二元氧化物绝缘层的溶液法制备及在阻变存储器中的应用

阻变存储器(RRAM)凭借可高度集成、可同时存储和运算、运行速率快、功耗低等特性,成为最具潜力的存储技术之一。因电学性能优良且与互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容性好,二元氧化物材料在RRAM的发展中具有重要意义。与传统绝缘层沉积工艺不同,溶液法制备绝缘层是先将前驱体溶液制成薄膜,再将薄膜通过不同的工艺转化为绝缘层。因此前驱体溶液种类以及转化工艺均对所制备的绝缘层的微观结构、化学组成和电学性能具有直接的影响。本文首先简要介绍了RRAM的发展历程及作用机制;其次综述了溶液法制备氧化物材料在忆阻器中的应用,重点围绕前驱体溶液组成、转化机理与所制备氧化物绝缘层结构性能关系对已报道的结果进行分析,最后阐述了溶液法制备绝缘层材料面临的关键问题并展望了其未来发展方向。     

不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究

给出了不同集成度16K—4Mb随机静态存储器SRAM在钴源和北京同步辐射装置BSRF3W1白光束线辐照的实验结果;通过实验在线测得SRAM位错误数随总剂量的变化,给出相同辐照剂量时20—100keVX光辐照和Co⁶⁰γ射线辐照的剂量损伤效应的比例因子;给出集成度不同的SRAM器件抗γ射线总剂量损伤能力与集成度的关系;给出不同集成度SRAM器件的X射线损伤阈值.这些结果对器件抗X射线辐射加固技术研究有重要价值.     

Information Erasure and Recovery in Quantum Memory

We show that information in quantum memory can be erased and recovered perfectly if it is necessary. The fact that the final states of environment are completely determined by the initial states of the system allows an erasure operation to be realized by a swap operation between the system and an ancilla. Therefore, the erased information can be recovered. When there is an irreversible process, e.g. an irreversible operation or a decoherence process, in the erasure process, the information would be erased perpetually. We present that quantum erasure will also give heat dissipation in the environment. A classical limit of quantum erasure is given to coincide with Landauer‘s erasure principle.     

迈向21世纪的磁学和磁性材料

在回顾２０世纪中磁学随物理学一起获得重大发展的基础上，指出在２１世纪磁学将在与生命科学的交叉中获得新的发展，例如研究生物体中的磁现象，研究磁场对生物体的影响，磁学手估，在生命科学研究中的应用等。文章同时还介绍了磁学在２１世纪可能获得的其他进展，如量子磁存储器，各种分子磁材料以腑氏维磁性功能材料等。     

中科院物理所研制成功一种新型磁随机存取存储器(MRAM)原理型器件

新型磁随机存取存储器（MRAM）是今后新一代计算机、信息和通信技术中的核心器件，具有数据非易失性、抗辐射性、高速、高密度、低功耗、长寿命等特点。以计算机为例：（1）磁随机存储器（MRAM）；（2）300Gbit,／inch2以上高密度高容量磁硬盘；（3）高频CPU；（4）大屏幕长寿命低功耗液晶显示器，基本上能构成今后一段时期一些高性能计算机的主要核心部件。因此，新型磁随机存储器（MRAM）不仅对计算机更新换代起到重要推动作用，而且也对信息和通信技术中的信息快速交换、安全处理和永备保存等等，起到至关重要的作用。     

纳米静态随机存储器质子单粒子多位翻转角度相关性研究

器件特征尺寸的减小带来单粒子多位翻转的急剧增加, 对现有加固技术带来了极大挑战. 针对90 nm SRAM(static random access memory, 静态随机存储器)开展了中高能质子入射角度对单粒子多位翻转影响的试验研究, 结果表明随着质子能量的增加, 单粒子多位翻转百分比和多样性增加, 质子单粒子多位翻转角度效应与质子能量相关. 采用一种快速计算质子核反应引起单粒子多位翻转的截面积分算法, 以Geant4中Binary Cascade模型作为中高能质子核反应事件发生器, 从次级粒子的能量和角度分布出发, 揭示了质子与材料核反应产生的次级粒子中, LET(linear energy transfer)最大, 射程最长的粒子优先前向发射是引起单粒子多位翻转角度相关性的根本原因. 质子能量、临界电荷的大小是影响纳米SRAM器件质子多位翻转角度相关性的关键因素. 质子能量越小, 多位翻转截面角度增强效应越大; 临界电荷的增加将增强质子多位翻转角度效应.     

物理学将又一次推动电脑技术创新——下一代存储器MRAM有望于2010年取代当前的传统内存

德国科学家8月19日在Physics Review ktters上发表论文,宣布开发出一种目前最佳的利用自旋极化电子流对磁比特进行超高速度赋值的技术.他们乐观地认为,利用这一技术将很快开发出无论存取速度或是存贮密度都可与常规存贮芯片媲美的磁随机存贮器(MRAM),并在2010年左右进入商业化生产.     

分子电子学

 一、什么是分子电子学分子电子学(molecularelectronics),是指用有机功能材料的分子构筑电子线路的各种元器件,如分子开关、分子整流器、分子晶体管等,并测量和解析这些分子尺度元器件的电特性或光特性的一门学科。20世纪是无机半导体的世纪,21世纪将是有机分子电子学的世纪。科学家们根据摩尔定律预测,无机半导体集成电路的发展,将在2020年左右达到极限。随着人类进入信息时代,电子技术要求器件和系统向“更小”“更快”“更冷”的方向发展。     

利用象平面内积的关联存储器

本文提出了一种通过多重成象系统直接利用象平面内积运算用实值函数简单地实现关联存储器的方法,文中分析了这种关联存储器的基本原理,并给出了实验结果。