A Mossbauer study of the magnetic coupling in iron phosphorous trisulfides

The polycrystalline sample of layered compound FePS_3 has been investigated by using M?ssbauer spectroscopy (12K to 300K), magnetic susceptibility measurements, x-ray diffraction and FTIR spectroscopy. The antiferromagnetic order exists below T_N=120.5±1K. The M?ssbauer spectra below T_N indicate that the magnetization axis is perpendicular to the layer of FePS_3, and the divalent iron cations are in their high spin configurations. By fitting the hyperfine field parameters near the Néel temperature, we obtain information on the nature of magnetic interactions in the material. The results show that the magnetic coupling can be treated by the two-dimensional Ising model, and it can be interpreted on the basis of a crystal-field effect.     

硫化锌掺钴对电子结构和光学性质的影响

根据密度泛函理论对钴掺硫化锌周围的品格进行了结构优化,计算得到了钴杂质周围的晶体结构、电子态密度分布和吸收光谱.计算结果表明,由于Co原子掺入ZnS晶格常数减小,导致晶格畸变;带隙变窄;吸收峰展宽至更长波长区域.     

SA耐火材料多晶结构与性能的研究

本实验采用磨具废砂和炉皮SiC废砂生产SA耐火材料，通过XRD分析和计算机处理确定各试样中的晶相（4H－SiC，33R－SiC，3C－SiC，α－Al2O3，β-石英和Al6Si2O13）及其各相的含量。通过材料性能与结构综合分析，确定较好的配方，其含量：磨具废砂50％，炉皮砂45％，结合剂5％，外加矿化剂2％。     

多晶顺磁共振谱的拟合

对电子自旋1/2≤S<3.5,核自旋1/2≤I<4.5和配体少于10个的顺磁体系的多晶EPR谱的拟合进行研究。在VAX-11/785计算机上用FORTRAN语言建立EPR谱模拟程序包,计算了多个例子,获得较为满意的结果。     

多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe的电沉积及Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te薄膜的光电化学行为

本文研究了在酸性CdSO_4+HTeO_2~+6HgCl_2 电解液中多晶富镉Hg_(1-x),Cd_(?),Te(x>0.5)的电沉积过程,实现了三种离子在同一电位下共沉积的技术。对在钛基底上沉积出的薄膜进行XRD,SEM和EDAX分析,结果表明薄膜为闪锌矿型的多晶结构,分布均匀连续。考察了(1—x)=0.09时多晶薄膜在多硫氧化还原电对液中的光电化学行为,光强为100mW/cm~2时,短路光电流I_(sc)=1.88mA/cm~2,开路光电压V_(oc)=0.25V,填充因子F·F=0.22。由光电化学光谱所确定出的禁带宽度E_g=1.26eV,Mott-schottky曲线给出了电极的平带电位φfb为—1.26V(vs.SCE),从而得到开路光电压V_(oc)可能达到的最大值为0.49V。因此,多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜是一种很有潜力的光活性电极材料。     

多晶Hg0.09Cd0.91Te薄膜的光电化学行为

富镉Hg_(1-x)Cd_xTe是一种新型的光电转换材料,已用于固体结太阳能光伏电池:ITO/CdS/Hg_(1-)Cd_xTe/Au。我们曾对Hg_(1-x)Cd_xTe的电沉积机理作过研究。最近我们用电沉积制备的Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te多晶薄膜做成了液体结太阳能光电化学电池并观察到明显光电响应。     

晶界在多晶ZrO2基固体电解质中的作用

在实验的基础上将ZrO₂基固体电解质的晶界分为三类:“清洁”晶界、含非晶相的晶界和含晶态相晶界,并分析了各类晶界的形态与性质,其中根据有效介质理论的计算,晶态晶界相的电导率约为基体的三倍,因而据此提出了一个运用“晶界工程”进一步提高ZrO₂导电性的方法。用理论模型分析了各类晶界对ZrO₂氧传感器输出电势的影响。 关键词：     

堇青石窑具多晶结构与性能研究

利用X-射线衍射分析和电子显微镜分析的结果，确定堇青石窑具的多晶结构和各晶相的含量；结合窑具性能的研究，确定堇青石窑具具有优良性能的适宜配方。     

溶液法生长大面积超薄钙钛矿单晶薄膜

卤化物钙钛矿由于其独特的光电性质,在薄膜光电子器件领域具有极大潜力1。虽然许多工作都集中在多晶钙钛矿材料上,但单晶钙钛矿比多晶具有更低的缺陷态密度、更好的载流子输运能力和更高的稳定性2,3,可以有有效减少甚至消除载流子输运过程中的散射损失以及在晶界处的非辐射性复合4。采用单晶钙钛矿薄膜作为器件活性层被认为是进一步提高钙钛矿光电子器件性能的理想方案。目前,研究报道的钙钛矿单晶薄膜生长方法主要通过化学气相沉积和溶液空间限制法5,6,然而,所制备的薄膜厚度往往较厚,相应的器件性能也没有多晶薄膜的器件高7,因此,生长高质量的超薄大面积钙钛矿单晶薄膜至关重要。     

基于CdSe/ZnS量子点薄膜结构的高双折射光子晶体光纤的色散与损耗控制

基于有限元法,设计了一种六边形排列含CdSe/ZnS量子点薄膜结构的高双折射光子晶体光纤,分析了具有不同厚度CdSe/ZnS量子点薄膜光子晶体光纤的色散及损耗特性.结果表明,含CdSe/ZnS量子点薄膜结构的光子晶体光纤在x和y方向均存在基模.当泵浦光波长逐渐增加时,具有相同厚度CdSe/ZnS量子点薄膜光子晶体光纤的双折射值逐渐增大,x和y方向总色散先增大后减小且存在两个零色散点,损耗逐渐增大并在可见光波段趋近于零;具有不同厚度CdSe/ZnS量子点薄膜光子晶体光纤随CdSe/ZnS量子点薄膜厚度的增加,在相同泵浦光波长处,双折射值逐渐减小,x和y方向总色散逐渐减小且两个零色散点逐渐靠近,损耗逐渐增大.通过沉积不同厚度CdSe/ZnS量子点薄膜和选择合适泵浦光波长,可有效控制光子晶体光纤的色散和损耗.