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11.
随着能源紧缺与环境污染问题的日益严重,太阳能的开发利用越来越受到重视,其中非晶硅薄膜太阳能电池由于其制备工艺简单、价格低廉等优点被广泛地研究.为了使非晶硅薄膜太阳能电池得到更好地利用,提高其转换效率和稳定性显得尤为重要.引入复合背电极是提高非晶硅太阳能电池性能的有效手段,其中对GZO/Al复合背电极的研究还未见报道.在该工作中,利用磁控溅射法在非晶硅电池上制备了GZO/Al复合背电极,研究了复合背电极的制备条件及其对非晶硅太阳能电池性能的影响.结果显示,当GZO层的溅射功率为90 W、Al层的溅射功率为90 W时,具有复合背电极的太阳能电池表现出较好的光电转换性能,其短路电流(ISC)、开路电压(VOC)、填充因子(FF)和电池的光电转换效率(η)分别为8.92 mA、1.55 V、54.48;和7.53;.相较于单层Al背电极的太阳能电池,其光电转换效率大幅提高了47.6;(相对效率). 相似文献
12.
通过实验方案,对影响染料敏化太阳能电池(DSSC)的敏化条件进行了优化设计,在光阳极初始默认的制作条件下,从海带中提取叶绿素,分别对影响DSSC光电性能的敏化染料溶液浓度、pH值、温度、受光时间、敏化时间、对电极背景色等影响因素逐一进行研究,最终确定了光阳极敏化的最优条件:醇水溶液的最佳稀释比为1:2,最佳敏化pH=8,最佳敏化温度为30℃,最佳敏化时间24 h,黑暗环境下敏化效果最好,且对电极采用镜面背景最佳,最终获得光电转换效率0.76;. 相似文献
13.
14.
针对浅海环境中利用单深度接收信号自相关函数的Warping变换方法测距时易出现的多值性问题, 提出一种双深度Warping变换融合测距方法。该方法将双深度测量场的Warping变换提取结果与具有深度差异的拷贝场本征函数信息融合, 判别简正波干涉项模态, 提高测距的准确度。此外, 针对实际海洋环境中测量场Warping变换特征峰位置难以准确提取的问题, 将Warping变换的频率不变性与图像形态学方法结合以增强特征频率结构, 提高后续测距的稳健性。海试数据处理结果显示, 测距结果与实际距离符合较好, 表明所提方法具有实际可行性。
相似文献15.
16.
17.
1 “伴随”的多义文 [1 ]正确地指出了 ,在现行许多线性代数教材中 ,“伴随矩阵 A*”在不同的地方代表了两个完全不同的对象 .在求逆矩阵时 ,伴随矩阵 A* =(Aji)在复欧氏空间中研究正交变换时 ,伴随矩阵 A* =(aji)同一名词同一符号代表两个完全不同的对象 ,违背了科学名词应遵循的一词一义的单义性原则 ,因此 ,便会出现混淆的弊病 .克服重名的办法 ,只需将其一改个名字即可 .然因“伴随”并未很好地反映它所代表之对象的意义与特性 .为了词、义相符 ,文 [1 ]作者在 [2 ]中倡导“称 (Aji)为 A的余子式转置阵”这就反映出它的特征和产生… 相似文献
18.
利用PPG-Ⅰ脉冲功率装置(500 kV,400 kA,100 ns)驱动X箍缩负载,得到了μm量级的亚纳秒脉冲X射线辐射点源。在阴阳极轴线和回流柱上同时安装X箍缩负载,前者可作为背光照相的X射线点源;后者可作为被拍照的目标X箍缩。获得了X箍缩发展过程不同时刻的时间序列图像,在背光照相的图像中可以清晰观察到X箍缩交叉点处等离子体的外爆、箍缩以及最终的崩溃阶段。将阴阳极轴线上的X箍缩负载用Z箍缩丝阵负载代替,实现了对丝阵负载Z箍缩放电起始阶段的X射线背光照相,观察到了最初的各单丝电爆炸、等离子体膨胀及融合过程,同时观察到了双丝Z箍缩发展过程中的等离子体不稳定性。实验结果有助于深入理解Z箍缩发展的物理过程,同时可为有效的模拟建模分析提供基本的实验数据。 相似文献
19.
设计合成了6个带有烷基链的D-π-A型有机光敏染料应用于染料敏化太阳能电池. 发现长链烷基有利于电池开路光电压的提高. 利用脂肪酸共敏化可进一步提高染料分子的敏化效果, 且提高的程度与脂肪酸的链长有重要关系. 相似文献
20.
聚3-己基噻吩(P3HT)以其合成工艺简单、成本低廉的优势,成为有机光伏领域中最具吸引力的电子给体材料之一。然而,目前P3HT: 非富勒烯太阳能电池的光伏性能仍然较差。在本工作中,我们证明了与P3HT: 富勒烯太阳能电池相比,较快的电荷转移态的非辐射衰减速率(Knr)是导致P3HT: 非富勒烯太阳能电池中较低的量子效率和较高的电压损失的原因。然后,我们研究了基于非富勒烯受体ZY-4Cl的太阳能电池的工作机理。研究结果表明与P3HT: 非富勒烯体系相比,P3HT: ZY-4Cl中Knr的降低改善了器件的量子效率,同时降低了电压损失。Knr降低的原因可以部分归因于电荷转移态能量的增加。此外,给体分子和受体分子之间的距离(DA间距)的增大也是Knr减少的重要原因。因此,我们得出结论:为了提高P3HT太阳能电池的性能,需进一步降低器件的Knr,这可通过增加活性层中的DA间距来实现。 相似文献