切比雪夫谱有限条

文[1]用有限条法分析薄板弯曲时,将薄板分成若干条带,条的端部以振动梁函数等特殊函数为基函数,对不同的边界条件,取不同基函数,给计算和程序编制带来麻烦。本文将以切比雪夫多项式作为有限条端部的基函数,並通过建立边界约束方程来统一处理各种边界条件,边界约束方程可简化有限条的刚度矩阵,计算结果与理论解较吻合。     

通过脉冲超声速度研究谷类茎部组织的生长

超声声速可用来研究谷类茎部组织的发育。通过脉冲波在茎轴线方向上的传播,测量了频率为0.1MHz的纵波声速。样品是薄圆筒,它是在植物生长过程中每3—7天从植物的同一节间位置得到的。植物从生长到成熟过程中,其超声声速由400m/s增加到5000m/s。声速的变化决定于组织发育的不同阶段,厚膜组织中微原细胞纤维素的沉积和细胞壁中生理水的损失对声速的影响最为明显。脉管束纤维的木质化过程将引起脉冲声速的微小变化。由于茎部的发育程度与声速     

现代物理信息

 1.电子与μ子统用性的确证.新的分支比测量得到R_?=Γ（Π→ev+Π→evγ）/Γ（π→μv+Π→μvγ）=（1.2265±0.0034±0.0044）×10^-4.结果与标准模型一致.并在0.2％的精度内确证e-μ统用性的假设是成立的,（D.I.Britton et al.,No.20）2.低温下光子质量的上限.基于安培定律的零检验,给出了一个确定低温下光子质量m_r的新方法.测量的结果是,在1.24K时,m_r≤（8.4±0.8）×10^-46g.     

在MOCVD外延生长中Ⅴ/Ⅲ比对AlxGa1-xAs外延层中A1组分分布的影响

本实验首次观察到用MOCVD方法在GaAs基片上外延生长AlxGa1-xAs/GaAs薄膜结构时,生长中所用的Ⅴ/Ⅲ比对外延层中Al组份x的分布的影响.当Ⅴ/Ⅲ比较低时,外延层中的Al组份出现很明显的层状阶梯形三层分布:靠近基片的一层中x值较低,而在外延层的表面层中x值较高.随着生长中所用的Ⅴ/Ⅲ比增加时,Al组份的分布趋于均匀.利用GaAs的高温热分解和Ga、As离子在晶体中的热扩散及其对外延生长的影响,对这一现象作了初步解释.     

β修正光度法测定镉络合物特征参数

利用β修正分析理论建立金属络合体系中络合物组成及其摩尔吸光系数数学方程，研究了镉（Ⅱ）－丁基罗丹明Ｂ（ＢＲｈＢ）－碘（Ⅰ－）缔合反应体系，结果表明，镉与ＢＲｈＢ组成比为１：２，缔合产物在６１０ｎｍ波长处摩尔吸光系数比其表观值高△ε６１０＝０．９１×１０４Ｌ．ｍｏｌ－１．ｃｍ－１。     

基于半导体光放大器交叉增益调制(SOA-XGM)波长变换器仿真研究

本文在PTDS(Photonic Transimission Design Suite)软件仿真平台上对基于半导体光放大器交叉增益调制(SOA-XGM)的波长变换器的变换特性作了仿真实验研究,仿真并分析了输入信号光功率、输入探测光功率、偏置电流和SOA的结构参量等因素对变换信号的消光比(ER)、Q值及误码率(BER)的影响关系.研究结果对优化设计SOA-XGM波长变换器有一定的参考价值.     

高维Mobius群几何形式的Jφrgensen不等式

本文给出了两个n维Mobius变换的共轭不变量,利用所得的不变量和不动点的交比,得到了两个关于高维非初等离散Mobius群的几何形式的JФrgensen不等式.特别地,这两个不等式是共轭不变的.     

磁光双稳系统的非稳特性

从具有延时反馈回路的磁光双稳系统的动力学方程出发,讨论了该系统的一些非稳特性,研究了磁光双稳系统的消光比对该系统非稳特性的影响.