首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3378篇
  免费   1702篇
  国内免费   885篇
化学   938篇
晶体学   57篇
力学   118篇
综合类   55篇
数学   92篇
物理学   4705篇
  2024年   42篇
  2023年   134篇
  2022年   146篇
  2021年   172篇
  2020年   96篇
  2019年   161篇
  2018年   127篇
  2017年   129篇
  2016年   176篇
  2015年   181篇
  2014年   320篇
  2013年   260篇
  2012年   248篇
  2011年   290篇
  2010年   284篇
  2009年   304篇
  2008年   320篇
  2007年   284篇
  2006年   243篇
  2005年   241篇
  2004年   266篇
  2003年   201篇
  2002年   172篇
  2001年   142篇
  2000年   115篇
  1999年   98篇
  1998年   93篇
  1997年   83篇
  1996年   80篇
  1995年   85篇
  1994年   87篇
  1993年   93篇
  1992年   90篇
  1991年   45篇
  1990年   69篇
  1989年   42篇
  1988年   13篇
  1987年   9篇
  1986年   7篇
  1985年   4篇
  1984年   6篇
  1983年   3篇
  1982年   2篇
  1981年   1篇
  1980年   1篇
排序方式: 共有5965条查询结果,搜索用时 281 毫秒
21.
辐射加热金X光再发射时间测量   总被引:4,自引:3,他引:1       下载免费PDF全文
利用星光Ⅱ三倍频激光打双盘靶,研究了辐射加热材料的X光发射时间。激光脉冲能量40~60J、脉冲宽度600~700ps。通过两台时间关联的亚千X光能谱仪分别监测双盘靶初、次级发射X光谱,给出了辐射加热次级X光再发射时间。  相似文献   
22.
非灰介质中辐射直接交换面积的计算   总被引:2,自引:2,他引:0  
聂宇宏  陈海耿 《计算物理》1997,14(3):345-348
用宽带胶其修正模型模拟非灰介质的辐射特性,并将它用于区域法模型,计算了非灰气体介质中表面一表面之间的辐射直接交换面积。结果表明,修正的宽带模型对气体辐射特性的描述是比较准确的,且它易于与区域法相结合。  相似文献   
23.
高功率飞秒脉冲激光器的进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
概述了超短激光脉冲技术发展的历程。详尽的论述了啁啾脉冲放大技术的原理和一些关键技术 ,并对当今飞秒激光器研究发展的状况进行了综述。在分析其应用前景的基础上 ,进一步指出了这一技术领域未来的发展趋势。结果表明 ,脉冲激光放大系统以后的发展方向是 :更短脉冲 ;追求更高峰值功率 ;连续光谱调谐化 ;向小型化乃至全光纤化发展。  相似文献   
24.
软X光辐射烧蚀实验方法研究   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
 用强激光辐照金箔靶,以金箔背侧软X光辐射为基础,提出了软X光辐射烧蚀研究的新靶型、新方法,做了C8H8样品辐射烧蚀初步实验。  相似文献   
25.
郭云  王恩科 《中国物理 C》2006,30(5):417-422
在e-A深度非弹性散射过程中, 喷注穿过冷核介质时, 多重散射诱导胶子辐射会导致对碎裂函数的修正及喷注的能量损失.前期研究中关于计算e-A深度非弹性散射中胶子辐射振幅的两种方法: 螺旋振幅近似和微扰QCD严格计算都异常繁杂. 本文发展了一种新的方法, 可以方便计算出多重散射导致胶子辐射的振幅, 得到的碎裂函数的修正以及能量损失与严格计算的结果一致.  相似文献   
26.
Phase change memory (PCM) cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state (higher resistance state) to the crystalline state (lower resistance state). The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low (only several μA). An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad(Si), which makes it attractive for space-based applications.  相似文献   
27.
翁羽翔 《物理》2002,31(11):754-754
“中国科学院超快现象和太赫兹辐射学术研讨会”于 2 0 0 2年 7月 2 2日至 2 5日在北京中国科学院物理研究所举行 .本次会议由中国科学院主办 ,中国科学院物理研究所承办 ,中国科学院上海微系统与信息技术研究所、美国伦斯勒理工学院共同协办 .会议的三位主席分别是物理所张杰研究员、美国伦斯勒理工学院的张希成教授和上海微系统与信息技术研究所的封松林研究员 .物理所的翁羽翔研究员担任会议秘书长 .这次大会是我国在超快现象和太赫兹辐射领域组织的第一次专业学术会议 ,是对国内在超快现象和太赫兹辐射领域研究水平的一次较全面的检阅 .…  相似文献   
28.
Spectrum Simulation of Li-Like Aluminium Plasma   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
X-ray emission spectra for L-shell of Li-like aluminium ions are simulated by using the flexible atomic code based on the collisional radiative model. Atomic processes including radiative recombination, dielectronic recombination, collisional ionization and resonance excitation from the neighbouring ion (Al^9+ and Al^11+ ) charge states of the target ion (Al^10+) are considered in the model. In addition, the contributions of different atomic processes to the x-ray spectrum are analysed. The results show that dielectronic recombination, radiative recombination, collisional ionization and resonance excitation, other than direct collisional excitation, are very important processes.  相似文献   
29.
王薇  张杰  赵刚 《物理学报》2006,55(1):287-293
利用辐射流体力学程序对三倍频纳秒激光与靶物质相互作用进行了模拟研究,得到了可以产生黑体辐射谱分布的激光等离子体X射线辐射靶的最佳厚度;数值模拟研究了黑体谱分布的X射线辐射场对等离子体系统平均离化度分布的影响,它有助于深入理解天体物理中吸积盘对它周围星际物质的离化影响. 关键词: 辐射流体力学 激光等离子体 X射线辐射 吸积盘 离化  相似文献   
30.
The nonradiative recombination effect on carrier dynamics in GalnNAs/GaAs quantum wells is studied by timeresolved photoluminescence (TRPL) and polarization-dependent TRPL at various excitation intensities. It is found that both recombination dynamics and spin relaxation dynamics strongly depend on the excitation intensity. Under moderate excitation intensities the PL decay curves exhibit unusual non-exponential behaviour. This result is well simulated by a rate equation involving both the radiative and non-radiative recombinations via the introduction of a new parameter of the effective concentration of nonradiative recombination centres in the rate equation. In the spin dynamics study, the spin relaxation also shows strong excitation power dependence. Under the high excitation power an increase of spin polarization degree with time is observed. This new finding provides a useful hint that the spin process can be controlled by excitation power in GaInNAs systems.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号