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21.
金属β-二酮化合物用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
对用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜的金属β-二酮化合物的制备、结构及性质进行了评述,对它们在生长铁电薄膜中的应用现状进行了介绍,并对它们的应用前景作了展望。  相似文献   
22.
具有模糊数的模糊多目标群体决策优选模型与方法   总被引:5,自引:0,他引:5  
多目标群体决策问题是运筹学的一个重要研究领域,目前已经提出了一些有效的决策方法。但对目标值和权重均为模糊数的模糊多目标群体决策问题却研究不多,本对此类模糊多目标群体决策问题进行了探讨,利用相对正理想方案与相对负理想方案概念定义了相对差异距离,进而建立了模糊多目标群体决策优选模型与方法,并通过战役决心方案的评价说明了该方法是可行、有效的,可作为军事决策与决策支持系统的备选方法。  相似文献   
23.
本文进一步讨论了我们新近提出的等近邻数键球谐函数方法,并通过分子动力学模拟研究了熔融LiCl及其急冷过程。对计算机模拟各时间步产生的瞬态构型进行平均,计算了不同温度下键序Ql谱.将模拟Ql谱与线性组合模型Ql谱比较,观察到模拟Ql谱与含90%局部正四面体结构的组合模型十分相似,表明熔融Licl及其急冷非晶中局部键取向序明显倾向于正四面体序。急冷过程中不同温度下局部键取向序可用同一线性组合模型描述,但模型方差随模拟温度明显变化。方差随温度而降低,且在发生玻璃态转变时有一显著下降。不同温度下的键角分布也作了计算,观察到键角分布在109°(正四面体局部结构键角)附近且分布峰随温度升高而展宽,与键序Ql得到的结论一致。  相似文献   
24.
本文在文献[1]研究的基础上,建立了光纤面板的结构模型。利用光学信息理论,研究了光纤面板的传输机理。通过分析、计算光纤面板传输的光学信息量,给出了光纤面板传递最大信息量时的最佳结构参数和扩散参量。  相似文献   
25.
英国《新科学家》杂志日前刊载文章称,新一代X射线激光器能用于研究蛋白质和其他生物分子的构造和行为。新一代X射线激光器的能量将是现有设备的100亿倍,能使科学家观察到最微小最精妙的分子构造。利用这种技术可以破解复杂的蛋白质和完整的病毒结构,甚至可能获得DNA的三维图像。X射线激光器被称作自由电子激光器。与传统激光器不同,自由电子激光器并不是通过光照或电流刺激某种物质发射光子,而是使用粒子加速器让极小的电子云穿过磁铁组,这些磁铁把电子推来推去,直到电子释放出光脉冲。传统激光器的激光波长是由发射光子的物质本…  相似文献   
26.
许永华 《中国科学A辑》1991,34(10):1021-1029
本文主要结果如下:(1)证明了两个自由模及是半线性同构当且仅当EndF与EndG是严格的环同构(见定义1)。(2)用不同方法证明并推广了1985年Bolla用范畴方法来描述EndF与EndG之间的环同构。(3)1962年Wolfson定理是我们的推论。  相似文献   
27.
薛孝乐 《数学通报》2006,45(4):20-21
解析几何是用代数方法研究几何问题的数学分支,其中的题目可涉及到函数,三角,不等式等各种数学知识,这就决定了一个解析几何问题可能有多种不同的解法。解析几何的一题多解可以提高思维的灵活性,拓展人的思路,进而可以提高解决数学综合问题的能力。下面就以一道解析几何题给出几种不同的解法。  相似文献   
28.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。  相似文献   
29.
混合判断矩阵排序方法研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文介绍了混合判断矩阵及完全一致性混合判断矩阵的概念,提出了混合判断矩阵排序的一种最小偏差法,并给出了其收敛性迭代算法,最后通过算例说明了方法的可行性。  相似文献   
30.
纳米级自旋电子学材料取得重要进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
刘邦贵 《物理》2003,32(12):780-782
因为纳米级的自旋电子学器件需要在纳米尺度上仍能在较高温度下保持优异性能的高自旋极化率材料,故与半导体相容的半金属铁磁体近来受到高度重视.文章介绍作者在这个方向上研究工作的最新重要进展:通过大规模系统的高精度第一原理计算,作者发现三个3d过渡金属硫系化合物的闪锌矿相具有优异的半金属铁磁性,并且其结构性能适合做成具有足够厚度的薄膜或层状材料,便于应用于纳米级自旋电子学器件。  相似文献   
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