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41.
韩力  卢杰  李莉 《物理实验》2006,26(4):39-40,43
基于夫琅禾费衍射理论和巴比涅互补原理,提出了利用激光衍射对细丝直径进行动态测量的方法.该方法具有测量精度高、速度快、非接触、使用方便且易于微机联接实现自动化测量等优点.  相似文献   
42.
43.
一类相空间中的准几率分布函数系   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
袁通全 《物理学报》2006,55(10):5014-5017
定义了一类相空间中的准几率分布函数系,这个准几率分布函数系直接建立在具有更加广泛意义的量子相空间Schr?dinger方程解的基础之上,其中定义α=αp-i?q和α=(1-α)q+i?p.发现了两个有趣的关系.(1)建立的量子相空间Schr?dinger方程的解实际上是对函数φ(λ)exp[i(1-α)qp]做窗口Fourier变换.(2)这个窗口函数g(λ)起着选择窗口形式的作用,而且不同的窗口对应着不同的分布函数.当g(λ)是一个代表Gauss窗的Gauss函数的时候,准几率分布函数就是一个类似于Husimi的分布函数fHLα(q,p);当g(λ)是一个表示椭圆的复函数时,准几率分布函数就是一个椭圆分布函数fEα(q,p);再在g(λ)为复函数的基础上附加α=0,就可得到标准序分布函数fS(q,p)、反标准序分布函数fAS(q,p)和Wigner分布函数fW(q,p),此时g(λ)表示高度为1/12π?而长度为λ的矩形窗. 关键词: 窗口Fourier变换 相空间 Wigner分布函数  相似文献   
44.
基于液晶光阀的全息照相控光仪   总被引:2,自引:2,他引:0  
何源  邢增海  陈焕杰  余艺  梁海辉  钟铖  张红  谭炎 《物理实验》2006,26(5):22-24,28
设计了通过液晶光阀自动调整全息照相物光和参考光辐照比至最佳状态,同时能实现曝光时间自动控制的控光仪.该仪器巧妙运用液晶光阀和硅光电池器件,使测量、调整、自控一体化,从而提高拍摄优质全息图的工作效率.  相似文献   
45.
利用随机矩阵理论,通过对一特殊情形的简并谱展开研究,得到了简并谱一种可能的最小相邻间距NNS分布函数.研究表明,由于简并的存在,简并谱不仅可分解成随机谱和规则谱两个子谱,同时还影响其规则谱,使规则谱的能级斥力减少.  相似文献   
46.
薛孝乐 《数学通报》2006,45(4):20-21
解析几何是用代数方法研究几何问题的数学分支,其中的题目可涉及到函数,三角,不等式等各种数学知识,这就决定了一个解析几何问题可能有多种不同的解法。解析几何的一题多解可以提高思维的灵活性,拓展人的思路,进而可以提高解决数学综合问题的能力。下面就以一道解析几何题给出几种不同的解法。  相似文献   
47.
全光纤反射式马赫曾德尔干涉型多波长滤波器的研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
对反射式的马赫-曾德尔干涉型多波长滤波器的性能作了较详细的研究,得出了两个耦合器的分光比和两臂的臂长差对其输出谱线的影响,结论对设计制作不同性能指标的该型多波长滤波器具有重要的参考价值。实验上用光纤熔融拉锥法制作了该种器件,实验结果与理论相符合。  相似文献   
48.
在我们自己研制的具有恒温加热进样系统的激光质谱仪上实验获得了气相萘分子的共振增强多光子电离/飞行时间质谱(REMPI-TOFMS),以及萘母体离子C10H+8和一些主要碎片离子C8H+6、C6H+6、C5H+3、C4H+3、C3H+3在264~280 nm的分质量光谱.结合在266 nm激发波长下实验得到的这些离子的光强指数及不同激光能量下的分支比,对母体离子及主要碎片离子的生成机理进行了探讨:在该波段范围内,萘母体分子首先吸收一个光子从基态跃迁至激发态,激发态分子再吸收一个光子而电离产生母体离子C10H+8;碎片离子C8H+6、C6H+6、C5H+3、C4H+3、C3H+3则是由母体离子进一步吸收光子解离形成的,并给出了可能的解离通道.  相似文献   
49.
赵玲慧  魏志义  张杰 《物理》2002,31(11):729-732
总结了目前几种可产生兆瓦级(10^6W)峰值功率的飞秒(10^-15s)掺钛蓝宝石激光器的发展状况,分析了这类激光器相应的腔结构,讨论了相关的特点以及在实验上的应用前景。  相似文献   
50.
利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.  相似文献   
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