首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5827篇
  免费   1905篇
  国内免费   1450篇
化学   3311篇
晶体学   263篇
力学   83篇
综合类   105篇
数学   35篇
物理学   5385篇
  2024年   56篇
  2023年   161篇
  2022年   228篇
  2021年   225篇
  2020年   155篇
  2019年   206篇
  2018年   118篇
  2017年   173篇
  2016年   252篇
  2015年   254篇
  2014年   542篇
  2013年   410篇
  2012年   507篇
  2011年   518篇
  2010年   486篇
  2009年   495篇
  2008年   539篇
  2007年   447篇
  2006年   427篇
  2005年   429篇
  2004年   406篇
  2003年   349篇
  2002年   286篇
  2001年   237篇
  2000年   191篇
  1999年   168篇
  1998年   140篇
  1997年   140篇
  1996年   144篇
  1995年   99篇
  1994年   89篇
  1993年   82篇
  1992年   87篇
  1991年   36篇
  1990年   35篇
  1989年   30篇
  1988年   5篇
  1987年   11篇
  1986年   3篇
  1985年   4篇
  1984年   1篇
  1983年   4篇
  1982年   3篇
  1980年   1篇
  1979年   2篇
  1975年   1篇
排序方式: 共有9182条查询结果,搜索用时 0 毫秒
51.
52.
研究了单端加载铁电叉指电容的微带半波长谐振器的压控特性.铁电材料为LaAlO3衬底上脉冲激光淀积的SrTiO3,叉指电容电极为金.测量了谐振器77K下的压控谐振性能.谐振频率在6GHz左右,70V偏压下的压控频率范围大于180MHz.在10~40V内,谐振频率与偏置电压之间呈良好的线性关系,谐振器的有载Q值为60~90.  相似文献   
53.
本文采用全波电磁仿真方法设计、制作并测试了一种工作于C波段的星载高温超导微波双工器,采用的材料是在厚度为0.5mm介电常数为23.5的LaAlO3衬底上用磁控溅射法制备而成的双面氧化物高温超导薄膜YBCO.利用在微波范围内,高温超导薄膜的Q值比常规导体高1~3个数量级的特点,实现了器件的小型化和低插损.  相似文献   
54.
提出了一种用于高温超导滤波器制作的新结构窄带广义切比雪夫函数高、低通滤波器级联方式.该方式利用高温超导低插损特性,可以有效地降低极陡峭广义切比雪夫函数低通、高通滤波器的带边频滚降.依靠高、低通滤波器级联方式构建新形式的窄带极陡峭低插损高温超导滤波器,并与已有高温超导滤波器进行了比较分析.  相似文献   
55.
硒化镉量子点具有随粒径尺寸改变,而产生发光波长调变的特性,目前已被广泛研究。本研究是由化学溶胶法合成不同粒径尺寸的核壳型CdSe/ZnS硒化镉量子点,其表面包覆十六烷基胺,避免分子团聚现象。在由硒化镉成核温度的控制,成功地制备一系列具有各种尺寸粒径的核壳型硒化镉量子点(2—6nm)。本研究也合成了含有纳米金粒子于核壳型硒化镉量子点,实验结果发现:硒化镉发光效率明显的提高。在有机发光器件的应用方面,将发光波长为505nm核壳型CdSe/ZnS量子点掺入溶有发光波长为570nm铱化合物的氯仿溶液时,其溶液的光致发光光谱表明,原量子点的发光特性消失,只有铱化合物的发光依然存在,且其发光强度呈现明显增强趋势,我们推测此现象源自于量子点到铱化合物能量转移的机制。我们也以含有核壳型硒化镉量子点的铱化合物与PVK混合材料为发光层,成功的制作发光二极管器件,器件的发光效率因核壳型硒化镉的掺杂,明显提高2倍多。  相似文献   
56.
用于FED和PDP平板显示高压驱动电路的CMOS器件   总被引:1,自引:0,他引:1  
李桦  宋李梅  杜寰  韩郑生 《发光学报》2005,26(5):678-683
在Synopsys TCAD软件环境下,结合中国科学院微电子研究所0.8μm标准CMOS工艺条件对于高压CMOS器件进行了工艺和器件模拟。由于考虑到与标准CMOS工艺的兼容性,高压CMOS器件均采用LDMOS结构;根据RESURF技术,对于器件的漂移区进行了优化。器件模拟结果表明,高压NMOS器件源漏击穿电压为220 V;阈值电压和驱动能力分别为0.8 V和1×10-4A/μm。高压PMOS器件源漏击穿电压为-135 V;阈值电压和驱动能力分别为-9.7 V和1.8×10-4A/μm。高压CMOS器件的研制可为进一步研制FED和PDP平板显示高压驱动电路奠定基础。  相似文献   
57.
3C-SiC纳米颗粒量子限制效应的实验证据   总被引:3,自引:0,他引:3  
范吉阳  吴兴龙  邱腾 《物理》2005,34(8):570-572
报道了关于3C—SiC纳米颗粒量子限制效应的实验证据.将电化学腐蚀3C—SiC多晶靶材得到的多孔材料在水溶液中进行超声处理,制备出发光的3C—SiC纳米颗粒溶液.透射电镜实验表明,所得颗粒直径分布在1-6nm范围,光致发光谱实验给出了存在量子限制效应的实验证据.发光范围在440-460nm.SiC纳米颗粒量子限制效应的发现,为该材料在光电子发光器件中的应用提供了重要的实验基础.  相似文献   
58.
We propose an efficient scheme for optimizing the optical memory of a sequence of signal light pulses in a system of ultracold atoms in ∧ configuration.The memory procedure consists of write-in,storage,and retrieval phases.By applying a weak microwave field in the storage stage,additional phase-dependent terms are included,and the contrast of the output signal pulses can be dynamically controlled(enhanced or suppressed) through manipulating the relative phase φ between optical and microwave fields.Our numerical analysis shows that the contrast is enhanced to the most extent when φ = 1.5π.In addition,the contrast is in proportion to the Rabi frequency of the microwave field with a certain relative phase.  相似文献   
59.
简述了近几年来国内外激光诱导等离子体技术的发展情况,着重从实验装置的几个方面进行分析,包括激光能源、采光装置、接收装置。另外对双路脉冲激光蒸发、激发技术进行了简短的讨论。  相似文献   
60.
大功率窄脉冲半导体激光器主要光电性能参数为:输出峰值光功率、阈值电流、正向电压、上升时间、峰值波长、光谱半宽、半强度角.根据激光制导系统对大功率窄脉冲激光器参数的特殊测试要求,研制一种大功率窄脉冲激光器测试平台,将小型化大功率激励器功放模块、大范围可调DC-DC模块、信号源板、激光器座、光学准直镜集成在一个平台上,与峰值功率计、光谱仪、CCD摄像机等仪器配合,可测出大功率窄脉冲激光器的峰值功率、峰值波长及波长随温度变化的漂移特性、发光芯均匀性等参数.介绍了大功率窄脉冲激光器测试台的特点,并对测试结果作了论述.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号