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911.
[RuCl2(PPh3)3],B10H102-与p-BrC6H4COOH在CH2Cl2中回流, 得到两个闭式十一顶钌十硼烷簇合物: [(PPh3)(p-BrC6H4CO2)2RuB10H8]
(1) 和 [(PPh3)2Ru(PPh3)(p-BrC6H4CO2)RuB10H9]
(2), 并进行了元素分析、红外光谱、1H核磁共振谱、13C核磁共振谱、X-射线单晶衍射表征. 簇合物1属于单斜晶系,空间群为C2/c, a = 2.569(4) nm, b=1.546(2) nm, c=1.927(3) nm, β=95.11(2)°, Z=8, V=7.622(21) nm3, Dc=1.533 Mg/m3,
F(000)=3472, S=1.009, R=0.0418,
wR=0.0775; 簇合物2属于三斜晶系, 空间群为P-1, a = 1.3142(3) nm, b=1.3761(3) nm, c=1.8503(4) nm, α=90.445(4)°, β=105.950(4)°, g=108.980(4)°, Z=2, V=3.0251(12) nm3,
Dc=1.434Mg/m3, F(000)=1316, S=1.007, R=0.0464, wR=0.1175.
单晶结构分析表明, 两个簇合物的中心都具有一个闭式1:2:4:2:2堆砌结构的十一顶{RuB10}金属硼烷骨架, 硼笼开口处具有船式构象的环状的六个硼原子对Ru(1)原子呈h6船式配位. 在簇合物1中, 钌原子有三个簇外配体, 一个三苯基膦, 两个对溴苯甲酸根. 对溴苯甲酸根上另外的两个氧原子分别取代了B(2)和B(3)上的氢原子, 从而在簇合物的两侧形成两个对称的Ru-O-C-O-B五员环. 簇合物2是一个双金属钌硼烷簇合物,
Ru(2)通过一个Ru-Ru键和两个{RuHmB}桥键与簇合物中心{RuB10}相连, 从而在簇外形成了一个变形的Ru(1)-Ru(2)-B(3)-B(6)四面体结构. 相似文献
912.
LIU Sheng-Li② DAI Jing-Fang CHEN Yong LIU Han-Wen 《结构化学》2005,24(3):324-328
1 INTRODUCTION The molecular assembly of one- or multi-dimen-sional aggregation by hydrogen bonds is now an im-portant subject of supramolecular chemistry and crys-tal engineering[1, . Supramolecular structures formed 2]via intermolecular hydrogen bonds X–H…X or C–H…X (X = O, Cl, N, et al.) are very common inorganic compounds[3~12], and they generally possessdifferent properties due to these hydrogen bonds. Concerning about the spectra of benzene-contai-ning… 相似文献
913.
A new activation method has been developed for electroless copper plating on silicon wafer based on palladium chemisorption on SAMs of APTS without SnCl2 sensitization and roughening condition.A closely packed electroless copper film with strong adhesion is successfully formed by AFM observation.XPS study indicates that palladium chemisorption occurred via palladium chloride bonding to the pendant amino group of the SAMs. 相似文献
914.
基于双尺度渐近分析的有限元算法 总被引:9,自引:1,他引:9
1.引言正如文山所说,由于复合材料和周期结构的材料系数ail(x)在局部区域内间断且跳跃性很大,加上区域内含有周期性洞穴或裂缝,且周期长度很小.一般而言,直接采用有限元方法进行数值模拟,其计算量大得惊人,甚至难以实现.文山针对这种特征,提出了一种可计算的双尺度渐近分析模式,本文在此基础上给出了相应的有限元算法,它包括:1.周期解在一个基本构造上的有限元计算;2.边界层的有限元计算.同时,给出了相应的误差分析.2.周期解的有限元计算首先考虑下列形式的边值问题;其中把,代E尸(on叫,iii(0关于E—(EI,ZZ… 相似文献
915.
916.
使用PSD作为大口径光学元件表面加工质量的评价参数,针对不同的波前调制进行了初步的模拟计算,得到了不同调制频率和不同调制深度情况下的PSD曲线变化情况。当调制频率不同时,PSD曲线的突变部分会发生相应的频移,调制频率高则突变发生在空间频率较高的频段,同时PSD峰值不变。相对应调制深度不同时,PSD曲线的突变部份峰值发生变化,调制深度大则峰值大,与此同时峰值出现的位置不会发生变化。计算和分析结果表明PSD分析结果能够在频率域反应出元件表面受到的不同程度的调制信息。 相似文献
917.
研究了客体模型FTO的闪光照相系统X光输运过程,给出了直穿照射量、散射照射量、直散比、直穿照射量能谱、散射照射量能谱、直穿X光通量能谱和散射X光通量能谱在记录平面的空间分布。结果表明:后锥是照射量散射成分的主要来源,后锥照射量占总散射量97%;后锥也是造成散射的空间分布不均匀的主要器件,这一不均匀性高达58%。照相系统的最小直散比非常小,表明锥造成的散射已经严重地淹没了直穿(轫致辐射)信号。计算中使用高空间分辨率记录法进行分点,合成图像对吸收系数的复原结果与国外报道的结果相符。 相似文献
918.
采用时域有限差分方法,对水平极化电磁脉冲模拟器所产生的电磁场进行数值模拟,在时域中计算了电磁场的时间 空间分布。讨论了电磁脉冲模拟器产生的电磁脉冲波形和场的空间变化、均匀性等重要因素。结果表明,模拟器产生的电磁脉冲前沿为10ns,接近脉冲电压前沿,波形与脉冲电压波形(双指数波)相差较大;峰值场强在对称轴上并非与距离成反比,而是随距离增大而迅速减弱;该模拟器的双锥 笼形天线能在大范围内(大于等于50m,水平方向)产生均匀分布、高峰值场强、快前沿的电磁脉冲。 相似文献
919.
920.
建立了一种基于状态分析的电子系统抗辐射能力评估方法,该方法以电子系统中单元器件的辐射效应实验数据为基础,采用行为级电路仿真方法对电子系统功能状态进行分析,并应用蒙特卡罗方法模拟辐射损伤随机性对系统功能状态的影响,最终结合系统功能阈值,给出系统功能的裕量及不确定度估计,进而对系统抗辐射能力进行评估。为了验证评估方法的可行性,应用该方法对某模数转换电子系统的抗总剂量能力进行了评估,并将评估结果与该电子系统的总剂量效应实验结果进行了对比。结果表明该评估方法能够定量给出系统功能在受到辐射损伤后的变化,评估方法给出结果与实验结果在变化趋势和评估结论上基本一致。 相似文献