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61.
介绍了非晶半导体薄膜的结构特点和在光电器件上的独特性能,给出了薄膜器件的发展水平和制膜技术、制膜设备的研究现状。 相似文献
63.
PECVDSiON薄膜的工艺控制,性质及其潜在应用 总被引:2,自引:1,他引:1
研究了等离子增强化学气相淀积氮氧化硅薄膜的工艺控制、性质以及薄膜波导在超大规模集成电路光互连中的潜在应用。 相似文献
64.
65.
酞菁钴薄膜的折射率及吸收特性 总被引:3,自引:1,他引:2
通过真空镀法在单晶硅片上制备了酞菁钴薄膜,在波长扫描和入射角可变全自动椭圆偏振光谱仪上研究了CoPc薄膜的椭偏光谱并分析了其电子结构。 相似文献
66.
We report the effects of post-thermal treatment on the quality of 2-inch 6H-SiC wafer cut from a crystal boule grown by physical vapour transportation method. The full widths at half maximum of x-ray diffraction rocking curves measured on sites across the 2-inch wafer become narrower, indicating the quality improvement after a three-step post-thermal treatment. It is found that the most common defects such as micropipes and inclusions can be significantly reduced after the treatment. Our results show that the post-thermal treatment is an effective route to improve the quality of SiC single crystals. 相似文献
67.
68.
69.
一种新型有机电致微腔结构的双模发射 总被引:4,自引:4,他引:0
采用结构Glass/DBR/ITO/NPB/NPB:Alq/Alq/Al制作了有机微腔电致发光器件。将空穴传输材料与发光材料以一定比例混合作为发光层,为了便于对比,在不改变有机层的膜厚的情况下同时制作了传统的异质结微腔器件,发现两种器件的发光光谱有很大不同,器件的复合效率与传统的异质结器件相比也得到了很大提高,这是因为将两种有机材料混合能消除界面势垒,提高器件的复合效率,从而提高了器件的发光性能,实现了微腔双模发射,且两个模式的半峰全宽分别为8nm和12nm。通过进一步优化器件结构可以实现微腔白光发射。 相似文献
70.
日本高科技协会,于1996年11月6日-8日在美国夏威夷火努鲁鲁的日本东海大学太平洋中心组织召开了稀土超磁致伸缩材料基础和应用研究的国际会议.超磁致伸缩材料GMM(GiantManetostrictiveMa.tenals)为稀土元素钛Tb(Terbium)、镐Dy(DysPro-sium)和铁Fe的合金化合物,其基 相似文献