绝热剪切研究的意义和现状

简述了绝热剪切现象及其涉及的领域，指出了绝热剪切研究的意义和它重要的工程应用价值，对绝热剪切研究物现状作了扼要的总结。     

奇质子核K=1/2带的带交叉

从粒子一转子模型分析了奇A核K=1/2带的带交叉.脱耦合项的出现可引起回弯频率异常.在[541]↓的情况下,造成的回弯推迟可与实验观测值相比拟.     

六顶角带谱参数杨-Baxter方程的解

通过五个解交换,四组非退化基本解和七组退化解,给出了精确可解统计模型理论中六顶角带谱参数杨-Baxter方程的全部解.并讨论了解的幺正条件. 关键词：     

光子晶体的带隙破缺随插入介质层变化规律的研究

采用文中图1所示的一维光子晶体的缺陷模,应用光学传输矩阵法,证明了由光子晶体的缺陷结构引起的光子禁带破缺,得出:"f"(禁带破缺处对应的入射光频率)随"nc"(插入介质层的折射率)的增加线性下降,数值模拟了它们的几何图形.并根据f-nc的对应关系提出了一种测量介质折射率的方法.     

一种双通道夜视图像彩色融合系统

提出了一种双通道夜视图像的彩色融合系统。利用Matrox Meteor-Ⅱ多通道图像采集卡获取双通道微光与红外视频图像．通过仿MIT,BIT．TNO．线性组合和混合结构等图像融合结构实现微光／微光和微光／红外图像的彩色融合处理。系统彩色图像融合处理是在VC++6．0环境下运用采集卡图像函数库实现的。建立的实验平台为彩色夜视融合算法的评价和进一步的研究奠定了基础。     

突破间接带局限创新Si基激光器

Si基高效发光与受激光发射是Si基光子学突破性发展的关键课题,它的实现对Si基微电子学的发展有深远的重大意义．由于受到天然Si材料间接带能带结构的限制,Si材料的发光效率极低,更谈不上可实现受激光发射,人工改性就成为当代研究、开拓的主要途径．新的Si基直接带体材料(如β-FeSi2等)的探索,Ge／Si量子阱、超晶格、量子点的能带工程介观改性,子带发光跃迁的探索,异类元素插入短周期超晶格中的化学键改性,以及SiO2高浓度nc-Si的生成和高激活度稀土离子的掺入发光等已开展了多途径的研究,不同程度上取得了重要的进展,一种MIS结构电子隧道注入高效发光器件已在SiO2：RE MOS结构中实现．运用激光器件物理的深入设计和新的器件技术的引入,可以预计本世纪初叶,对实现Si基激光器的奢望将会成为现实,无疑它对Si基光子学、Si基集成光电子学乃至信息高科技的发展将作出历史性的巨大贡献．     

济阳坳陷陡坡带砂砾岩体储层测井识别及描述技术

陆相断陷湖盆陡坡带发育各种成围的砂砾岩扇体,其储集性能具有极强的非均质性,已成为高成熟勘探区重要的勘探目标,钻前对有利沉积相带的预测以及钻后对储集性能的分析,已成为提高勘探开发效益的关键．针对胜利油田济阳坳陷陡坡带发育的各种成围的砂砾岩扇体,综合应用测井相、多种测井咱应交会法、储层参数的测井定量解释、含油渗透层的测井判识等多种技术和方法,有效地对砂砾岩扇体的成围类型和储层岩性进行了判识,建立了孔隙度、渗透卑等储层参数解释的理论模型并进行了定量解释,划分了有效渗透层,取得了明显的勘探开发效果．这些新技术的综合运用为其他类似地区砂砾岩扇体的勘探与开发提供了技术支持．     

Pb1－xMnxSe薄膜的光学特性

采用分子束外延的方法在BaF₂(111)衬底上制备出了高质量的Pb_1-xMn_xSe(0≤x≤0.0681)薄膜.X射线衍射结果表明，Pb₁-xMn_xSe薄膜为立方相NaCl型结构，没有观察到MnSe相分离现象，薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.晶格常数随着Mn含量的增加逐渐减小，Mn含量由Vegard公式得到.通 关键词： 1-xMn_xSe外延薄膜')" href="#">Pb_1-xMn_xSe外延薄膜 透射光谱 带隙 折射率     

红外中带滤光片的结构、带宽估算及调整

中波红外波段在航天、气象、遥感等领域有着重要的应用，为了提高信噪比，系统中经常使用高质量的红外中带滤光片。相对带宽是红外中带滤光片重要的指标，主要取决于光学薄膜的膜系结构和具体设计。首先给出双截止组合型、F-P型、多半波型等几种膜系结构，归纳了相对带宽估算公式。同时从实用性出发，对一些具体膜系结构进行了相对带宽估算和综合分析，结果表明多半波结构最为可行。针对多半波结构，提出了间隔层膜料和光学厚度的选择、采用等效膜、调整膜层折射率等相对带宽调整的方法。最后，利用上述相对带宽调整方法对红外中带滤光片进行了设计，给出了实际镀制结果，滤光片相对带宽指标满足设计要求。     

一维光子晶体结构参数对禁带带隙的影响研究

采用平面波法(PWM)计算一维光子晶体的带隙结构。分别就构造一维光子晶体结构的高低折射膜层的介电常数及填充比(高折射膜层的厚度与晶体周期长度的比值)对禁带带隙宽度的影响作出分析。通过最小二乘曲线和曲面拟合得到带宽与介电常数或带宽与填充比的函数关系图，以确定最佳的禁带带宽，从而设计一维光子晶体的周期结构。对高低折射膜层为GaAs/空气组成的一维光子晶体，介电常数比约为13/1，当填充比为0.16时，计算得禁带带宽为0.2564×2πc/Λ，禁带的中心频率为0.3478×2πc/Λ，与实验数据吻合。