简支矩形复合材料薄板压缩屈曲后的极限强度

本文通过283块简支矩形玻璃钢薄板的压缩屈曲后极限强度的试验,证明了复合材料薄板在屈曲失稳后仍能继续承载,以玻璃钢为例,可以超过临界载荷的十几倍。文中对薄板的极限强度进行了大挠度和小挠度理论分析,结合复合材料的能量强度理论,最后得出有关极限强度计算公式的C参数曲线,对于45°方向的薄板与试验结果较符合,对于经纬向薄板当β<0.11时比试验结果略大。文中给出的C参数可供产品设计时参考。     

一类Itô型非线性时滞关联随机大系统的分散鲁棒控制

在非线性项满足全局Lipschitz条件下,本文研究了一类It(o)型非线性时滞关联随机大系统的分散鲁棒控制问题.系统的时滞是关于状态和控制输入的.基于Lyapunov泛函及线性矩阵不等式(LMI)的分析方法,得到了无记忆状态反馈控制器使整个时滞关联随机大系统可镇定的充分条件.     

对于具有大范围运动和非线性变形的柔性梁的有限元动力学建模

研究具有大范围运动和非线性变形的柔性梁的有限元动力学建模.采用有限元方法对梁结构进行离散,利用Lagrange方程建立系统的精确动力学方程.该方程不仅增加了新的表征纵向、横向、侧向弯曲变形,以及扭转变形的耦合项,同时包含了变形运动与大范围运动之间的相互耦合项.     

线性规划中大M法的参数M估值问题

在线性规划的单纯形法中,为求初始的可行基有著名的大M法,即惩罚因子法.在通常的运筹学教材中,只说明当M充分大时,大M法是有效的,并没有给出参数M的确切估计值.现给出一个确定的常数M0,并证明当M>M0时,大M法收敛于原问题的最优解.     

货币政策宏观调控的一类大系统模型

本文以货币政策工具调控货币供应量为重点，结合我国货币政策传导机制和目前的经济和金融体制，在定量研究货币政策工具、中介目标和最终目标三者之间关系的基础上，建立了一个货币政策宏观调控的动态大系统模型．应用大系统共态预估法构造了此模型的最优控制算法，并利用比较静态分析方法研究了货币政策的非中立性．最后运用本模型就近期因法定存款准备金率和利率下调对货币供给量的影响进行了实例分析．     

大高良姜中活性物质的分子光谱研究

1′-乙酰氧基胡椒酚乙酸酯的抗菌、抗癌等生物活性正逐渐为国内外的研究证实,是一具有前景广阔的化合物,而植物大高良姜是其丰富的天然来源之一。本文采用不破坏样品原始性状的红外光谱与拉曼光谱技术对从大高良姜中提取提纯的生物活性物质进行了分子光谱的表征与结构分析,为其进一步的开发利用提供鉴别的依据。     

白簕叶总黄酮的提取和纯化及其抑菌试验初探

观察白簕叶中总黄酮的抑菌作用。采用微波辅助法从白簕叶中提取黄酮化合物,经HPD-600型树脂纯化,通过圆形滤纸片法和二倍稀释法分别对黄酮提取液进行了抑菌试验和最小抑菌浓度(MIC)的测定。HPD-600型树脂纯化后的黄酮纯度达到21.3%,对3种供试菌的抑菌作用为大肠杆菌金色葡萄球菌芽孢杆菌,随着总黄酮浓度的增加,其抑菌作用也增强。白簕叶总黄酮对大肠杆菌、金色葡萄球菌、和芽孢杆菌的MIC分别为原液的1/4、1/2倍和1倍。本方法为白簕的药用价值开发开辟了新途径。     

大尺寸物体彩色全息图制作的研究

通过分析两步法制彩色全息图中全息图空间带宽积与物体大小、全息图记录距离的关系,提出了一种拍摄大尺寸物体彩色全息图的方法。经编码,设置参数,在视窗处平面记录下三分色全息图, 以保证用最小的幅面记录下物体的完整信息,并且H1rgb处于同一平面经原参考光的共轭光再现时,他们的再现像能完全重合;将H1rgb再现,获得大视场的物光波信息,三基色物波信息重合后,用光学方法记录大幅面的彩色全息。该方法能提高全息图再现像的视场和解决大尺寸物体的全息图难拍摄问题。 经实验验证,该方法能将全息图再现像的视场提高6倍左右。     

具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管

介绍了一种具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管。采用原子层淀积(ALD)方法实现Al₂O₃栅介质的沉积。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅长(L_g)为2 μm,栅宽(W_g)为0.9 mm(0.45 mm×2),栅极和源极(L_gs)之间的距离为5 μm,栅极和漏极(L_gd)之间的距离为10 μm。在栅压为－20 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电仅为0.65 nA。在栅压为+12 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电为225 nA。器件的栅压摆幅为－20~+12 V。在栅压V_gs=+10 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT电流和饱和电流密度分别达到了98 mA和108 mA/mm (W_g=0.9 mm), 特征导通电阻为4 mΩ·cm²。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的阈值电压为+4.6 V,开启与关断电流比达到了5×10⁸。当V_ds=7 V时,器件的峰值跨导为42 mS/mm (W_g=0.9 mm,V_gs=+10 V)。在V_gs=0 V时,栅漏间距为10 μm的槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的关断击穿电压为450 V,关断泄露电流为0.025 mA/mm。     

High-Quality Large-Sized Single Crystals of Pb-Doped Bi2Sr2CuO6＋δ High-To Superconductors Grown with Traveling Solvent Floating Zone Method

High quality Pb-doped Bi2Sr2Cu06＋δ （Pb-Bi2201） single crystals are grown by the traveling solvent floating zone technique, with dimensions as large as - 50 min× - 5.0 min ×- 2 mm. The Pb-Bi2201 single crystals with different doping levels are obtained by the annealing process which covers a wide doping range of the overdoped region. We describe in detail the growth and annealing procedures and the characterization and physical property measurements of the Pb-Bi2201 crystals. The availability of these crystals provides a good opportunity to experimentally investigate high-To cuprate superconductors, particularly in the overdoped region.