以及新近发展起来的光盘机和光带机.目前这些存储器存贮信息的最高密度大约都在每平方厘米1兆字节的水平(每印刷页的书籍、杂志一般约包含5千字节的信息).能不能进一步提高信息存储密度呢?回答是肯定的,人们正在向这一方向前进.用传统的工艺和技术,如超大规模集成电路工艺,成倍地提高信息存储密度是可行的.但由于技术和工艺的复杂性,成量级的大幅度地提高存储密度则很困难.     

铁电存储技术

简要说明了铁电随机存储器的工作原理及特点，详细阐述了阻碍铁电存储技术发展的技术难点，重点讨论了铁电薄膜材料的疲劳机理，并对铁电存储器的发展作了展望。     

B邻接片错误纠错码的最佳设计

给出B邻中国科学院计算技术研究所CAD实验室片错误纠错码的最佳设计,分析了其双字节错误的误纠概率,从而为码的实际应用提供了依据。     

Restriction of shot noise and material noise in a multilevel photochromic memory on signal-to-noise ratio

The recording density of multilevel photochromic memory is limited by the signal-to-noise ratio (SNR) of the readout signal. In this paper, shot noise and material noise are investigated through theoretical analysis of SNR. When the bandwidth of a system is less than 1MHz, the material noise takes a prominent position; when the bandwidth of the system is more than 10MHz, the shot noise becomes dominant. The thickness of recording layer can be optimized to maximize the SNR and reduce the influence of the bandwidth of the system on SNR.     

语音录制与播放系统在单片机的硬件实现

语音识别控制系统需要对语音进行录制与播放处理,利用单片机实现该功能可克服传统语音录制与播放系统需外接语音处理模块、体积大且使用较复杂的缺点。因此选用SPR4096存储器作为语音的数字化信号存储器件,利用凌阳16位单片机设计与实现语音录制与播放硬件系统。结果表明,该硬件系统降低了电路复杂度和制作成本,简单易行,具有有较高的实用价值。     

MULTIFRACTAL DECOMPOSITION OF FRACTALS WITH FINITE MEMORY

The authors study recursive structures with ＂finite memory＂ in Euclidean matric space and the multifractal decomposition of the corresponding fractals. For any two positive numbers q,β, and such a recursive structure, a linear operator V^q,β in finite dimensional space is defined. The multifractal spectrum is given by the spectral radius of Vq,^β.     

Phase transformation in Mg Sb_3Te thin films

Mg-doped Sb3Te films are proposed to improve the performance of phase-change memory （PCM）. We prepare Mg- doped Sb3Te films and investigate their crystallization behaviors, structural, optical and electrical properties. We find that Mg-doping can increase the crystallization temperature, enhance the activation energy, and improve the 10-year data retention of Sb3Te. Especially Mg25.19（Sb3Te）74.81 shows higher Tc （~ 190℃） and larger Ea （~ 3.49 eV）, which results in a better data retention maintaining for 10 yr at ~ 112 ℃. Moreover Ra/Rc value is also improved. These excellent properties make Mg-Sb-Te material a promising candidate for the phase-change memory （PCM）.     

部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究

通过分析部分耗尽绝缘层附着硅互补金属氧化物半导体静态随机存储器(SRAM)在动态偏置条件下的电学参数和功能参数随累积剂量的变化规律, 研究了绝缘层附着硅(SOI)工艺SRAM器件在⁶⁰Co-γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应及器件敏感参数与功能错误数之间的相关性,为进一步深入研究大规模SOI集成电路的抗总剂量辐射加固及其辐射损伤评估提供了可能的途径和方法.实验结果表明:辐射引起的场氧和埋氧漏电是功耗电流增大的主要原因; 阈值电压漂移造成输出高电平下降、低电平微小上升和峰-峰值大幅降低,以及传输延迟增大; 当总剂量累积到一定程度,逻辑功能因关断功能的失效而出现突变错误; 传输延迟和输出高电平与逻辑功能错误之间存在一定相关性.