Momentum Transfer Dependence of Two Types of the Broad Enhancement Phenomena： CO Spectra in the Valence Energy Region

Partial generalized oscillator strength densities of CO molecules related to the excitation of a 5σ or 1π electron are calculated by using multi-scattering self-consistent-field methods.Momentum transfer dependence of two types of the broad enhancement phenomena above the threshold with one-electron character,i.e. shape resonance and non-resonance enhancement,is studied.Our calculations show that the energy position of a non-resonance enhancement is related to the momentum transfer K.Therefore,electron impact based experiments can be used to identify the two types of the broad enhancement phenomena.     

脂溶性酞菁钴(III)为载体的高选择性亚硝酸根PVC膜电极

以自制的4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(II)为原料合成二氯4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(III)。以此为载体制备PVC膜电极。该电极的电位选择性次序明显不同于Hofmeister次序, 其最佳 响应斜率为-52mV/pNO2^-, 线性范围为3×10^-^5～1×10^-^1mol.dm^-^3NaNO2。通过改变配合物轴向的配位阴离子, 用紫外-可见光谱法对电极的响应机理作了初步探讨。     

La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜庞磁电阻性质的研究

一种新的庞磁电阻氧化物薄膜La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜用脉冲激光沉积(PLD)方法生长在(100)SrTiO3单晶基底上.XRD结果显示薄膜具有很好的外延单晶取向.电输运和磁性质的研究表明薄膜具有显著的庞磁电阻效应(CMR)效应,其中磁电阻比率达95%(在5T的磁场下).X射线光电子能谱(XPS)的结果表明薄膜体系中Pr离子的价态为+4价,因此该薄膜很可能是电子掺杂的庞磁电阻体系.     

端面泵浦掺Yb3+双包层光纤激光器

从双包层光纤激光器的速率方程出发，得到了光纤中泵浦光与激光的功率分布、输出功率与泵浦功率的关系、腔镜反射率及光纤长度对输出功率的影响。研究结果表明：输出激光功率与光纤长度及后腔镜反射率有很强的依赖关系，存在一个输出功率最大的最佳光纤长度。后腔镜反射率越大，输出激光功率越小；当光纤长度较短时，在输出端放置反射镜使泵浦光高反射，可以提高输出功率和效率。通过对端面泵浦掺Yb3+双包层光纤激光器进行理论分析和实验研究，得到输出激光的中心波长为1088.3nm，斜率效率为33.7%，最大输出功率为1.75W。     

降合物假冠醚研究（Ⅱ）新型聚合物的合成、吸附特性与绿色应用

合成了两种假冠醚型聚合物。研究了聚合物对金属离子的静态吸附性能。结果表明，聚合物对Ag^ ，Pb^2 ,Hg^2 表现出良好的吸附特性，且聚合物B的吸附能力优于聚合物A。吸附实验表明，除冠醚氧原子参与配位外，－CH2OH的氧原子亦参与了配位。聚合物B对Ag^ 的吸附过程中存在着明显的氧化还原现象，Ag^ 被还原为Ag^0，而聚合物分子中的－CH2OH被氧化成为－COOH。已初步将研究成果应用于本化学实验室的绿色化建设中。     

CO在钙钛矿型氧化物SmMeO3上吸附的红外光谱研究

对于CO在钙钛矿氧化物上的吸附,Tascon等人做了大量的工作.他们认为CO是吸附在表面O~(2-)上,O_2吸附在金属位上,且他们提出了氧化反应的可能机理为吸附态的CO与吸附态的氧生成CO_3为速度控制步骤,他们还认为该步骤是以生成稳定的双齿碳酸盐再变成单齿碳酸盐而进行的.即     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.     

CuX／bpy催化体系中甲基丙烯酸甲酯的原子转移自由基聚合

讨论了以α－溴代丙酸乙酯（ＥＰＮ－Ｂｒ）为引发剂、卤化亚铜（ＣｕＸ）／联二吡啶（ｂｐｙ）为催化剂，８０℃下，甲基丙烯酸甲酯（ＭＭＡ）地不同溶剂中的原子转移自由基聚合（ＡＴＲＰ）反应。通过对催化剂ＣｕＢｒ或ＣｕＣｌ及几种溶剂的考察，发现在８０℃下ＥＰＮ－Ｂｒ／ＣｕＢｒ／ｂｐｙ能有效控制丙烯酸甲酯（ＭＡ）的本体ＡＴＲＰ反应，但并不能很好地控制ＭＭＡ在ＥＡｃ中的聚合反应为一可控聚合过程，引发效率为０．８